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基本半导体650V40mQSiCMOSFET产品介绍

Rev.1.0

2025/03/13

650V40mQT0-247-4规格书参数对比

静态参数测试

双脉冲测试

BASiCVSCREE：开通波形，关断波形，反向恢复波形（常温&高温） BASiCVSST：开通波形，关断波形，反向恢复波形（常温&高温)

无桥PFC拓扑应用仿真

驱动方案推荐

米勒钳位对SiCMOSFET的重要性

对比型号

BASiC:B3M040065Z
CREE:C3M0045065K
ST:SCT040W65G3-4
Infine0n:IMZA65R039M1H，IMZA65R040M2H

品牌	型号	规格	封装
BASiC	B3M040065Z	650V 40mΩ	TO-247-4
CREE	C3M0045065K	650V45mQ
ST	SCT040W65G3-4	650V40mΩ
Infineon	IMZA65R039M1H	650V39mQ
Infineon	IMZA65R040M2H	650V 40mΩ

650V40mQT0-247-4产品规格书的关键静态参数对比

品牌		BASiC	Infineon	Infineon	CREE	ST	单位
型号		B3M040065Z	IMZA65R039M1H	IMZA65R040M2H	C3M0045065K	SCT040W65G3-4
Generation		G3	G1	G2	G3	G3 /
VG offlon		-4/18	0/18	0/18	-4/15	-5/18	V
VG offlon		40	39	40	45	40	V
RDS(ON)	Tj=25°℃ Tj=175°℃	55	55	65	61	61	mΩ
RDS(ON)	Tj=25°℃	2.3~2.7~3.5	3.5~4.5~5.7	3.5~4.5~5.6	1.8~2.6~3.6	1.8~3.0~4.2	mΩ
VGs(th)	Tj=175°℃	1.9	二	二	2.2	二	V /
VGs(th)	Ciss/Crss	220	93	172	203	66	V /
Rthi-c)		0.6	0.85 max	0.87 max	0.85	0.73	°℃/W
Coninus							A
	Te-259C	677	505	462	95	30 30	A
ID,pulse		108	122	142	132	160	A
Ciss		1540	1393	997	1621	860	pF
Coss		130	160	74	101	92	pF
Crss		7	15	5.8	8	13	pF
QG		60	41	28	63	37.5	nC
FOM	Tj=25°℃	2400	1599	1120	2835	1687.5	mQ*nC
Rgint		1.4	5	3.4	3	1.4	Ω
Rgint	Tj=25°℃	4		4.3	二	2.8
VsD	Tj=175°℃	3.4	4	二	二	二	V
VsD	Tjmax	175	二 175	175	175	200	V
Package		TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	°℃ /

DeviceID	BVDSS	IDSS	IGSS (+)	IGSS(-)	VGS(th)		RDS(on)-1RDS(on)-2\|RDS(on)-3		VSD	Ciss	Coss	Crss	Qg
Conditions	VGS=OV, ID=100μA	VDS=650V, VGS=OV	VGS=18V, VDS=OV	VGS=-10V, VDS=OV	VGS=VDS, ID=7.5mA	VGS=15V, ID=20A	VGS=18V, ID=20A	VGS=20V, ID=20A	VGS=-4V, ISD=10A		VGS=OV, VDS=400V,f=100kHz		VDS=400V, ID=20A
UNIT	V	nA	nA	nA	V	mΩ	mΩ	mΩ	V	PF	pF	pF	nC
BASiC-B3M040065Z-#1-25	946.63	5.80	0.05	-0.01	2.84	48.11	37.48	33.70	4.01	1528.67	131.18	7.11	60.17
BASiC-B3M040065Z-#2-25	946.23	5.93	0.04	-0.01	2.89	48.07	37.47	33.75	3.96	1533.57	131.34	7.08	60.26
BASiC-B3M040065Z-#3-25	943.68	7.71	0.03	-0.01	2.79	48.62	38.02	34.25	4.01	1534.13	130.85	7.71	61.8
CREE-C3M0045065K-#1-25	944.99	9.41	0.05	-0.03	2.60	42.70	37.34	35.27	5.18	1635.31	95.44	9.59	69.94
CREE-C3M0045065K-#2-25	938.44	10.95	0.05	-0.02	2.80	43.38	37.43	35.12	5.10	1642.74	95.69	9.75	70.89
CREE-C3M0045065K-#3-25	957.30	7.03	0.06	-0.04	2.47	39.66	34.90	33.02	4.91	1639.50	95.43	8.87	69.66
IFX-IMZA65R040M2H-#1-25	849.65	15.17	0.04	-0.01	4.35	43.16	34.10	31.17	4.16	975.05	80.76	7.94	34.86
IFX-IMZA65R040M2H-#2-25	863.13	9.39	0.04	-0.01	4.46	45.33	35.09	31.86	4.09	974.94	80.13	7.48	34.33
IFX-IMZA65R040M2H-#3-25	859.93	10.50	0.04	-0.01	4.47	44.84	34.94	31.78	4.14	966.46	80.20	7.75	34.48
ST-SCT040W65G3-4-#1-25	890.45	59.62	0.04	-0.01	3.32	50.79	40.15	36.34	3.44	954.34	93.37	13.54	38.29
ST-SCT040W65G3-4-#2-25	894.26	44.00	0.03	-0.02	3.39	54.41	42.05	37.74	3.54	930.80	93.00	13.62	38.28
ST-SCT040W65G3-4-#3-25	894.98	42.57	0.04	-0.01	3.38	54.47	42.11	37.78	3.53	931.16	92.99	13.56	38.25

高温（125°C）静态测试数据汇总

Device ID	BVDSS	IDSS	IGSS (+)	IGSS(-)	VGS(th)		RDS(on)-1RDS(on)-2RDS(on)-3		VSD	Ciss	Coss	Crss
Conditions	VGS=OV, ID=100μA	VDS=650V, VGS=OV	VGS=18V, VDS=OV	VGS=-10V, VDS=OV	VGS=VDS, ID=7.5mA	VGS=15V, ID=20A	VGS=18V, ID=20A	VGS=20V, ID=20A	VGS=-4V, ISD=10A		VGS=0V, VDS=400V,f=100kHz
UNIT	V	nA	nA	nA	V	mΩ	mn	mΩ	V	pF	pF	pF
BASiC-B3M040065Z-#1-125	959.83	13.60	0.23	-0.05	2.25	49.54	43.46	41.08	3.57	1536.68	131.26	7.15
BASiC-B3M040065Z-#2-125	958.61	20.35	0.06	-0.01	2.22	49.03	42.85	40.46	3.55	1541.93	131.46	6.75
BASiC-B3M040065Z-#3-125	960.68	21.70	0.07	-0.01	2.21	49.47	43.40	41.03	3.57	1545.20	131.56	7.60
CREE-C3M0045065K-#1-125	955.07	30.79	0.13	-0.16	2.25	51.61	47.70	46.09	4.90	1649.00	95.89	9.14
CREE-C3M0045065K-#2-125	948.33	29.80	0.3	-0.23	2.45	52.47	48.38	46.65	4.77	1659.21	95.40	9.47
CREE-C3M0045065K-#3-125	969.55	23.66	0.1	-0.18	2.19	50.05	46.48	45.05	4.59	1651.50	95.41	8.65
IFX-IMZA65R040M2H-#1-125	861.49	55.06	0.21	-0.03	3.61	52.28	44.70	41.91	3.86	975.17	80.68	7.72
IFX-IMZA65R040M2H-#2-125	878.13	27.80	0.04	-0.1	3.73	55.44	47.17	44.14	3.78	972.74	80.18	7.32
IFX-IMZA65R040M2H-#3-125	874.72	31.70	0.17	-0.01	3.72	54.52	46.38	43.42	3.83	969.04	79.66	7.57
ST-SCT040W65G3-4-#1-125	894.24	170.29	0.16	-0.04	2.74	50.06	43.84	41.40	3.25	962.50	97.24	8.97
ST-SCT040W65G3-4-#2-125	898.40	138.40	0.15	-0.02	2.66	52.54	45.84	43.25	3.33	939.99	97.24	8.74
ST-SCT040W65G3-4-#3-125	899.12	140.72	0.03	-0.01	2.72	52.72	46.06	43.44	3.33	939.62	97.93	8.61

双脉冲测试项目及数据汇总

测试条件：VDS=400V,ID=20A, VGS=-4V/+18V, Rgon=15Ω, Rgoff=10Q,Ls=53nH		25°℃			125°℃			单位
		B3M040065Z		C3M0045065K	FWD=MOSFETbody Diode SCT040W65G3-4B3M040065Z	C3M0045065K	SCT040W65G3-4
Sic MOSFET	开通延时Td(on)	10.60	8.60	8.30	8.30	7.70	8.00		ns
	上升时间Tr	28.10	30.40	27.20	24.30	25.20	23.70		ns
	开通di/dt	1.30	1.41	1.56	1.49	1.46	1.69		kA/μs
	开通dv/dt	11.48	10.71	11.85	13.23	13.05	13.75	kV/μs
	开通损耗Eon	144	146	147	132	136	124
	关断延时Td(off)	31.00	45.70	26.30	34.90	49.30	27.50	ns
	下降时间Tf	8.60	10.90	11.20	8.30	10.90	9.90	ns
	关断di/dt	1.30	1.15	1.11	1.34	1.12	1.16	kA/μs
	关断dv/dt	37.49	29.59	28.78	38.73	29.46	32.36	kV/μs
	关断电压尖峰	553	557	566	544	554	555	V
		42	54	55	34	55	57
	关断损耗Eoff
	总损耗Etotal 反向恢复电流峰值rrpeak	186	200 -8.94	202	166 -14.32	191	181
		-8.74		-14.31		-12.32	-12.63	A
Diode	反向恢复电压尖峰	459	483	471	532	488	457	V
	反向恢复电荷量Qrr	0.16	0.17	0.25	0.16	0.18	0.17	μC
	反向恢复电流前沿di/dt	1.75	1.68	1.80	1.86	1.88	1.82	kA/μs
	反向恢复电压dv/dt	49.09	52.34	36.14	49.09	44.25	51.46	kV/μs

M

与竞品波形对比

测试条件：母线电压400V，驱动电压-4V/+18V，Rgon=15Ω,Rgoff \mathbf{\bar{\rho}}=10\Omega ，负载电感 200\upmu\up H ，导通电流20A， \mathtt{L5}=53\mathsf{n}\mathsf{H} 注：1）续流管body diode;2）时间轴尺度：40ns/div

项目	BASiC	CREE	ST	单位
开通延时Td(on)	10.6	8.6	8.3	ns
开通di/dt	1.3	1.41	1.56	kA/μs
开通dv/dt	11.48	10.71	11.85	kV/μs
开通损耗Eon	144	146	147	以

注：1）续流管body diode;2）时间轴尺度：40ns/div

项目	BASiC	CREE	ST	单位
开通延时Td(on)	8.3	7.7	8	ns
开通di/dt	1.49	1.46	1.69	kA/μs
开通dv/dt	13.23	13.05	13.75	kV/μs
开通损耗Eon	132	136	124	以

测试条件：母线电压400V，驱动电压-4V/+18V，Rgon=15Q,Rgof \mathbf{\bar{\rho}}=10\Omega ，负载电感 200\upmu\up H ，导通电流20A， \mathtt{L5}=53\mathsf{n}\mathsf{H} 注：1）续流管body diode;2）时间轴尺度：40ns/div

项目	BASiC	CREE	ST	单位
关断延时Td(off)	31	45.7	26.3	ns
关断di/dt	1.3	1.15	1.11	kA/μs
关断dv/dt	37.49	29.59	28.78	kV/μs
关断电压尖峰	553	557	566	V
关断损耗Eoff	42	54	55

测试条件：母线电压400V，驱动电压-4V/+18V，Rgon=15Q,Rgoff \mathbf{\bar{\rho}}=10\Omega ，负载电感 200\upmu\up H ，导通电流20A, \mathtt{L5}=53\mathsf{n}\mathsf{H} 注：1）续流管bodydiode;2）时间轴尺度：40ns/div

项目	BASiC	CREE	ST	单位
关断延时Td(off)	34.9	49.3	27.5	ns
关断di/dt	1.34	1.12	1.16	kA/μs
关断dv/dt	38.73	29.46	32.36	kV/μs
关断电压尖峰	544	554	555	V
关断损耗Eoff	34	55	57

BodyDiode反向恢复波形Tj=25℃

测试条件：母线电压400V，驱动电压-4V/+18V，Rgon=15Ω,Rgoff \mathbf{\bar{\rho}}=10\Omega ，负载电感 200\upmu\up H ，导通电流20A, _{L S}=53n H 注：1）续流管bodydiode;2）时间轴尺度：40ns/div

项目	BASiC	CREE	ST	单位
反向恢复电流峰值Irpeak	-8.74	-8.94	-14.31	A
反向恢复电压尖峰	459	483	471	V
反向恢复电荷量Qrr	0.16	0.17	0.25	μC
反向恢复电流前沿di/dt	1.75	1.68	1.8	kA/μs
反向恢复电压dv/dt	49.09	52.34	36.14	kV/μs

BodyDiode反向恢复波形Tj=125°C

测试条件：母线电压400V，驱动电压-4V/+18V，Rgon=15Q,Rgoff \mathbf{\bar{\rho}}=10\Omega ，负载电感 200\upmu\up H ，导通电流20A, _{L S}=53n H 注：1）续流管bodydiode;2）时间轴尺度：40ns/div

项目	BASiC	CREE	ST	单位
反向恢复电流峰值Irpeak	-14.32	-12.32	-12.63	A
反向恢复电压尖峰	532	488	457	V
反向恢复电荷量Qrr	0.16	0.18	0.17	μC
反向恢复电流前沿di/dt	1.86	1.88	1.82	kA/μs
反向恢复电压dv/dt	49.09	44.25	51.46	kV/μs

B3M040065Z无桥PFC应用仿真

无桥PFC拓扑应用仿真

使用PLECS软件建模

无桥PFC拓扑

红框为温度和损耗监控MOSFET位置

仿真条件

仿真 90°\mathsf{C} 散热器温度下，无桥PFC拓扑中MOSFET的损耗和结温

TO-247与陶瓷片之间有一层导热硅脂；陶瓷片与散热器之间有一层导热硅脂

型号

拓扑

直流母线电压 vdc(v)

交流线电压 Vac(v)

总功率 (kW)

载频 fsw(kHz)

死区时间 (ns)

度(um)

导热硅脂厚氧化铝陶瓷厚度(mm)

硅脂热导率 (W/mk)

Rth(j-c) (K/W)

Rth(j-h) (K/W)

散热器温度(°℃)

B3M040065Z

无桥PFC

400

180/220/264

3.3/3.6

300

100

0.6

0.9879

仿真结果

不同工况下的结温、损耗数据：

型号	交流线电压Vac(V)	总功率(kW)	MOSFET电流Irms(A)	导通损耗(W)	开关损耗(W)	总损耗(W)	最高结温(°℃)
B3M040065Z	180	3.3	12.96	7.57	4.09	11.67	109.93
	220		10.61	4.95	3.45	8.41	103.63
	264		8.84	3.38	3	6.39	100.25
	180	3.6	14.14	9.07	4.43	13.5	112.98
	220		11.57	5.92	3.71	9.63	105.49
	264		9.64	4.03	3.2	7.24	101.85

※此报告为理论仿真结果，仅供参考，实际以客户端台架结温测试结果为准

无桥PFC-3.6kW-220Vac输入输出电压电流仿真波形

输入输出电压电流波形

※此报告为理论仿真结果，仅供参考，实际以客户端台架结温测试结果为准

无桥PFC-3.6kW-B3M040065Z仿真数据

交流线电压 Vac(v)	MOSFET电压电流		总损耗		最高结温
	波形	数值(Arms)	波形	数值(W)	波形	数值(℃)
180		14.14		13.5		112.98





220		11.57				105.49



					9.63

264		9.64	1



				7.24	101.85

※此报告为理论仿真结果，仅供参考，实际以客户端台架结温测试结果为准

650V SiCMOSFET型号

03SiCMOSFET驱动板整体解决方案

基本半导体提供SiCMOSFET驱动板整体解决方案及其零--针对焊机4通道

基本半导体提供SiCMOSFET驱动板整体解决方案及其零件

SiCMOSFET驱动板参考设计

即插即用驱动板型号为BSRD-2423-ES01
两组输入电压，分别是24V和5V
2通道输出，单通道输出功率2W
驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A，无须外置推动级
可支持驱动1200V的功率器件(SiCMOSFET)

基本半导体可单独提供的三款零件

SiCMOSFET驱动板BSRD-2423-ES01所应用到的三款零件为基本半导体自主研发产品，用户可单独使用以下零件进行整体方案的设计。

双通道隔离变压器

基本半导体提供SiCMOSFET驱动板整体解决方案及其零--针对34mm

SiCMOSFET驱动板参考设计

即插即用驱动板型号为BSRD-2427-ES012通道输出，单通道输出功率2W驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A，无须外置推动级可支持驱动1200V的功率器件(SiCMOSFET)

基本半导体可单独提供的三款零件

SiCMOSFET驱动板BSRD-2427-ES01所应用到的三款零件为基本半导体自主研发产品，用户可单独使用以下零件进行整体方案的设计。

BSRD-2427-ES01J顶视图
BSRD-2427-ES01俯视图

隔离驱动专用正激DC-DC芯片BTP1521X

输出功率可达6W
适用于给隔离驱动芯片副边电源供电
正激电路（H桥逆变或推挽逆变）
软启动时间1.5ms
工作频率可编程，最高工作频率可达1.3MHz
VCC供电电压可达24V
VCC欠压保护点4.7V
工作环境 \angle0~125°C
芯片过温保护点1 50°\mathsf C, ，过温恢复点 120°\mathsf C
超小体积封装

管脚示意顶视图

型号：BTP1521F封装：DFN3\*3-8型号：BTP1521P封装：SOP-8

原理框图

BTP1521x应用推荐电路图

DC1和DC2接变压器原边线圈，副边二极管桥式整流，组成开环的全桥拓扑（H桥逆变），输出功率可达6W，输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压，供SiCMOSFET使用，非常适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。

当副边需求功率大于6W时，可以使用推挽逆变拓扑，通过DC1和DC2端控制外接的MOSFET来增加输出功率。

BTP1521推荐电路（功率6W情况下）

BTP1521推荐电路（功率大于6W情况下）

双通道隔离变压器TR-P15DS23-EE13介绍

TR-P15DS23-EE13是驱动器专用的隔离电源变压器，采用EE13骨架，可实现驱动器隔离供电，传输功率可达4W（每通道2W）

原理框图，N1原边线圈，N2和N3是副边线圈

采用EE13磁芯，磁芯材质铁氧体

参数	数值	单位
N1线圈电感量	145	μH
N2线圈电感量	326	μH
N3线圈电感量	326	μH
N1线圈匝数	10	匝
N2和N3线圈匝数	15	匝
N1线圈内径	0.2	mm
N2线圈内径	0.2	mm
N3线圈内径	0.2	mm

BTP1521F搭配隔离变压器TR-P15DS23-EE13典型应用介绍

全桥式拓扑，副边两路输出，单路输出功率可达2W，总输出功率4W
输入电压15V，副边全桥整流输出全电压（ \scriptstyle(\mathsf{V}150-\mathsf{C O M}=23\mathsf{V})
输出全电压通过4.7V的稳压管，将全电压拆分成正电压（ \DeltaV1SO-VS=18V\Omega ），负电压（COM-VS=-4V)
BTP1521F的OSC管脚通过电阻 scriptstyle15=42.2k\Omega 接地，设置工作频率为F=477kHz
工作频率可以通过RF-set电阻设置，本公式提供了RF-set(kQ)和F(kHz)之间的关系（典型值）： F=zu 4k+23

隔离驱动BTD5350MCWR典型应用介绍

原方VCC1供电电压5V

BTD5350XX是电压型输入的容隔驱动，输入IN是高阻抗，如果输入信号PCB布线不合理，容易导致输入信号受到干扰，驱动芯片会误动作，建议在PWM输入接电阻R \boldsymbol{.11=}\boldsymbol{10}\boldsymbol{\ k}\boldsymbol{\Omega} 到地（甚至更低的电阻），目的是使得PWM信号的线路上能产生足够的电流，可以避免芯片输入IN脚受到干扰，同时靠近芯片IN脚接滤波电容 \mathsf{C25{=}}\mathsf{1000}\mathsf{P} 到地

副方电源VISO2接 +18v ，COM2接-4V，G2连接到主功率板上的门极电阻

驱动芯片米勒钳位MC2连接到主功率板上SiCMOSFET门极

当 R3=22\Omega ，上下两通道可以实现互锁模式，当去掉R3，上下通道独立控制，无互锁功能

n4

驱动SiCMOSFET使用米勒钳位功能的必要性

什么是米勒现象

在桥式电路中，功率器件会发生米勒现象，它是指当一个开关管在开通瞬间，使对管的门极电压出现顶起来的趋势

该现象广泛存在于功率器件中，包括IGBT，Si MOSFET，SiCMOSFET;

原理分析：当下管Q2保持关闭，在上管Q1开通瞬间，桥臂中点电压快速上升，桥臂中点dv/dt的水平，取决于上管Q1的开通速度。该dv/dt，会驱动下管Q2的栅漏间的寄生电容 \mathsf{C}_{\mathsf{g d}} 流过米勒电流 \boldsymbol{|}_{\mathsf{q d}};\mathsf{I}_{\mathsf{q d}}{=}\mathsf{C}_{\mathsf{q d}}{}^{\star} （dv/dt），dv/dt越大,米勒电流 \boldsymbol{\mathsf{I}}_{\mathsf{g d}} 越大

米勒电流 \boldsymbol{\mathsf{I}}_{\mathsf{g d}} （红色线）的路径： \mathsf{C}_{\mathsf{g d}}{\to}\mathsf{R}_{\mathsf{g o f f}}{\to}\mathsf{T}4\to 负电源轨，产生左负右正的电压

Vas=la\*Rgor+负电源轨，这个电压叠加在功率器件门极，Vgs会被抬高，当门极电压超过 \mathsf{V}_{\mathsf{g s t h}} ，将会使Q1出现误开通，从而造成直通现象

如何反制米勒现象

使用门极电压的负压进行负偏置，使负压足够“负”
提高器件的门极的门槛电压（设计选型时选高Vgsth的器件）
\mathsf{R}_{\mathsf{q o f f}} 数值减小（ {\sf R}_{\sf90f f} 是米勒现象影响程度的主要贡献者之一，数值越大，米
勒现象越糟糕）
减慢功率器件的开通速度，即增大Rgon
使用米勒钳位功能

对比IGBT与SiCMOSFET对于米勒钳位功能的需求

参数和性能	IGBT	SiCMOSFET 单位	说明
门极负压极限值VGs-	-25 -8	V	1:IGBT门极对驱动负压的忍耐能力明显优于SiCMOSFET 2:SiCMOSFET的实战的驱动负压通常在-2~-4V的水平 3:IGBT的驱动负压通常在-8~-15V，腾挪空间明显多于SiCMOSFET
开启电压Vgs(th)	5.5	1.8~2.7	V 1:SiCMOSFET开启电压低，容易误开通 2:SiC MOSFET的Vgs(th)随着T温度上升而下降，在高温时，更容易误开通
开关速度	100	200 %	米勒电流lgd=Cgd*（dv/dt），dv/dt越大，lgd越大，越容易误开通

驱动方案

驱动IGBT通常不需要使用米勒钳位功能

驱动芯片的米勒钳位脚（Clamp）直接连接到SiCMOSFET的门极，米勒电流lgd（红色线）会流经Cgd \rightarrow T5到负电源轨，形成了一条阻抗更低的门极电荷泄放回路。

驱动SiCMOSFET建议使用米勒钳位功能

驱动芯片内部比较器的翻转电压阀值2V（相对芯片地），在SiCMOSFET关断期间，当门极电压低于2V时，比较器输出从低电平翻转到高电平，MOSFET（T5)被打开，使得门极以更低阻抗拉到负电源轨，从而保证SiCMOSFET负电压被更有效关断，达到抑制误开通的效果。

米勒钳位作用//双脉冲平台测试

双脉冲原理图

上管(T)作为开关管接收脉冲PWM信号，下管(DUT)处于关断状态，体二管续流由于米勒现象，在上管(T)开通时，下管(DUT)门极电压会产生波动因此通过观察下管（DUT)门极电压来判断米勒钳位功能的作用

米勒钳位功能原理图

米勒钳位作用//双脉冲平台实测对比

测试条件：上管 V_{\mathsf{G S}}{=}0\mathsf{V}/{+}78\mathsf{V}. ，下管 V_{G S}=0V · \mathsf{V}_{\mathsf{D}\mathsf{S}}{=}800\mathsf{V} \mathsf{I}_{\mathsf{D}}{=}40\mathsf{A} \mathsf{R g}=8.2\Omega ;Lload=200uH; T a=25°C

无米勒钳位
有米勒钳位

结论		无米勒钳位	有米勒钳位	单位
	dv/dt	14.51	14.76	kV/us
	di/dt	2.24	2.24	kA/us
	下管VGs	7.3	2	V

米勒钳位作用//双脉冲平台实测对比

测试条件：上管 V_{G S}=-4V/+78V ，下管 V_{G S}=-4V · \mathsf{V}_{\mathsf{D}\mathsf{S}}{=}800\mathsf{V} \mathsf{I}_{\mathsf{D}}{=}40\mathsf{A} ： \mathsf{R g}=8.2\Omega .： \mathsf{L}_{\mathsf{l o a d}}{=}20\mathsf{u H} ： \mathtt{T a}=25°C

有米勒钳位

无米勒钳位

结论		无米勒钳位	有米勒钳位	单位
	dv/dt	14.51	14.76	kV/us
	di/dt	2.24	2.24	kA/us
	下管VGs	2.8	0	V

单通道带米勒钳位隔离驱动BTD5350Mx

产品特性

专为SiCMOSFET驱动的门极驱动芯片
副方驱动器带米勒钳位功能脚clampBTD5350M
驱动器输出峰值电流可达10A
驱动器电源全电压高达33V

典型应用

型号：BTD5350M

工业电源
锂电池化成设备
商业空调
通信电源
光伏储能一体机
焊机电源

副方驱动器电源欠压保护点	封装
8V	SOW-18(宽体)
11V	SOP-8(窄体)

拓展型号：BTD5350S开通和关断分开

拓展型号：BTD5350E副边正电压UVLO

双通道带米勒钳位隔离驱动BTD25350XX （创新产品）

产品特性

专门给SiCMOSFET驱动的门极驱动芯片
原方带使能禁用脚DIS，死区时间设置脚DT
副方驱动器带米勒钳位功能脚clamp
驱动器输出峰值电压可达10A
驱动器电源全电压高达33V
原副方封装爬电间距大于 8.5\mathsf{mm} ，绝缘电压可以5000Vrms
副方两驱动器爬电间距大于3mm

应用方向

充电桩中后级LLC用SiCMOSFET方案光伏储能BUCK-BOOST中SiCMOSFET方案高频APF，用两电平的三相全桥SiCMOSFET方案空调压缩机三相全桥SiCMOSFET方案焊机电源全桥拓扑SiCMOSFET方案服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案

副方驱动器电源欠压保护点	封装
8V	SOW-18(宽体)
11V	SOW-18(宽体)

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驱动SiCMOSFET使用米勒钳位功能的必要性

什么是米勒现象

如何反制米勒现象

对比IGBT与SiCMOSFET对于米勒钳位功能的需求

驱动方案

驱动IGBT通常不需要使用米勒钳位功能

米勒钳位作用//双脉冲平台测试

米勒钳位作用//双脉冲平台实测对比

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单通道带米勒钳位隔离驱动BTD5350Mx

产品特性

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双通道带米勒钳位隔离驱动BTD25350XX （创新产品）

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