高功率微波放大器 索引手册
产品简介
迈可博专注于研发生产各种不同输出功率等级的高功率微波放大器和发射机。产品采用宽带高效率、宽带高线性匹配等工程设计技术,结合可靠的射频微波生产工艺和标准化流程管理,具有良好的射频性能及优异的可靠性和一致性,频率覆盖1.5MHz-40GHz,功率可达千瓦级,良好的人机交互界面及远程控制接口支持各种不同测试方案,适用于无线通信、测试测量、电子对抗和EMC测试等应用领域。
公司积极发展完善成熟、高效的研发生产和质量管理体系,不断提高迈可博放大器的综合实力、市场竞争力,立足于为市场提供具备先进性能、系统化、通用化、小型化的方案。
超宽带,多倍频程,覆盖通讯多频段应用
专有高效率、高线性设计技术,适应宽带调制信号
完善的保护功能、过激励、电源保护、过温及负载失配保护
可定制ALC、增益控制等功能
模块化设计,小尺寸、重量轻,可实现故障隔离
频段、输出功率可定制,交付快捷
目录 CONTENTS
一、宽带高功率模块放大器
0.03-0.512GHz 100W MPA-003052MS50 03
0.03-2GHz 5W MPA-003200MS37 04
0.38-2GHz 50W MPA-003020S47 05
0.7-2.7GHz 100W MPA-007027S50 06
1-6GHz 50W MPA-010060S47 07
1-6GHz 100W MPA-010060S50 08
1.7-6GHz 100W MPA-017060S50 09
2-6GHz 100W MPA-020060S50 10
2-18GHz 1 5W MPA-020180S37 11
2-18GHz 10W MPA-020180S40 12
2-18GHz 15W MPA-020180S42 13
6-18GHz 10W MPA-060180S40 14
18-40GHz 5W MPA-180400S37 15
26.5-40GHz 10W MPA-265400S40 16
二、宽带高功率机箱式放大器
0.5-6GHz 50W MPAR-005060S47 17
0.5-6GHz 100W MPAR-005060S50 18
0.7-2.7GHz 50W MPAR-007027S47 19
0.7-2.7GHz 100W MPAR-007027S50 20
1\~6GHz 100W MPAR-010060S50 21
1.7-6GHz 40W MPAR-017060S46 22
1.7-6GHz 100W MPAR-017060S50 23
1.7-6GHz 200W MPAR-017060S53 24
2-6GHz 100W MPAR-020060S50 25
2-6GHz 250W MPAR-020060S53 26
2-8GHz 50W MPAR-020080S47 27
2-18GHz 35W MPAR-020180S45 28
6-18GHz 20W MPAR-060180S43 29
6-18GHz 50W MPAR-060180S47 30
6-18GHz 100W MPAR-060180S50 31
26.5-40GHz 20W MPAR-265400S42 32
MPA-003052MS50是一款0.03-0.512GHz,饱和功率 \ge50 dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
无线电调频、电视和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
高效率,AB类设计 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.03 | 0.512 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 50 | 51 | dBm | |
| P1dB | 48 | 49 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 50 | 51 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1.5 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 55 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2.5 | dB | ||
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=50dBm | 二 | -15 | -10 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=50dBm | 二 | -15 | -10 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=50dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间 @ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | - | 350 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=50dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥40dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头[F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸(mm) | 240×240×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 4000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-003200MS37是一款0.03-2GHz,饱和功率≥37dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
无线电调频、电视、5G、LTE 和其它相关系统的模块测试及 EMC 测试等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.03 | 2 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 37 | 38 | dBm | |
| P1dB | 34 | 36 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 37 | 38 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1.5 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 40 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2.5 | dB | ||
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=37dBm | 二 | -15 | -10 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=37dBm | 二 | -15 | -10 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=37dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间 @ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | - | 50 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=37dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥27dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头[M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸 (mm) | 170×165×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 2000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°C |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-003020S47是一款0.38-2GHz,饱和功率≥47dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
宽带通讯、测试测量、电子对抗。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 低谐波和良好增益平坦度 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.38 | 2 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 47 | 48 | dBm | |
| P1dB | 45 | 46 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 47 | 48 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 53 | dB | |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2 | 二 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 0 | dBm | ||
| 二次谐波抑制@ Pout=47dBm | - | -25 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=47dBm | 二 | -25 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=47dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | 200 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥37dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头[F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸 (mm) | 170×165×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 2000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-007027S50是一款 0.7{-}2.7\mathsf{G H z} ,饱和功率≥49dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、测试、EMC、电子对抗和GPS。
主要特性:
高效率,AB类设计 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号体积小、重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.7 | 2.7 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 49 | 50 | 二 | dBm |
| P1dB | 46.5 | 47.5 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 50 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1.3 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 55 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±1.5 | 二 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=49dBm | - | -20 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=49dBm | -20 | -15 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=49dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 350 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=49dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸(mm) | 180×140×25 [LxWxH](公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 1800 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-010060S47是一款1-6GHz,饱和功率≥47dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试、EMC、电子对抗等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于AM & FM信号内置控制、检测和保护电路 体积小、重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 47 | 49 | 二 | dBm |
| P1dB | 40 | 43 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 47 | 49 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±2 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 64 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | -3 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=47dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 三次谐波抑制@ Pout=47dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=47dBm | -70 | -60 | dBc | |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | 二 | us | |
| 供电电压 | 28 | V | ||
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 300 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) | |功放掉电(VSWR≥3:1,Pout≥47dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸 (mm) | 170×165×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 1500 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-010060S50是一款1-6GHz,饱和功率≥50dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试、EMC、电子对抗等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小、重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 50 | 51 | dBm | |
| P1dB | 46 | 49 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 50 | 51 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±2 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 55 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2.5 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=50dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=50dBm | 二 | -20 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=50dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 500 | - | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm(无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1(Pout=50dBm)|功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥40dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头[M] |
| 外形尺寸(mm) | 240×240×25[LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 4000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10℃~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-017060S50是一款1.7-6GHz,饱和功率≥50dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试、EMC、电子对抗等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 低谐波和良好增益平坦度 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1.7 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 50 | 50.8 | dBm | |
| P1dB | 46 | 48.5 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 50 | 50.8 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.3 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 55 | 二 | dB | |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2.5 | dB | ||
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 0 | 二 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=50dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 三次谐波抑制@ Pout=50dBm | -25 | -15 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=50dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 400 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=50dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥40dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头[F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸(mm) | 240×240×25 [LxWxH] (公差±0.5] |
| 重量(g)Max. | 4000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°C |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标1 | N/A |
MPA-020060S50是一款2-6GHz,饱和功率≥50dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试、EMC、电子对抗等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小、重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 49 | 50 | dBm | |
| P1dB | 45 | 48 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 50 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.3 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 55 | 二 | dB | |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2.5 | dB | ||
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=49dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=49dBm | 二 | -20 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=49dBm | -70 | -65 | dBc | |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 二 | 28 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 400 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=49dBm)|功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸 (mm) 重量(g)Max. | 240×240×25[LxWxH] (公差±0.5) |
| 4000 | |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-020180S37是一款 2-18GHz,饱和功率≥37dBm 高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
雷达、通信、EMC 测试等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 低谐波和良好增益平坦度 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 37 | 38 | dBm | |
| P1dB | 34 | 36 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 37 | 38 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±2 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 40 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2.5 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=37dBm | - | -25 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=37dBm | 二 | -25 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=37dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 50 | - | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=37dBm)| 功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥27dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸 (mm) 重量(g)Max. | 100×100×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 700 | |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10℃~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-020180S40是一款2-18GHz,饱和功率≥40dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
测试、测量系统、EMC、电子对抗。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 低谐波和良好增益平坦度 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 40 | 41.8 | dBm | |
| P1dB | 36 | 38 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 40 | 41.8 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.5 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 45 | dB | |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | 二 | ±2.5 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=40dBm | - | -25 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=40dBm | 二 | -25 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=40dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 二 | 28 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 200 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=40dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥30dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头[F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸(mm) | 170×165×25[LxWxH](公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 2000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10℃~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-020180S42是一款2-18GHz,饱和功率≥41dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
测试、测量系统、EMC、电子对抗。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 低谐波和良好增益平坦度 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 41 | 42 | dBm | |
| P1dB | 36 | 39 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 41 | 42 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±2 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 60 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | 二 | ±2 | dB | |
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=42dBm | - | -25 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=42dBm | 二 | -25 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=42dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 二 | 28 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 200 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=41dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥32dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 9Pin |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸(mm) | 158×109×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 1100 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-060180S40是一款6-18GHz,饱和功率≥40dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
雷达、通信、EMC 测试等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 低谐波和良好增益平坦度 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 6 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 40 | 41 | dBm | |
| P1dB | 35 | 37 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 40 | 41 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.5 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 45 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=40dBm | - | -25 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=40dBm | 二 | -25 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=40dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 28 | V | ||
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 100 | - | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=40dBm) | 」功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥30dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | SMA 母头 [F] |
| 射频输出接口 | SMA 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸 (mm) | 170×165×25[LxWxH](公差±0.5) |
| 重 量(g)Max. | 2000 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10℃~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-180400S37是一款18-40GHz,饱和功率≥37dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
雷达、5G、仪器仪表等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 18 | 40 | GHz | |
| 饱和输出功率@Pin=0dBm | 37 | 38 | 二 | dBm |
| P1dB | 33 | 35 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 37 | 38 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.5 | 二 | dB |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 45 | dB | |
| 小信号增益平坦度@Pin=-30dBm | 二 | ±3 | 二 | dB |
| 关断隔离度 | - | 90 | 二 | dB |
| 输入功率 | 0 | - | dBm | |
| 杂散抑制@Pin=37dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 2 | 2.5 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 二 | 2 | us | |
| 供电电压 | 28 | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | 70 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | ||
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=37dBm) | 」功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥27dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | ||
| 射频输入接口 射频输出接口 | 2.92mm 母头 [F] |
| 2.92mm 母头[F] | |
| 供电接口 | J30J-9ZKP |
| 控制接口 | J30J-9ZKP |
| 外形尺寸 (mm) | 120×80×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量(g)Max. | 700 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°℃~+55°℃;存储:-40°℃~+75℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPA-265400S40是一款26.5-40GHz,饱和功率 >=40 dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
雷达、5G、仪器仪表等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 26.5 | 40 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 40 | 41 | dBm | |
| P1dB | 35 | 37 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 40 | 41 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±2.5 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 45 | 二 | dB | |
| 小信号增益平坦度@Pin=-30dBm | ±3 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 杂散抑制@Pin=40dBm | -70 | -65 | dBc | |
| 输入驻波比 | 二 | 2 | 2.5 | :1 |
| 开关时间@ 1kHz TTL, Pin=0dBm | 2 | us | ||
| 供电电压 | 二 | 28 | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | - | 150 | - | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=40dBm) | 」功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥30dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | 2.92mm 母头 [F] |
| 射频输出接口 | 2.92mm 母头[F] |
| 供电接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 控制接口 | D-Sub 7W2 公头 [M] |
| 外形尺寸(mm) | 100×100×25 [LxWxH] (公差±0.5) |
| 重量 (g)Max. | 700 |
| 表面处理 | 本色导电氧化 |
| 温度指标 | 工作:-10°℃~+55°℃;存储:-40°℃~+75℃ |
| 散热模式 | 外部风冷 (需根据产品温度选择相应的散热条件) |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-005060S47是一款0.5-6GHz,饱和功率≥47dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.5 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 47 | 48 | dBm | |
| P1dB | 41 | 45 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 47 | 48 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±2 | 二 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 58 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±3 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=47dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=47dBm | -25 | -15 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=47dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 二 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | 400 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥37dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) 重 量(kg)Max. | 19 英寸机箱,高度3U |
| 20 | |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-005060S50是一款0.5-6GHz,饱和功率≥50dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 可应用于连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.5 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 49 | 51 | dBm | |
| P1dB | 44 | 47 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 51 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±2.5 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 64 | dB | |
| 小信号增益平坦度@Pin=-30dBm | 二 | ±3.5 | dB | |
| 关断隔离度 | 二 | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=50dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 三次谐波抑制@ Pout=50dBm | 二 | -25 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=50dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | - | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | 二 | 500 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm(无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1(Pout=49dBm)1 功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) | |
| 过热降级 | 75°C | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸(mm) | 19 英寸机箱,高度 3U |
| 重量(kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-007027S47是一款 0.7{-}2.7\mathsf{G H z} ,饱和功率≥47dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.7 | 2.7 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 47 | 48 | dBm | |
| P1dB | 44.5 | 46 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 47 | 48 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 50 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | 二 | ±2 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=47dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=47dBm | 二 | -30 | -20 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=47dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 供电电压 | 二 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | 二 | 240 | 二 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) | 」功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥37dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度3U |
| 重 量 (kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10C~+55°℃;存储:-30°C~+70°C |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-007027S50是一款 0.7{-}2.7\mathsf{G H z} ,饱和功率≥49dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 0.7 | 2.7 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 49 | 50 | 二 | dBm |
| P1dB | 47.5 | 48.5 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 50 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.3 | 二 | dB |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 55 | 二 | dB | |
| 小信号增益平坦度@Pin=-30dBm | 二 | ±1.5 | 二 | dB |
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=49dBm | -20 | -15 | dBc | |
| 三次谐波抑制@ Pout=49dBm | 二 | -30 | -20 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=49dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 供电电压 | 二 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | 二 | 450 | 二 | W |
最大限制
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=49dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) |
| 过热降级 | 75℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度3U |
| 重量 (kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10℃~+55°℃;存储:-40℃~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-010060S50是一款1-6GHz,饱和功率≥48dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小、重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 48 | 50 | dBm | |
| P1dB | 44 | 46 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 48 | 50 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±2 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 54 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±3 | 二 | dB | |
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=48dBm | -15 | -10 | dBc | |
| 三次谐波抑制@Pout=48dBm | -25 | -15 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=48dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | - | 1.5 | 2 | :1 |
| 供电电压 | - | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | 550 | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=48dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥38dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N母头[F] |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度3U |
| 重量 (kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°℃;存储:-40°C~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-017060S46是一款1.7-6GHz,饱和功率>46dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1.7 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 46 | 47 | dBm | |
| P1dB | 44 | 44.8 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 46 | 47 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.3 | 二 | dB |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 55 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@Pin=-30dBm | 二 | ±1.5 | dB | |
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=46dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@Pout=46dBm | -30 | -15 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=46dBm | - | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | - | 300 | W |
| 输入功率 负载驻波比 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| VSWR≤3:1 (Pout=46dBm) | 」功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥36dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头[F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸(mm) | 19 英寸机箱,高度3U |
| 重量 (kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-017060S50 是一款1.7-6GHz,饱和功率≥49dBm 高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
适合多载波、多模式应用 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1.7 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 49 | 50 | dBm | |
| P1dB | 46 | 47 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 50 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±2 | 二 | dB |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 60 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±3 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 0 | dBm | ||
| 二次谐波抑制@ Pout=49dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@Pout=49dBm | -25 | -18 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=49dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | 450 | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=49dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸(mm) | 19 英寸机箱,高度 3U |
| 重量 (kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°C |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-017060S53是一款1.7-6GHz,饱和功率≥53dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
适合多载波、多模式应用 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 1.7 | 二 | 6 | GHz |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 53 | 54 | 二 | dBm |
| P1dB | 49 | 51 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 53 | 54 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±2 | 二 | dB | |
| 小信号增益@Pin=-30dBm | 二 | 63 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±3 | 二 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 0 | 二 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=53dBm | - | -20 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@Pout=53dBm | - | -30 | -20 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=53dBm | -70 | -65 | dBc | |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | V | ||
| 功耗@ Pin=0dBm | - | 1500 | 二 | W |
| 输入功率 负载驻波比 | Pins10dBm(无损坏电平) | |
| VSWR≤3:1(Pout=53dBm)| 功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥43dBm) | ||
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度 5U |
| 重量 (kg)Max. | 30 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°℃;存储:-40°℃~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-020060S50是一款2-6GHz,饱和功率≥49dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=OdBm | 49 | 50 | dBm | |
| P1dB | 46 | 47 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 50 | 二 | dB |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.3 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 53 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2 | dB | ||
| 关断隔离度 | 二 | 90 | dB | |
| 输入功率 | 0 | 二 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=49dBm | 二 | -20 | -13 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=49dBm | 二 | -25 | -20 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=49dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | 二 | 450 | 二 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm(无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1(Pout=49dBm)|功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸(mm) | 19 英寸机箱,高度3U |
| 重量(kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°℃~+55°℃;存储:40°℃~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-020060S53是一款2-6GHz,饱和功率≥53dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 ALC、MGC功能可选 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 6 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 53 | 54 | dBm | |
| P1dB | 50 | 51 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 53 | 54 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.3 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 55 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 0 | 二 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=53dBm | - | -20 | -15 | dBc |
| 三次谐波抑制@Pout=53dBm | -25 | -20 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=53dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 二 | 1.5 | 2 | :1 |
| 供电电压 | 二 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V |
| 功耗@ Pin=0dBm | 1200 | W |
| 输入功率 | Pins10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1(Pout=53dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥43dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度 5U |
| 重 量 (kg)Max. | 30 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-020080S47是一款2-8GHz,饱和功率 \mathtt{\ge46.5} dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G、LTE、WIFI和其它相关系统的模块测试及EMC测试等领域。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于调制信号测试低谐波和良好增益平坦度 内置控制、检测和保护电路 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 8 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 46.5 | 48.5 | dBm | |
| P1dB | 41 | 45 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 46.5 | 48.5 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.5 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 60 | dB | |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±2 | dB | ||
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 0 | dBm | ||
| 二次谐波抑制@ Pout=46.5dBm | -25 | -15 | dBc | |
| 三次谐波抑制@Pout=46.5dBm | -25 | -15 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=46.5dBm | -70 | -65 | dBc | |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | V | ||
| 功耗@ Pin=0dBm | 500 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=47dBm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥37dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) 重量 (kg)Max. | 19 英寸机箱,高度 3U |
| 20 | |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-020180S45是一款2-18GHz,饱和功率 \mathtt{\ge44.50d B m} 高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
宽带测试系统、EMC。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小,重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 2 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 44.5 | 45.5 | 二 | dBm |
| P1dB | 40 | 43 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 44.5 | 45.5 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1.5 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 50 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@Pin=-30dBm | 二 | ±3 | dB | |
| 关断隔离度 | 90 | dB | ||
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=44.5dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 三次谐波抑制@ Pout=44.5dBm | 二 | -20 | -15 | dBc |
| 杂散抑制@ Pout=44.5dBm | -70 | -65 | dBc | |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | V | ||
| 功耗@ Pin=0dBm | 600 | 二 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=45Bm) | 1功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥35dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头[F] |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸(mm) | 19 英寸机箱,高度5U |
| 重量 (kg)Max. | 30 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°℃;存储:-40°C~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标1 | N/A |
MPAR-060180S43是一款6-18GHz,饱和功率≥43dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:测试测量、EMC。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小,重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 6 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 43 | 45 | dBm | |
| P1dB | 38 | 42 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 43 | 45 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1.5 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 55 | - | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | 二 | ±3 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 二 | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=43dBm | - | -20 | -12 | dBc |
| 三次谐波抑制@ Pout=43dBm | -30 | -12 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=43dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | - | 1.5 | 2 | :1 |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | 500 | 二 | W |
最大限制
| 输入功率 负载驻波比 | Pins10dBm(无损坏电平) | |
| VSWR≤3:1 (Pout=43Bm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥33dBm) | |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度 3U |
| 重量 (kg)Max. | 20 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°℃~+55°℃;存储:-40°℃~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-060180S47是一款6-18GHz,饱和功率≥47dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:测试测量、EMC。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小,重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 6 | - | 18 | GHz |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 47 | 48.5 | dBm | |
| P1dB | 42 | 44 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 47 | 48.5 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | 二 | ±1.5 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 58 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±3 | dB | ||
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | - | 0 | dBm | |
| 二次谐波抑制@ Pout=47dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 三次谐波抑制@ Pout=47dBm | -30 | -12 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=47dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 800 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=47Bm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥37dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度5U |
| 重量(kg)Max. | 30 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°℃;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-060180S50是一款6-18GHz,饱和功率≥49dBm高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:测试测量、EMC。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 高线性、高效率 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小,重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 6 | 18 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=0dBm | 49 | 50 | dBm | |
| P1dB | 44 | 46 | dBm | |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 49 | 50 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±1.5 | dB | ||
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 二 | 58 | 二 | dB |
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±3 | 二 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | - | 0 | 二 | dBm |
| 二次谐波抑制@ Pout=49dBm | -20 | -12 | dBc | |
| 三次谐波抑制@Pout=49dBm | -30 | -12 | dBc | |
| 杂散抑制@ Pout=49dBm | 二 | -70 | -65 | dBc |
| 输入驻波比 | 1.5 | 2 | :1 | |
| 供电电压 | 110-240 (47-61Hz/单相) | 二 | V | |
| 功耗@ Pin=0dBm | - | 1600 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=49Bm) | |功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥39dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 射频输出接口 | TYPE N 母头 [F] |
| 供电接口 | 3端A/C电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度 5U |
| 重 量 (kg)Max. | 30 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°C~+75°℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
MPAR-265400S42是一款 26.5-40GHz,饱和功率 >=42{\mathsf{d B m}} 高增益固态功率放大器,采用先进的GaN器件,具有较高的饱和功率输出同时兼具高P1dB输出功率和较好的线性特点,能够适应连续波、脉冲、宽瞬时带宽信号、高阶调制信号等多种不同信号模式。
主要应用:
5G及毫米波测试系统。
主要特性:
固态AB类偏置,宽带设计 适用于调制信号测试 适用于连续波和脉冲应用内置控制、检测和保护电路 体积小,重量轻 高可靠性、坚固耐用
| 指标参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 工作频率 | 26.5 | 40 | GHz | |
| 饱和输出功率@ Pin=OdBm | 42 | 43 | dBm | |
| P1dB | 37 | 40 | 二 | dBm |
| 功率增益@ Pin=0dBm | 42 | 43 | dB | |
| 增益平坦度@ Pin=0dBm | ±3.5 | 二 | dB | |
| 小信号增益@ Pin=-30dBm | 48 | dB | ||
| 小信号增益平坦度@ Pin=-30dBm | ±4.5 | 二 | dB | |
| 关断隔离度 | - | 90 | dB | |
| 输入功率 | 0 | - | dBm | |
| 杂散抑制@ Pout=42dBm | -70 | -65 | dBc | |
| 输入驻波比 | 2 | 2.5 | :1 | |
| 供电电压 | - | 110-240 (47-61Hz/单相) | V | |
| 功耗@ Pin=OdBm | - | 450 | W |
| 输入功率 | Pin≤10dBm (无损坏电平) | |
| 负载驻波比 | VSWR≤3:1 (Pout=42Bm) | 」功放掉电(VSWR≥5:1,Pout≥32dBm) |
| 过热降级 | 75°℃ | |
| 射频输入接口 | 2.92mm 母头 [F] |
| 射频输出接口 | WR-28波导 |
| 供电接口 | 3 端A/C 电源输入(IEC320-C14,带保险丝) |
| 控制接口 | D-Sub 9Pin |
| 外形尺寸 (mm) | 19 英寸机箱,高度 4U |
| 重 量 (kg)Max. | 25 |
| 表面处理 | 喷塑 |
| 温度指标 | 工作:-10°C~+55°C;存储:-40°℃~+75℃ |
| 散热模式 | 内部风冷 |
| 环境指标 | N/A |
全国销售服务网络




