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特点
• 工作电压 2.4-5.5V
• 待机电流6uA/3.0V,12uA/5V
• 上电复位功能（POR）
• 低压复位功能（LVR）
• 触摸输出响应时间：
工作模式 48mS
待机模式160mS
• CMOS输出，低电平有效，支持多键
• 有效键最长输出16S
• 无触摸4S自动校准
• 专用脚接对地电容调节灵敏度(1-47nF）
• 各触摸通道单独接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）.
• 上电0.25S内为稳定时间，禁止触摸.
• 封装
ESSOP10L(4.9mm x 3.9mm PP=1.00mm)
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VK36E4
4通道触摸 1对1输出低电平有效
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VK36E4具有4个触摸按键，可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较
高的集成度，仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。
提供了4路直接输出功能。芯片内部采用特殊的集成电路，具有高电源电压抑制比，可
减少按键检测错误的发生，此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。
此触摸芯片具有自动校准功能，低待机电流，抗电压波动等特性，为各种触摸按键+IO
输出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。
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1 概述
VK36E4
4通道触摸 1对1输出低电平有效
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ESSOP10L
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2 管脚定义
2.1 VK36E4 ESSOP10L管脚图
Top View
TP0
TP1 TP2
TP3
CS
VDD
Q2 Q3
Q1
Q0 GND
1
2
3
4
5 6
7
8
9
10
VK36E4
4通道触摸 1对1输出低电平有效
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2.2 VK36E4 ESSOP10L管脚列表
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脚位
1
管脚名称 输入/输出 功能描述
2
输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏
Q2
3
输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏
Q1
4
触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏
Q0
5 TP1
6
电源正 电源正
TP2
7 输入
8 CS
9
TP3
TP0 输入 触摸输入，接对地小电容微调灵敏度（1-50pf），不接最灵敏
10 Q3 输出
0 GND 电源负 电源负
触摸输出，低有效
VDD
VK36E4
4通道触摸 1对1输出低电平有效
输入 灵敏度调节，接对地电容(1-47nF)
输出 触摸输出，低有效
输出 触摸输出，低有效
输出 触摸输出，低有效
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3 功能说明
3.1 功能框图
TP0
TP1
TP2
输出控制
触摸
检测
CS 电容
采样
系统震荡器
时序控制
触摸
信号处理
Q0
Q1
Q2
VDD
VSS
上电后4S内每隔64mS刷新1次参考值。有触摸不刷新，无触摸4S后每隔1S刷新1次参考值。
3.2 自动校准
VK36E4输出为 CMOS 直接输出(Q0~Q3），低电平有效，支持多键输出。
长按16S芯片复位，输出恢复上电状态。
3.3 输出模式
Q
P
N
电源管理
POR/LVR
Q3
TP3
VK36E4
4通道触摸 1对1输出低电平有效
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Touch
TPx
Qx
~128ms ~16ms
触摸 ~128ms ~16ms
触摸 离开
约4 秒 ~128ms
Qx 输出
离开
3.5 灵敏度调整
VK36E4的灵敏度和触摸PAD大小，外壳厚度，灵敏度电容大小等都有关系，要根据产品的
实际应用来调整灵敏度。可以从以下4个方面来调整灵敏度：
I. 触摸PAD的面积
其它条件不变，触摸面积越大越灵敏，但面积必需在有效面积内。
II. 外壳的厚度
其它条件不变，外壳越薄灵敏度越高，外壳越厚灵敏度越低，但厚度不能超过限制最大值。
III.调整CS脚对地电容值
CS调整整体灵敏度，越大越灵敏，常用值1-47nF,一些特殊应用也有超过200nF的。
IV.调整触摸脚对地小电容
触摸脚对地小电容微调灵敏度，越大灵敏度越低，不接电容最灵敏，常用值1-50pF,
3.4 工作模式
VK36E4芯片具有两种工作模式，待机模式和正常模式。键被触摸，切换到正常模式。无键
触摸4S自动进入待机模式以减少功耗。VDD=5V 时Qx 输出响应在待机模式约160 毫秒，在工作模
式约 48 毫秒。
外壳厚度 （亚克力或玻璃） CS电值（仅供参考）
小于3mm 6.8nF/25V
3-6mm 10nF/25V
6-10mm 22nF/25V
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4 参考电路
1K
1K
C0
C3
R0
R3
VDD
VDD
10uF
Q0
Touch Key TP0
VSS
Touch Key TP3
Q3
CS
10nF
0.1uF
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特 性 符 号 极 限 值 单 位
电源电压 VDD -0.3～6.0 V
输入电压 VIN VSS-0.3～VDD+0.3 V
存贮温度 TSTG -50～+125 ℃
工作温度 TOTG -40～+85 ℃
5.2 直流参数
名称 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件（25 ℃）
VDD 条件
工作电压 VDD 2.4 3.0 5.5 V — —
工作电流 IOP
— 20 40
A
3.0V
CS=10nF
— 30 60 5.0V
IST
— 6 12
A
3.0V
待机电流 — 12 24 5.0V
输出灌电流 IIL
3.0V
VOL=0.5V 5.0V
输出源电流 IOL
3.0V VOH=2.8V
5.0V VOH=4.5V
VIL — — 0.2 VDD VDD 输入低电压
VIH 0.8 — 1 VDD 输入高电压
输出响应时间 TR
— 45 — mS
3.0V 工作模式
— 48 — 5.0V 工作模式
— 150 — mS
3.0V 待机模式
— 160 — 5.0V 待机模式
5 电气特性
5.1 极限参数
静电(HBM) ESD ≧4 KV
CS=10nF
—
—
—
—
10
14
-6
-9
mA
mA
输入低电压
输入高电压 VDD
—
—
—
—
VK36E4
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6 封装信息
6.1 ESSOP10L(4.9mm x 3.9mm PP=1.00mm)：
MILLIMETER
SYMBOL
MIN NOM MAX
A 1.50 1.60 1.70
A1 0.02 0.08
b 0. 30 0.40 0.45
b1 0.28 0.38 0.42
c
4.80 4.90 5.00
c1
D
E
E1
e 1.00BSC
h
L
L1
0. 18 0.20 0.22
0.13 0.15 0.18
3.80 3.90 4.00
5.80 6.00 6.20
0.10 -- 0.25
0.50 -- 0.80
1.05REF
E E1
b
D
e
A
1 5
10 6
A1
h
--
VK36E4
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1 1.0 2018-08-10 原始版本
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