MOSFET/中低压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
��V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity
V I V Q Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) G =��V R VGS DS(ON) DS(ON) @ =�.�V
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N
CRSM���N��N
CRSM���N��N
CRSM���N��N
TO-���
DFN�*�
DFN�*�
DFN�*�
N
N
N
N
��
��
��
��
���
��
��
��
�.�
�.�
�.�
�.�
�
�.�
�.�
�.�
-
-
-
-
-
-
-
-
�
�
�
�
�
�
�
�
��.�
��.�
��.�
��.�
����
����
����
����
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRST���N��N� TO-��� N �� ��� � � � � ��.� ����.�
CRSS���N��N� TO-��� N �� ��� �.� �.� � � ��.� ����.�
CRSM���N��N� PDFN�X� N �� �� �.� �.� � � ��.� ����
CRSS���N��N� TO-���(或D�PAK) N �� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRST���N��N� TO-��� N �� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRST���N��N� TO-��� N �� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRSS���N��N� TO-���(或D�PAK) N �� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRSD���N��N� TO-���(或DPAK) N �� �� �.� �.� � � ��.� ����
CRST���N��N� TO-��� N �� ��� �.� �.� � � �� ����
CRSS���N��N� TO-���(或D�PAK) N �� ��� �.� �.� � � �� ����
CRST���N��N�Z TO-��� N �� ��� �.� �.� � � ���.� �����
CRSS���N��N�Z TO-���(或D�PAK) N �� ��� �.� � � � ���.� �����
CRSZ���N��NZ TOLL N �� ��� �.� � � � ��� �����
CRSM���N��N� PDFN�� N �� �� �.� �.� - - �.� �.� �� ����
CRSM���N��N� PDFN�� N �� ��� �.� �.� �.� �.� �� ����
CRSZ���N��N�Z TOLL N �� ��� �.�� �.� - - �.� �.� ��� �����
CRSZ���N��N�Z TOLL N �� ��� �.� �.� - - �.� �.� ��� �����
CRSM���N��N�Z PDFN�� N �� �� �.� �.� �.� �.� �� ����
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
��V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity VDS ID
MOSFET/中低压 MOSFET ��� 功率器件事业群 ��V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity
V I V Q Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) G =��V R VGS DS(ON) DS(ON) @ =�.�V
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��� �����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� � �.� - - � � ��� �����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � ��� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� � - - � � ��� ����
CRSM���N��N PDFN�*� N �� ��� �.� �.� � � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N �� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSM���N��N PDFN�*� N �� �� �.� �.� - - � � �� ����
CRSM���N��N PDFN�*� N �� �� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRSS���N��N TO-��� N �� �� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N �� �� �.� �.� - - � � �� ����
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ��� �����
CRSG���N��N�Q TO-���-�L N ��� ��� �.� �.� � � ��� �����
CRSG���N��N TO-���-�P N ��� ��� �.� �.� - - � � ��� �����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � ��� �����
CRSQ���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ��� �����
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ��� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� � �.� - - � � ��� ����
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� � �.� - - � � ��� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � ��� ����
CRSQ���N��N TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � ��� ����
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSM���N��L� PDFN�X� N ��� �� �.� �.� �.� �.� �.� � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� � �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � ��.� ����
CRSM���N��N PDFN�X� N ��� �� �.� �.� - - � � �� ����
CRSM���N��N� PDFN�X� N ��� ��� � �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��L� TO-��� N ��� �� �.� �.� �.� �� �.� �.� ��.� ����
CRSM���N��L� PDFN�X� N ��� �� �.� �.� �.� ��.� �.� �.� ��.� ����
CRSE���N��L�X SOP-�L N ��� �� � �.� �.� ��.� �.� �.� �� ����
产品名 封装 Polarity VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V SGT NMOS
MOSFET/中低压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSD���N��L� TO-��� N ��� �� �.� �.� � ��.� �.� �.� ��.� ����
CRSE���N��L� SOP-�L N ��� �� �� ��.� �� ��.� �.� �.� �� ����
CRSM���N��L� PDFN�X� N ��� �� �� ��.� ��.� ��.� �.� �.� �� ����
CRSD���N��L� TO-��� N ��� �� �� ��.� ��.� ��.� �.� �.� �� ����
CRST���N��L� TO-��� N ��� �� ��.� ��.� ��.� ��.� �.� �.� �� ����
CRST���N��N� TO-��� N ��� �� ��.� �� - - � � ��.� ����
CRSZ���N��N Toll N ��� ��� � �.� �.� �.� ��� �����
CRSM���N��N� PDFN�� N ��� �� �.� �.� �.� �.� �� ����
CRSM���N��N� PDFN�� N ��� �� � �.� - - �.� �.� �� ����
CRSM���N��N�Z PDFN�� N ��� �� �.� �.� �.� �.� �� ����
CRSM���N��N� PDFN�� N ��� ��� � �.� �.� �.� ��.� ����
CRST���N��N�Z TO-��� N ��� ��� �.� �.� �.� �.� ��� �����
CRSZ���N��N�Z TOLL N ��� ��� �.�� �.� �.� �.� ��� �����
CRSS���N��N� TO-���(或D�PAK) N ��� ��� � �.� - - �.� �.� ��� �����
CRSZ���N��N�Q TOLL N ��� ��� �.� �.� � � ��� �����
CRSZ���N��N�Z TOLL N ��� ��� �.�� �.� - - � � ��� �����
CRSD���N��N�Z TO-���(或DPAK) N ��� �� � �.� �.� �.� �� ����
CRSQ��N��N�Z TO-��� N ��� ��� �.� �.� �.� �.� ��� �����
CRSQ���N��N�Z TO-��� N ��� ��� �.� �.� �.� �.� ��� �����
CRSG���N��N�Z TO-���-�L N ��� - �.� �.� - - �.� �.� ���.� �����
���V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSM���N��N PDFN�� N ��� �� �.� �.� - - � �.� �� ����.�
CRSD���N��N TO-���(或DPAK) N ��� �� �.� � � � �� ����
CRSM���N��N PDFN�� N ��� �� � � �.� �.� �� ����
CRSS���N��N TO-���(或D�PAK) N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����.�
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � �� ����.�
CRST���N��N TO-���(或D�PAK) N ��� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRSS���N��N TO-���(或D�PAK) N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSQ���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRSS���N��N TO-���(或D�PAK) N ��� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� � � ��.� ����
CRSZ���N��N�Z TOLL N ��� ��� �.� �.� � � ���.� �����
CRSS���N��N TO-���(或D�PAK) N ��� ��� �.� �.� � � �� ����
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity VDS I
D
MOSFET/中低压
MOSFET ��� 功率器件事业群 QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSS���N��N� TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ��.� ����
CRST���N��N� TO-��� N ��� ��� � �.� - - � � ��.� ����
CRSS���N��NZ TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � �� ����
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� � - - � � �� ����
CRST���N��NZ TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRSQ���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����.�
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� � �.� - - � � �� ����
CRSM���N��N�Z DFN�X� N ��� �� �.� �� - - � � �� ����
CRSM���N��N�Z DFN�X� N ��� �� �� ��.� - - � � ��.� ����
CRSZ���N��N�Z TOLL N ��� ��� �.� �.� � � �� ����
CRST���N��N�Z TO-��� N ��� ��� � �.� � � ��.� ����
CRSQ���N��N�Z TO-��� N ��� ��� �.� �.� � � ��.� ����
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity VDS I
D
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ���.� �����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� �.� - - � � ���.� �����
CRSG���N��N� TO-���-�(或D�PAK-�) N ��� ��� �.� �.� � � ���.� �����
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V SGT NMOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSS���N��N TO-��� N ��� ��� �.� ��.� - - � � �� ����
CRSS���N��NZ TO-��� N ��� ��� �.� ��.� - - � � �� ����
CRST���N��N TO-��� N ��� ��� �.� ��.� - - � � �� ����
CRST���N��NZ TO-��� N ��� ��� �.� ��.� - - � � �� ����
CRSQ���N��N TO-��� N ��� ��� �.� ��.� - - � � �� ����.�
CRSQ���N��NZ TO-��� N ��� ��� �.� ��.� - - � � �� ����.�
CRSS���N��NZ-Q TO-���(或D�PAK) N ��� ��� �.� ��.� � � �� ����
CRSQ���N��NZ-Q TO-��� N ��� ��� �.� ��.� � � �� ����
产品名 封装 Polarity VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V SGT NMOS
���V Depletion MOS
产品名 封装 Polarity
V I V Q Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) G VVGS=��V R VVGS DS(ON) DS(ON) @ =�.�V
CS�N��ASFD SOT-�� N ��� �.� ���� ����� -� -� �.�� ��
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
Depletion MOS
MOSFET/中低压
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRSQ���N��NZ-Q TO-��� N ��� ��� �.� ��.� � � �� ����
CRST���N��N� TO-��� N ��� �� �� ��.� - - � � ��.� ����
CRSQ���N��N� TO-��� N ��� �� �� ��.� - - � � ��.� ����
CRSM���N��N� PDFN�X� N ��� �� �� �� - - � � �� ���
CRSS���N��N� TO-���(或D�PAK) N ��� �� �� ��.� � � ��.� ����
CRST���N��N� TO-��� N ��� �� ��.� �� - - � � �� ����
CRSS���N��N� TO-���(或D�PAK) N ��� �� ��.� ��.� - - � � �� ����
CRSQ���N��N� TO-��� N ��� �� ��.� �� - - � � ��.� ����
CRSM���N��N�Z PDFN�X� N ��� �� �� �� - - � � �� ���
���V SGT NMOS
产品名 封装 Polarity VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压 PDBG自主研发的平面高压DMOS产品,有业界先进的Rsp,FOM(RDS(ON)*QG)和雪崩耐量,且针
对器件应用EMI特性做了优化,有很好的易用性。
第六代R系列平面高压MOS产品,涵盖���V-����V电压全系列产品。采用了自有专利的元胞和
终端设计,该系列产品具有温升效率优.EMI特性好,抗浪涌能力强等特点。可广泛应用于手机快充、
适配器、TV电源、LED电源、UPS、智能电表等领域。
����年量产了第七代K系列平面高压MOS产品.涵盖���V-���V电压全系列产品。重新优化了器
件结构、工艺和材料,相比R系列产品应用性能相当,且性价比更优,可广泛应用于手机快充、适配器、
LED电源等领域。
PDBG自主研发的高压超结MOS,采用先进的多层外延和注入技术,有国内先进的Rsp和FOM,通过自
有专利的pillar形貌和工艺设计,产品应用EMI特性优,dv/dt能力强,有卓越的应用性和可靠性。
第四代高压超结MOS产品,涵盖���V-���V电压全系列产品,该系列产品具有EMI特性好,可靠性
高等特点,可广泛应用于手机快充、适配器、TV电源、LED电源、服务器电源、通信电源等领域。
����年量产了第五代高压超结MOS产品,涵盖���V-���V电压全系列产品,该系列产品具有电流
密度高、开关速度快、易用性好等特点,可广泛应用于手机快充、适配器、TV电源、LED电源、服务器电
源、通信电源等领域。
抗浪涌能力强/雪崩耐量强
EMI特性好
低导通电阻/低栅极电荷
可靠性高
易用性高
温升效率优
产品优势: 应用特性:
抗浪涌能力强/雪崩耐量强
EMI特性好
低导通电阻/低栅极电荷
开关速度快/电流密度高
可靠性高
易用性高
温升效率优
适用于高频应用
产品优势: 应用特性:
MOSFET ��� 功率器件事业群 Planar MOS 产品 高压超结MOS产品
CS/CR
场效应晶体管
结构大类
N=N沟道
P=P沟道
J=Super Junction
电流值
电压值
x��表示电压规格
���F封装,
不是则不体现
封装形式
H=高密度
T= �T工艺
R=�R工艺
K=K工艺
D=集成ESD,
无则不体现
Y=LED用
无则不体现
产品版本 A,B,C..
封装
形式 TO-��� TO-�� TO-��� TO-��� TO-���A TO-��� TO-���F TO-��� TO-���-�L
代号 � � � � � � � � �C
封装
形式 TO-���F TO-���F-�L TO-�P(N) TO-�P(H) TO-���L SOT-��S SOP-�L SOT-��
代号 � �C N H �� U E S
封装
形式 SOT-�� SOT-���-�L TO-��� TO-���Plus SOT-��
TO-���
代号 T �� K X S�
TO-���-�L
QF
MSOP-�
EM
R
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
Q=Automotive
Z= Industrial
Blank=Consumer
产品命名—高压平面
封装
形式
TO-���
Plus-�
TO-���-� TO-���-�A TO-���-�B TO-���PD
代号
XF
SP QA QB YN
TO-���
V
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 封装
形式 TO-��� LFPAK�x� TO-���A SOT-���-�L SOT-�� TO-��� SOP-�L TO-���F TO-���-�P
代号 T Y A B C D E F G
封装
形式 TO-��� SOT-�� PDFN�.�x�.�
DFN�x� DFN�x� PDFN�x�
/DFN�X� TO-�� TO-�P(N) TO-��� TO-���-�L
代号 H J K L M N P Q QF
封装
形式 SOT-�� TO-��� TSSOP-� DSCQFN�x� TO-���-�L TO-���F-�L SOT-��� TOLL R-�
代号 R S U MD QT �C X Z I�
封装
形式 TO-���-�L DFN�x�-�L R-�T SOT-��B
代号 �C LT I� JB
TO-���
W
TO-���plus
QP
TO-���-�
SP
DFN�x�-�L
MT
IPM
MSOP-�
EM
产品命名—高压超结 封装
形式 TSOT-��-� DFN�x�-� TO-�PH MSOP� SMA CSP WLCSP MSOP-� FCQFN�×�
代号 RT V PH SM MA CP CW NM KA
封装
形式 TO-���-�A TO-���-�B TO-���PD
代号 QA QB YN
版本号
质量等级
Q=Automotive
Z= Industrial
Blank=Consumer
封装形式:
EM=MSOP-�
SM=MSOP-�
NM=MSOP-�
Product Line
JM=SJ 模块
SM=SGT 模块
电路结构
H = 半桥模块
W = 全桥
结构
M= Multi EPI
T=Deep trench
U=上下结构
L=左右结构
电压
JM H 43 M 65 EM A Q
电流
CR
MSOP-��
TM
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) =��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CS�N��A�� SOT-���-�L N ��� � ���� ���� � � � ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � � ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � � ���
CS�N��ATH SOT-�� N ��� � ���� ���� � � � ���
CS���A�H TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS���FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) =��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CS���A�H TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ����
CS���FA�H TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�H TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�H TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANH TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS���ANH TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS���FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ���� 高压平面�B系列MOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS�N��A�H TO-�� N ��� �.� ����� ����� � � � ��
CS�N��A�H TO-��� N ��� �.� ����� ����� � � � ��
CS�N��A�H TO-��� N ��� �.� ����� ����� � � � ��
CS�N��A��H SOT-��� N ��� �.� ����� ����� � � � ��
CS�N��C�H TO-�� N ��� � ���� ����� � � �.� ���
CS�N��C�H TO-��� N ��� � ���� ����� � � �.� ���
CS�N��C�H TO-��� N ��� � ���� ����� � � �.� ���
CS�N��B��HP SOT-��� N ��� �.� ���� ���� � � �.� ���.�
CS�N��A��H SOT-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�H-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�HY TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��FA�HY TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 ���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I R R V Q C DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) G iss
CS�N��A�HY TO-��� N ��� � ���� ���� � � � ���
CS�N��FA�HY TO-���F N ��� � ���� ���� � � � ���
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA� TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��ARD TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�H TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANH TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�D-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA�D TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
700V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS�N��A�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�H TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�H TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANH TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) =��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�H�-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA�HD TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�HD-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��ARH-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�D TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I R R V Q C DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) G iss
CS�N��A�H�-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA� TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�HD�-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�HD TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��ARHD-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA�HD TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�H TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�HD TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��FA� TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�D TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�D TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS��N��A�HD TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�D TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��AND TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� � � �� ����
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS�N��A�H�-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��B�D�-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�D-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�D-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�D�-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�D TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�H TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS��N��FA�D TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�H TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
700V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V Depetion MOS
产品名 封装 Polarity
V I V Q Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) G =��V R VGS DS(ON) DS(ON) @ =�.�V
F���D-G SOT-�� N ��� �.�� ����� ������ -�.� -�
高压平面耗尽型
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 高压平面�R系列MOS
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I R R V Q C
DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) g iss
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ��� ���� � � ��.� ���
CS���A�RD TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ���
CS���A�RD TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ���
CS���A�RD TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ���
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� � � �� ����
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS�N��ATR SOT-�� N ��� � ���� ����� � � �.� ��
CS�N��A�R TO-�� N ��� � ���� ����� � � �.� ��
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ����� � � �.� ��
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�R��A�RP-G TO-��� N ��� � ���� ���� �.� �.� �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�R��C�RDP-G TO-��� N ��� � ���� ���� �.� �.� ��.� ���
CS�R��A�RDP-G TO-��� N ��� � ���� ���� �.� �.� ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS���A�RD TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
500V Planar MOS
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS���A�RD TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS���FA�RD TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS����ANR TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS����AND TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��AKR TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��AKRZ-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� �� ��� � � ��� ����
500V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CS�R��A�RP-G TO-��� N ��� � ���� ���� �.� �.� �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��ARRD TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�R��A�RDP-G TO-��� N ��� � ���� ���� �.� �.� ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�R��A�RDP-G TO-��� N ��� � ���� ���� �.� �.� �� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��A�R-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
600V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) VGS=��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CS�N��A�RD TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��ARR TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��ARR TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R -G TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��FA�R -G TO-���F N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��A�R -G TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��A�R� -G TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��ARR TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CS��N��ARR -G TO-��� N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ARR TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��FA�R -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
Ciss
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 ���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I
R R V Q C
DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) G iss
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ����� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ���
CS�N��A��R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��ARR-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��ARR-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS��N��FA�RD TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A��R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ����
CS�N��FA�R-G TO-���F N ��� � ��� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R�-G TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ����
CS�N��B��R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��B�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CS�N��FA�RD TO-���F N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��ARR-G TO-��� N ��� � ��� ���� � � �� ����
CS�N��FA�R-G TO-���F N ��� � ��� ���� � � �� ����
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I
R R V Q C
DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) G iss
CS��N��A�R TO-��� N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CS��N��FA�R TO-���F N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CS��N��FA�R-G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��FA�R-G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS��N��A�R-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CS�N��FA�RZ-G TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I
R R V Q C
DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) G iss
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A��R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��ARR TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��FA�R TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��A�R TO-���� N ��� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N��FA�RD TO-���F N ��� � ��� ���� � � ��.� ����
CS�N��AKRD-G TO-��� N ��� � ��� ���� � � ��.� ����
CS��N��AKR-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�PN N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CS��N��ANR TO-�P(N) N ��� �� ��� ��� � � ���.� ����
����V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) =��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CS��N���A�R TO-��� N ���� �.� ����� ������ � � � ��
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ���
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ���
����V Planar MOS
产品名 封装 Polarity Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
V I
R R V Q C
DS D
DS(ON)@V GS=��V DS(ON)@V GS=�.�V GS(TH) G iss
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N���FA�R TO-���F N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N���AHR TO-�PH N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
CS�N���FA�R-G TO-���F N ���� � ���� ���� � � �� ����
CS�N���A�R-G TO-���AB N ���� � ���� ���� � � �� ����
CS�N���AHR-G TO-�PH N ���� � ���� ���� � � �� ����
CS�N���AKR-G TO-��� N ���� � ���� ���� � � �� ����
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 ����V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @VGS GS(TH) =��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CS�N���FA�R TO-���F N ���� � ���� ���� � � �.� ����
CS�N���AHR TO-�P(H) N ���� � ���� ���� � � �.� ����
CS�N���AKR TO-��� N ���� � ���� ���� � � �.� ����
CS�N���A�R TO-��� N ���� � ���� ���� � � ��.� ����
高压平面�K系列MOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ����
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ����
CR�N��A�K TO-���F N ��� � ��� ��� � � ��.� ����
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ��� ��� � � ��.� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
产品名 封装 Polarity
VDS ID
500V Planar MOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-���AB N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
600V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��A�K TO-���AB N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR��N��A�K TO-���AB N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��A�K TO-���AB N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��A�K TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��A�K TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
600V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V Planar MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) VGS=��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR��N��A�K TO-���AB N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ���� � � �� ����
CR��N��A�K TO-���AB N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��A�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��A�K TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CR��N��FA�K TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
MOSFET ��� 功率器件事业群 MOSFET/高压 QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��A�K TO-��� N ��� � ���� ���� � � �� ����
CR�N��FA�K TO-���F N ��� � ���� ���� � � �� ����
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
产品名 封装 Polarity
VDS ID
700V Planar MOS
���V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) VGS=��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
高压超结S�系列MOS
���V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) VGS=��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPU���R���PC -G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPU���R���PC -G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPA���R���PF -G TO-���F N ��� �� �� �� � � �� ����
HPF���R���PF -G TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
MOSFET/高压
���V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) VGS=��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPU���R���PC -G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ���
HPA���R���PC -G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPD���R���PC -G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
HPU���R�K�PD-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
HPD���R�K�PD-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
HPA���R�K�PD-G TO-���F N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
HPN���R�K�PD-G SOT-���-� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
HPU���R�K�PD-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
HPD���R�K�PD-G TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
HPA���R���PD-G TO-���F N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
HPU���R���PD-G TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
HPD���R���PD-G TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
HPA���R���PD-G TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPD���R���PD-G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPU���R���PD-G TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
HPA���R���PD-G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPF���R���PD-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPP���R���PD-G TO-���AB N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPU���R���PD-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPD���R���PD-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPA���R���PD-G TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPF���R���PD-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
HPP���R���PD-G TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
800V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
VDS ID
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 高压超结G�.�系列MOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJD���N��GC TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��GC TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJH���N��GC TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��GC TO-���F N ��� � ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJD���N��GC TO-��� N ��� � ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJS���N��GC TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJM���N��GC PDFN�X� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJH���N��GC TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJF���N��GC TO-���F N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJT���N��GC TO-���AB N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJD���N��GC TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ���
CRJS���N��GC TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJT���N��GC TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJF���N��GC TO-���F N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJL���N��GC DFN�*� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ���N��GC TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��GC TO-��� N ��� �� �� �� � � ��� ����
CRJQ��N��GC TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQ��N��GCP TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
���V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
高压超结G�系列MOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJQ��N��G� TO-��� N ��� �� �� �� � � ��� ����
CRJF��N��G� TO-���F N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJT��N��G� TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJQ��N��G� TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
���V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJD�K�N��G� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CRJH�K�N��G� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CRJF�K�N��G� TO-���F N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CRJM�K�N��G� PDFN�X� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CRJD�KN��G� TO-��� N ��� � ��� ���� � � � ���
CRJH�KN��G� TO-��� N ��� � ��� ���� � � � ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJM���N��G� PDFN�X� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJT���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJS���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJM���N��G� PDFN�X� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� �.� �.� ��.� ���
CRJL���N��G� PDFN�*� N ��� �� ��� ��� �.� �.� ��.� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� ��.� ���
CRJS���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� ��.� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CRJL���N��G� DFN�*� N ��� �� ��� ��� � � ��.� ����
CRJL��N��G� DFN�*� N ��� �� �� ��� � � �� ����
CRJT��N��G� TO-���AB N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJF��N��G� TO-���F N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJS��N��G� TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJZ��N��G� TOLL N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJT��N��G�B TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJQ��N��G� TO-��� N ��� �� �� �� � � ��� ����
CRJQ��N��G� TO-��� N ��� �� �� �� � � ��� ����
�50V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJH�KN��G� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CRJD�KN��G� TO-��� N ��� � ���� ���� � � �.� ���
CRJB�K�N��G�E SOT-���-�L N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CRJD�K�N��G�E TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CRJH�K�N��G�E TO-��� N ��� � ���� ���� � � ��.� ���
CRJH�K�N��G� TO-��� N ��� � ���� ���� � � � ���
CRJD�K�N��G� TO-��� N ��� � ���� ���� � � � ���
CRJF�K�N��G� TO-���F N ��� � ���� ���� � � � ���
CRJD���N��G�E TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJH���N��G�E TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJS���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � ��.� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJS���N��G� TO-��� N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� � ��� ��� � � �� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJS���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJS���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJD���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJH���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
CRJF���N��G� TO-���F N ��� �� ��� ��� � � �� ����
CRJS���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ����
700V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V FRD 集成系列MOS
产品名 封装 Polarity
V I V Q Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) G VGS=��V R VGS DS(ON) DS(ON) @ =�.�V
CRJQ���N��GCF TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
高压超结S�系列MOS
FRD集成系列MOS
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJF���N��G�F-G TO-���F N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJT���N��G�F-G TO-���AB N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJS���N��G�F-G TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJQ���N��G�F-G TO-��� N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJL���N��G�F-G DFN�� N ��� �� �� �� � � �� ����
CRJD���N��G�E-G TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJF���N��G�E-G TO-���F N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJH���N��G�E-G TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJT���N��G�E-G TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
650V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
���V Super Junction MOS
产品名 封装 Polarity
V I V QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (mΩ ) (V) (V) (nC) (pF)
DS D
R @ GS(TH) VGS=��V R @VGS DS(ON) DS(ON) =�.�V
CRJD���N��G� TO-��� N ��� �� ��� ��� � � �� ���
MOSFET/高压 MOSFET ��� 功率器件事业群 QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJQ��N��G�F TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJF���N��G�F TO-���F N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ���N��G�F TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJT���N��G�F TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJL���N��G�F DFN�*� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJW���N��G�F TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJF��N��G�F TO-���F N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJT��N��G�F TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��G�F TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJF��N��G�BF TO-���F N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJS��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJT��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
600V FRD集成系列MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJQ��N��GCF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQF��N��GCF TO-���-�L N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJL���N��GCF DFN�*� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJF���N��GCF TO-���F N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJS���N��GCF TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJT���N��GCF TO-���AB N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ���N��GCF TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJT��N��G�F TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJL��N��G�F DFN�*� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��G�F TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJF��N��G�F TO-���F N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJS��N��G�F TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJF��N��G�BF TO-���F N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJT��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJS��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� ��� �.� �.� �� ����
650V FRD集成系列MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
MOSFET/高压
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM ���
QG Ciss
Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRJQ���N��G�F TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJF���N��G�F TO-���F N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJL���N��G�F DFN�*� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJT���N��G�F TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJS���N��G�F TO-��� N ��� �� ��� ��� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��F TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� �� ����
CRJQ��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQ��N��G�F TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQ��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQ��N��GCFQ TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQ��N��G�F TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
CRJQ��N��G�BF TO-��� N ��� �� �� �� �.� �.� ��� ����
650V FRD集成系列MOS
产品名 封装 Polarity
VDS I
D
RDS(ON) @VGS=��V RDS(ON) @VGS=�.�V VGS(TH)
VDS ID @25℃
Max Max Typ Max Min Max
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (V) (V)
CRJMH��M��EMAQ MSOP-� Half-Bridge N ��� �� �� �� � �.�
CRJMH��M��NMAQ MSOP-� Half-Bridge N ��� �� �� �� � �.�
CRJMH��M��EMAQ MSOP-� Half-Bridge N ��� �� �� �� � �.�
CRJMH��M��NMAQ MSOP-� Half-Bridge N ��� �� �� �� � �.�
产品名 封装 Configuration Polarity
RDS(ON)@VGS=15V VGS(TH)
���V 高压超结MOS模块系列
高压超结MOS模块系列
华润微电子有限公司自主研发的Multiple MOS产品, Multiple MOS将 N 沟道与 P 沟道
MOSFET 或多N沟道、多P沟道MOSFET集成至单一封装中,可满各种不同应用的需求。
Multiple MOSFET 产品不仅能提高方案的设计效率,亦可简化产品结构。例如 SOP系列、
PDFN系列、SOT系列和 TO系列等封装均可用于Multiple MOSFET,进而打造出成本优化型解决
方案。
CRMICRO量产的Multiple MOSFET 产品系列,涵盖20V~100V电压全系列产品,可以简化产
品设计方案和效率,节省PCB板面积,优化产品结构,减小功率模块体积和寄生参数,主要应用
于小家电、健康器械、低压风机、工业控制、车身附件电机等电路结构较为简单或布板空间较为
有限的应用场景。
MOS Modules产品
Multiple MOS 产品 MOSFET/合封 MOS MOS Modules 实现了多芯片封装及多种电路级联方式,显著提升了产品的功率密度和系统集
成度。
基于创新封装,可以实现多种电路拓扑:半桥、全桥、三相全桥或定制电路;根据应用需求
多芯并联降低导通内阻;集成被动器件、热敏电阻、有源器件实现系统功能模块化。
TO-15系列封装PIM模块,涵盖70V-150V电压段,该系列产品为三相全桥结构,具有模块体
积小,功率密度高等特点。适用于E-Bike控制器等对整体尺寸有要求的终端产品。
T2 Module、N2 Module模块产品采用陶瓷基板为导热材料,涵盖100V-200V电压段,通过
AQG324标准考核。该系列产品为半桥结构,每个桥臂多芯并联,具有极低的热阻和导通内阻、
参数一致性及均流特性好、可靠性高等特点。适用于高速电摩、电动游艇、大型无人机、低速四
轮车等应用。
体积小
减少寄生参数
提升设计效率
可靠性高
集成度高
产品结构多样化
产品优势: 应用特性:
功率密度高
可靠性高
参数一致性好
可定制,满足客户个性化需求
低导通电阻
高导热率
高集成度
产品优势: 应用特性:
MOSFET 121 功率器件事业群
Multiple MOS 产品
MOSFET/合封MOS
CR M XX 0405 C A X
合封MOS
封装类型:见下表 电路结构,见下表
版本号:
默认空缺,
有改版从B开始顺延;
产品型号:
前两位“04”代表产品电压等级/10,
后两位“05”由流水号产生
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 122
质量等级:
Q=Automotive;
Z= Industrial;
代号 封装形式 代号 封装形式 代号 封装形式 代号 封装形式
A- 壳封12x10
B- DFN3x3 BA DFN2x3.5 BB DFN3x4
D- DFN5x6
L- SOT23-6L
R- SOP-8L
V- TO252-4L
QN N2 Module QT T2 Module QS S Module QY TO-15
R*代表SOP系列封装
V*代表TO系列封装
Q*代表定制塑封模块系列
A*代表定制模块系列
B*代表(P)DFN系列5x6以下封装(不包含DFN5x6)
D*代表(P)DFN系列5x6以上封装(包含DFN5x6)
L*代表SOT系列封装
M代表市场有对标料号系列
代号 结构 代号 结构
A Asymmetric,不同芯片,NN,PP, C Complementary,不同芯片,P+N,
D Dual,同芯片独立,NN,PP F Three-phase Full Bridge,三相桥
H H Bridge,H桥 P parallel,同芯片并联,NN,PP
S Series,同芯片串联,NN,PP
MOSFET/合封 MOS MOSFET 123 功率器件事业群 MOS Modules 产品命名
CR M 10 XX 100 S - A
合封MOS
封装形式:
QT ‒ T2 Module
QN ‒ N2 Module
QY ‒ TO_15
电压/10(V)
电路结构:
S ‒ Half Bridge
H ‒ Full Bridge
F ‒ 3 Phase Full Bridge
电流(A) 产品版本(可省略)
X
Q=Automotive;
Z= Industrial;
MOS Modules 产品列表
VDS ID @��℃ QG Ciss
Max Max Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
CRM��QT���S T� Module Half-Bridge N ��� ��� �.� � �.� �.� �.� �.� ��� �����
CRM��QM��F MDIP�� �-Phase Full
Bridgewith NTC N ��� �� �.� �.� � � ��� �����
CRM��QN���S N� Module Half-Bridge N ��� ��� �.� �.� � � ��� �����
CRM��QN���S N� Module Half-Bridge N ��� ��� �.� �.� �.� � �.� �.� ��� �����
VGS(TH)
产品名 封装 Configuration Polarity
RDS(ON)
@VGS=��V RDS(ON)
@VGS=�.�V
MOSFET/合封 MOS
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 124
Multiple MOS产品列表
VDS ID @��℃ QG Ciss
Max Max Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
SOP-� dual N �� � �� �� �.� � �.� ���
SOP-� dual N �� � �� �� �.� � �.� ���
SOP-� dual N �� � �� ��.� �� ��.� � � ��.� ���
SOP-� dual N �� � �� ��.� �� ��.� � � ��.� ���
SOP-� dual N �� �� �� �� �� ��.� � � �� ���
SOP-� dual N �� �� �� �� �� ��.� � � �� ���
SOP-� dual N �� �� �� ��.� �� ��.� �.� �.� ��.� ����
SOP-� dual N �� �� �� ��.� �� ��.� �.� �.� ��.� ����
SOP-� dual P -�� -� �� �� �� �� -�.� -�.� ��.� ���
SOP-� dual P -�� -� �� �� �� �� -�.� -�.� ��.� ���
SOP-� dual P -�� -�� ��.� ��.� ��.� �� -�.� -�.� ��.� ����
SOP-� dual P -�� -�� ��.� ��.� ��.� �� -�.� -�.� ��.� ����
SOP-� Complementary N �� � �� �� �� �� � � ��.� ���
SOP-� Complementary P -�� -� �� ��.� �� ��.� -� -� �� ����
SOP-� Complementary N �� �� ��.� ��.� �� �� � � ��.� ���
SOP-� Complementary P -�� -�� �� ��.� �� ��.� -�.� -� ��.� ����
SOP-� Complementary N �� � �� ��.� �� �� � �.� ��.� ���
SOP-� Complementary P -�� -� �� ��.� �� �� -� -�.� ��.� ����
SOP-� dual N �� � �� �� ��.� ��.� �.� �.� ��.� ���
SOP-� dual N �� � �� �� ��.� ��.� �.� �.� ��.� ���
SOP-� dual N �� �� � �� �� �� � � ��.� ����
SOP-� dual N �� �� � �� �� �� � � ��.� ����
SOP-� Complementary N �� � �� ��.� ��.� �� �.� �.� ��.� ���
SOP-� Complementary P -�� -� �� �� �� ��.� -�.� -�.� �� ����
SOP-� dual N �� �� ��.� ��.� ��.� �� �.� �.� ��.� ����
SOP-� dual N �� �� ��.� ��.� ��.� �� �.� �.� ��.� ����
SOP-� dual N �� � �� ��.� �� ��.� �.� �.� ��.� ���
SOP-� dual N �� � �� ��.� �� ��.� �.� �.� ��.� ���
SOP-� dual P -�� -� �� �� �� �� -� -�.� �� ����
SOP-� dual P -�� -� �� �� �� �� -� -�.� �� ����
SOP-� Complementary N �� � �� ��.� �� ��.� � � ��.� ����
SOP-� Complementary P -�� -�.� �� ��.� �� ��.� -� -� ��.� ����
SOP-� Complementary N �� � �� �� �� �� �.� � ��.� ���
SOP-� Complementary P -�� -�.� �� ��.� �� ��.� -� -� ��.� ����
CRMM����C
CRMM����D
CRMM����D
CRMR����D
CRMM����C
CRMM����C
CRMM����D
CRMM����
CRMM����C
CRMM����C
CRMM����D
CRMR����D
VGS(TH)
CRMM����
CRMM����D
CRMM����D
CRMM����D
CRMM����D
产品名 封装 Configuration Polarity
RDS(ON)@VGS=��V RDS(ON)
@VGS=�.�V
MOSFET/合封 MOS
MOSFET 125 功率器件事业群 Multiple MOS产品列表 VDS ID @��℃ QG Ciss
Max Max Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
SOP-� dual N ��� � �� ��.� �� ��� �.� � ��.� ���
SOP-� dual N ��� � �� ��.� �� ��� �.� � ��.� ���
SOP-� Complementary N ��� � �� �� �� ��� �.� �.� ��.� ���
SOP-� Complementary P -��� -� �� ��.� �� ��.� -�.� -� ��.� ����
TO-���-� Common Drain N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ���
TO-���-� Common Drain N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ���
TO-���-� Complementary N �� �� �� ��.� �� �� �.� �.� ��.� ���
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� ��.� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� ��.� �� ��.� �� � � �� ���
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ����
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ���
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Common Drain N �� �� � � � �� �.� �.� �� ����
TO-���-� Common Drain N �� �� � � � �� �.� �.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� �.� � �.� � �.� �.� �� ����
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ���
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� � �� �� �� � � �� ����
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
TO-���-� Common Drain N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ����
TO-���-� Common Drain N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ����
TO-���-� Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ����
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -� ��.� ����
TO-���-� Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ���
TO-���-� Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -� ��.� ����
TO-���-� Complementary N ��� �� �� �� �� ��� �.� �.� ��.� ���
TO-���-� Complementary P -��� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
PDFN�x�D dual N �� �� �� �� �� �� � �.� �� ���
PDFN�x�D dual N �� �� �� �� �� �� � �.� �� ���
PDFN�x�D Complementary N �� �� � ��.� �� ��.� � �.� �� ���
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� ��.� ��.� ��.� -� -� ��.� ����
VGS(TH)
产品名 封装 Configuration Polarity
RDS(ON)
@VGS=��V RDS(ON)
@VGS=�.�V
CRMM����C
CRMM����C
CRMV����C
CRME����D
CRMD����C
CRMM����C
CRMV����D
CRMM����C
CRMM����C
CRMV����C
CRMV����D
CRMM����D
CRMM����C
CRMV����D
CRMM����C
CRMM����C
CRMM����C
MOSFET
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 126
Multiple MOS产品列表
MOSFET/合封 MOS
VDS ID @��℃ QG Ciss
Max Max Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� � ��.� ���
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� ��.� ����
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� �� �� �� � � �� ���
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� ��.� �� �� �.� �.� ��.� ���
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� ��.� ����
PDFN�x�D dual N �� �� � �.� �.� � �.� �.� ��.� ����
PDFN�x�D dual N �� �� � �.� �.� � �.� �.� ��.� ����
PDFN�x�D dual N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ���
PDFN�x�D dual N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ���
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ���
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -�.� -�.� �� ����
PDFN�x�D Complementary N �� �� �.� � � �� �.� �.� ��.� ����
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� �� ����
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� �� �� �� � �.� ��.� ����
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� ��.� ����
PDFN�x�D dual N �� �� �� �� �� �� �.� � �� ���
PDFN�x�D dual N �� �� �� �� �� �� �.� � �� ���
PDFN�x�D dual N �� �� �� ��.� �� ��.� � �.� �� ���
PDFN�x�D dual N �� �� �� ��.� �� ��.� � �.� �� ���
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� �� ����
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� �� ����
PDFN�x�D Complementary N �� �� �� �� �� �� �.� �.� ��.� ���
PDFN�x�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� ��.� ����
PDFN�.�x�.�D dual N �� �� �� ��.� �� ��.� � �.� ��.� ���
PDFN�.�x�.�D dual N �� �� �� ��.� �� ��.� � �.� ��.� ���
PDFN�.�x�.�D dual N �� �� ��.� ��.� ��.� ��.� � �.� ��.� ���
PDFN�.�x�.�D dual N �� �� ��.� ��.� ��.� ��.� � �.� ��.� ���
PDFN�.�x�.�D dual P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� ��.� ����
PDFN�.�x�.�D dual P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� ��.� ����
PDFN�.�x�.�D Complementary N �� �� �� �� �� �� � � ��.� ���
PDFN�.�x�.�D Complementary P -�� -�� �� ��.� �� �� -�.� -�.� ��.� ����
产品名 封装 Configuration Polarity
RDS(ON)
@VGS=��V RDS(ON)
@VGS=�.�V VGS(TH)
CRMM����D
CRMB����D
CRMB����C
CRMD����C
CRMD����D
CRMP���N��L�S
CRMD����C
CRMD����C
CRMM����D
CRMD����C
CRMD����C
CRME����D
CRME����D
CRMM����C
CRMD����C
CRMD����C
Multiple MOS产品列表 MOSFET127 功率器件事业群 VDS ID @25℃ QG Ciss
Max Max Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
VGS(TH)
封装 Configuration Polarity
RDS(ON)
@VGS=10V RDS(ON)@VGS=4.5V VDS ID @��℃ QG Ciss
Max Max Typ Max Typ Max Min Max Typ Typ
(V) (A) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (mΩ) (V) (V) (nC) (pF)
PDFN�.�x�.�D Complementary N �� �� �� �� �� �� � � ��.� ���
PDFN�.�x�.�D Complementary P -�� -�� �� �� �� ��.� -�.� -�.� ��.� ����
PDFN�.�x�.�D dual N �� �� �� �� �� �� � �.� �� ���
PDFN�.�x�.�D dual N �� �� �� �� �� �� � �.� �� ���
PDFN�.�x�.�D Complementary N �� �� �� �� �� �� � �.� �.� ���
PDFN�.�x�.�D Complementary P -�� -�� �� �� �� �� -� -�.� ��.� ����
SOT-��-� Complementary N �� � �� �� �� �� �.� �.� �.� ���
SOT-��-� Complementary P -�� -� �� �� ��� ��� -�.� -�.� �.� ���
SOT-��-� dual N �� � �� ��.� �� ��.� �.� � �.� ���
SOT-��-� dual N �� � �� ��.� �� ��.� �.� � �.� ���
SOT-��-� dual N �� � �� ��.� ��.� ��.� �.� � �� ���
SOT-��-� dual N �� � �� ��.� ��.� ��.� �.� � �� ���
SOT-��-� dual N �� � ��.� �� ��.� ��.� �.� �.� ��.� ���
SOT-��-� dual N �� � ��.� �� ��.� ��.� �.� �.� ��.� ���
SOT-��-� Complementary N �� � �� �� �� �� � � ��.� ���
SOT-��-� Complementary P -�� -�.� �� �� �� �� -� -� ��.� ���
DFN�x�S Series N �� �� � �� �� �� � � �� ���
DFN�x�S Series N �� �� � �� �� �� � � �� ���
PDFN�x�S Series N �� �� �.� �� ��.� �� � �.� ��.� ����
PDFN�x�S Series N �� �� �.� �� ��.� �� � �.� ��.� ����
PDFN�x�D dual N ��� �� �� �� �� ��.� � � ��.� ����
PDFN�x�D dual N ��� �� �� �� �� ��.� � � ��.� ����
封装 Configuration Polarity
RDS(ON)@VGS=��V RDS(ON)
@VGS=�.�V VGS(TH)
CRMM����S
CRMD����D
CRMM����C
CRML����D
CRML����D
CRML����D
CRMM����C
CRMM����S
CRMB����C
CRMB����D
CRMB����C
产品名
产品线综述
主推产品系列
电流规格覆盖30A~160A
更低的导通损耗和开关损耗
更为宽的应用频率:30~100KHz
高的可靠性,满足工业级产品需求
电流规格覆盖15A~100A
优异的导通损耗和开关损耗
适用于硬开关和软开关场景
应用频率范围5~35KHz
10us以上的短路耐受时间
高的鲁棒性
可靠性满足工业级产品需求
电流规格覆盖5A~75A
低的导通损耗和开关损耗
适用于硬开关和软开关场景
应用频率范围10~60KHz
5us以上的短路耐受时间
高的可靠性
逆导型IGBT
低的导通损耗和开关损耗
参数一致性优
高的应用可靠性
TO-247/ TO-3PN/ TO-220F/ TO-220AB/ TO-247Plus/ TO-252
IGBT分立器件采用传统的直插式及贴片封装形式,封装内阻小、散热性优,工艺稳定可靠,
经过多年市场批量验证,是非常成熟的封装平台。
34mm标准模块;
模块拓扑为半桥结构,紧凑化设计、寄生电感小,具备优良的热稳定性和高可靠性,是非常
成熟的封装平台。
Flex和Value模块;
该模块为PIM;适用于变频器等电机控制应用领域,分别对应市面上的标准的PIM封装:Easy
和Econo;产品具有优异的鲁棒性和高可靠性,满足工业级产品需求。
650V Trench FS
1200V Trench FS
600V Trench FS
1200V/1350V Trench RC
主要封装
PDBG IGBT产品采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),具有芯片面积小、导通
压降低和关断损耗小等优点。产品形式有分立器件和模块,目前规格覆盖600V~1350V、
5A~100A,产品在焊机、电磁加热、白电、UPS、变频器、光伏、汽车空调领域广泛应用。
IGBT
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 128
IGBT 单管产品命名 IGBT129 功率器件事业群 FRD类型:
空=Si基;
C=SiC
产品线:
G=IGBT
封装外形
结构大类
N=平面
T=沟槽
I
c
(A)
75=75A
40=40A
FRD类型:
D=全电流FRD
空=半电流FRD
N=无FRD
器件结构
□= FS,一般为空
P= PT
N= NPT
R= RC
技术代次
5=第5代FS结构
第1代默认为空
开关频率
F=Ultra fast speed
H=High speed
S=Medium speed
L=Low Vce(sat)
BVces(V)
x10表示电压规格
60=600V,
120=1200V
产品版本
A,B,C��
质量等级:
Q=Automotive;
Z= Industrial;
75 T 65 K
封装形式 TO-263 TO-92 TO-251 TO-252 TO-126A TO-126 TO-126F TO-220 TO-220-2L
代号 0 1 3 4 5 6 7 8 8C
封装形式 TO-220F TO-220F-2L TO-3P(N) TO-3P(H) TO-251L TO-262 SOT-89S SOP-8L SOT-23
代号 9 9C N H 31 R U E S
封装形式 SOT-89 SOT-223-3L TO-247 TO-247 Plus SOT-26 TO-264 TO-247-4L MSOP-8
代号 T 23 K X S1 V QF EM
封装形式
TO-247 Plus-4
TO-263-7 TO-247-4A TO-247-4B TO-247PD
代号
XF
SP QA QB YN
芯片开关速度/FRD:
H=全电流FRD+快速IGBT
D=全电流FRD+慢速IGBT
F=半电流FRD+快速IGBT
C=SiC二极管+IGBT 封装类型∶
S= Alpha1 module
S1=Alpha2 module;
F1=Flex1 module;
F2=Flex2 module;
V1=Value1 module;
V2=Value2 module;
V3=Value3 module;
VD=ValueDUAL module;
P1=Pump1 module;
P2=Pump2 module;
PD=PumpDrive module;
T1=Torrent1 module;
T2=Torrent2 module;
W1=Wisdom1 module;
W2=Wisdom2 module;
SP0= Solar Power 0 ;
SP1 = Solar Power 1;
SP2 = Solar Power 2;
EM = MS0P-8
IGBT 模块产品命名
电路结构:
F= 两单元半桥
S=六单元三相全桥
Z=一单元
P= 三相整流+制动单元+六单元逆变
B= 制动单元+六单元逆变
H= H桥
T= T型三电平
A= I型三电平
U= Chopper斩波,
二极管在Upper side.
L= Chopper斩波,
二极管在Lower side
产品线:
GM=IGBT模块
BVces (V):
X10表示电压规格
60=600V
120=1200V
产品版本:
A,B,C��
芯片代次
芯片技术:
T=Trench FS
N=Planar FS
IGBT
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 130
质量等级:
Q=Automotive;
Z= Industrial;
I
c
(A)
75=75A
100=100A
75 120 x
Trench FS III Discretes
IGBT131 功率器件事业群 Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG05T60A44S TO-252 650 5 1.5 5.6 0.06 1.7
CRG08T60A83L TO-220 650 8 1.8 5.6 0.17 1.4
CRG08T60A93L TO-220F 650 8 1.8 5.6 0.17 1.4
CRG08T60A03L TO-263 650 8 1.8 5.6 0.17 1.4
CRG15T60A83L TO-220 650 15 1.7 5.7 0.19 1.4
CRG15T60A03L TO-220F 650 15 1.7 5.7 0.19 1.4
CRG15T60A93L TO-263 650 15 1.7 5.7 0.19 1.4
CRG15T60A94S TO-220F 650 15 1.55 5.7 0.2 1.4
CRG20T60A83L TO-220 650 20 1.7 5.4 0.28 1.4
CRG20T60A93L TO-220F 650 20 1.7 5.4 0.28 1.4
CRG20T60A03L TO-263 600 20 1.7 5.4 0.28 1.6
CRG20T60AK3LD TO-247 650 20 1.7 5.4 0.28 1.6
CRG30T60AK3H TO-247 650 30 1.8 5.4 0.46 1.75
CRG30T60AK3HD TO-247 650 30 1.8 5.4 0.46 1.3
CRG40T60AN3S TO-3P(N) 650 40 1.8 5.7 0.97 1.5
CRG40T60AK3SD TO-247 650 40 1.7 5.7 0.97 1.6
CRG40T60AN3H TO-3P(N) 650 40 1.9 4.8 0.82 1.4
CRG40T60AK3HD TO-247 650 40 1.9 4.9 0.82 1.6
CRG50T60AN3H TO-3P(N) 650 50 1.8 5.3 1.4 1.7
CRG50T60AK3H TO-247 650 50 1.8 5.3 1.4 1.7
CRG50T60AK3HD TO-247 650 50 1.8 5.3 1.4 1.8
CRG60T60AN3H TO-3P(N) 650 60 1.9 5.4 1.39 1.3
CRG60T60AK3HD TO-247 650 60 1.9 5.4 1.39 1.6
CRG60T60AK3SD TO-247 650 60 1.72 5.4 1.36 1.6
CRG75T60AK3H TO-247 650 75 1.75 5.4 2.1 1.4
CRG75T60AK3HD TO-247 650 75 1.75 5.4 2.1 1.8
CRG75T60AK3SD TO-247 650 75 1.55 5.4 2.2 1.8
产品名 封装
V(BR)CES
600V Trench FS III
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG40T65AK5HC TO-247 650 40 1.65 4 1 1.33
CRG40T65AK5SCD TO-247 650 40 1.45 4 1 1.36
CRG50T65AK5HC TO-247 650 50 1.65 4.4 1.19 1.36
CRG75T65AK5HC TO-247 650 75 1.65 4.7 2.7 1.36
CRG75T65AK5SCD TO-247 650 75 1.45 4.7 2.77 1.36
650V Trench FS Ⅴ 混合单管(合封SIC SBD)
产品名 封装
V(BR)CES
IGBT
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 132
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG30T65AK5H TO-247 650 30 1.4 4.4 0.55 2.1
CRG30T65A05SDZ TO-263 650 30 1.4 4.4 0.65 2.1
CRG30T65R05SDZ TO-263 650 30 1.4 4.4 0.71 2.1
CRG40T65AK5HD TO-247 650 40 1.7 4 0.72 1.5
CRG40T65AK5H TO-247 650 40 1.7 4 0.72 1.33
CRG40T65AN5H TO-3P(N) 650 40 1.7 4 0.72 1.33
CRG40T65AK5SD TO-247 650 40 1.4 4 0.82 1.5
CRG50T65AK5HD TO-247 650 50 1.7 4.4 1.43 1.61
CRG50T65AK5SD TO-247 650 50 1.4 4.4 1.56 1.61
CRG50T65RK5SDQ TO-247 650 50 1.5 4.4 1.35 1.95
CRG75T65AK5HD TO-247 650 75 1.65 4.4 2.17 1.65
CRG75T65AK5SD TO-247 650 75 1.45 4.7 2.18 1.65
CRG75T65AQF5HD TO-247-4L 650 75 1.65 4.7 0.41 1.65
CRG75T65AQF5SD TO-247-4L 650 75 1.45 4.7 0.65 1.65
CRG75T65CK5SD TO-247 650 75 1.45 4.4 2.47 1.05
CRG100T65AX5SD TO-247Plus 650 100 1.45 4.4 2.8 1.65
CRG120T65AX5SDZ TO-247Plus 650 120 1.35 4.4 3.5 1.95
产品名 封装
V(BR)CES
650V Trench FS Ⅴ
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG40T100BX3S TO-247PLUS 1000 40 1.9 5.8 1 1.8
1000V Trench FS III
产品名 封装V(BR)CES
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG15T120AK3SD TO-247 1200 15 1.8 6 0.67 2.1
CRG15T120BK3SD TO-247 1200 15 2 6 0.3 2
CRG25T120BK3S TO-247 1200 25 2 5.8 0.8 1.8
CRG25T120BK3SD TO-247 1200 25 1.8 5.8 0.8 2.2
CRG25T120AK3SD TO-247 1200 25 1.78 6 1.18 2
CRG40T120BK3SD TO-247 1200 40 1.9 5.8 1.4 2.1
CRG40T120AK3S TO-247 1200 40 1.9 6 1.5 2.1
CRG40T120BV3S TO-264 1200 40 1.9 5.8 1.4 2.2
CRG40T120AK3LD TO-247 1200 40 1.74 5.7 2.3 2.1
CRG40T120AK3SD TO-247 1200 40 1.9 6 1.5 2.3
CRG40T120CK3LDQ TO-247 1200 40 1.8 5.8 1.5 2.4
CRG40T120AX3SD TO-247PLUS 1200 40 1.9 6 1.5 2.3
CRG50T120CX3SD TO-247PLUS 1200 50 1.7 5.7 2.46 2
CRG50T120AX3SD TO-247PLUS 1200 50 1.92 6 1.98 2.1
CRG50T120AX3HD TO-247PLUS 1200 50 1.92 5.7 1.96 2.1
CRG75T120AX3HD TO-247PLUS 1200 75 1.88 5.6 4.4 2.2
产品名 封装V(BR)CES
1200V Trench FS III
Trench FS-RC III Discretes
IGBT133 功率器件事业群 Part Number
Trench V Modules
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG15T120BNR3S TO-3P(N) 1200 15 1.95 5.8 0.7 2.7
CRG25T120BKR3S TO-247 1200 25 1.95 5.8 0.95 2.7
1200V Trench FS-RC III
产品名 封装V(BR)CES
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRG25T135BKR3S TO-247 1350 25 1.95 5.6 0.95 2.7
产品名 封装V(BR)CES
1350V Trench FS-RC III
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRGMA450T65DSP2A5 Solar Power2 650 450 1.5 4.9 3.87 1.6
产品名 封装 V(BR)CES
650V Trench FS V Modules
IGBT
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 134
Trench FS III Modules
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRGMP15T120DF1A3 Flex1 1200 15 5.7 1.8 0.67 2.1
CRGMP25T120DF2A3 Flex2 1200 25 5.7 1.78 0.8 2.1
CRGMP40T120DF2A3 Flex2 1200 40 5.7 1.7 2.3 2.1
CRGMP40T120DV2A3 Value2 1200 40 5.7 1.7 2.3 2.1
CRGMP50T120DV2AH Value2 1200 50 1.75 6 2.6 1.9
CRGMP75T120DV3AH Value3 1200 75 1.75 6 5 1.9
CRGMP100T120DV3AH Value3 1200 100 1.75 6 5.3 1.9
CRGMP150T120DV3AH Value3 1200 150 1.75 6 9.1 1.9
CRGMS75T120DV3AH Value3 1200 75 1.7 6 5 1.9
CRGMS100T120DV3AH Value3 1200 100 1.7 6 5.3 1.9
CRGMS150T120DV3AH Value3 1200 150 1.7 6 9.1 1.9
CRGMS200T120DV3AH Value3 1200 200 1.7 6 11.7 1.9
CRGMF200T120DS1AH Alpha 2 1200 200 1.7 6 14.5 1.8
CRGMF300T120DS1AH Alpha 2 1200 300 1.7 6 22.3 1.8
CRGMF450T120DS1AH Alpha 2 1200 450 1.7 6 45.7 1.8
CRGMF600T120DS1AH Alpha 2 1200 600 1.7 6 60 1.8
CRGMF800T120DS1AH Alpha 2 1200 800 1.7 6 79 1.8
CRGMF450T120DVDAH VauleDual 1200 450 1.7 6 42.4 1.9
CRGMF600T120DVDAH VauleDual 1200 600 1.7 6 78.4 1.9
产品名 封装V(BR)CES
1200V Trench FS III Modules
Ic@100℃ VCE(sat) VGE(th) Eoff VF
Max Typ Typ Typ Typ
(V) (A) (V) (V) (mJ) (V)
CRGMF50T120FSC Alpha1 1200 50 2 6 1 2.6
CRGMF75T120FSC Alpha1 1200 75 2 6 1.5 2.9
CRGMF100T120FSA3 Alpha1 1200 100 1.95 6 2 2.2
1200V Trench FS III Half-bridge Modules
产品名 封装V(BR)CES
智能功率模块IPM 135 功率器件事业群 华润微电子有限公司自主研发的智能功率模块(IPM)产品,是指将MOS/IGBT+FRD以及驱动
芯片等整合在一起形成带一定功能(温度输出、欠压、过流、过温保护等)的先进功率开关器件,
其需求量不断增加,市场发展潜力较大,广泛应用于消费(风机,泵,白色家电),工业(电机,
泵,变频器),汽车(辅助驾驶、车载空调压缩机)等高压电控领域。
IPM产品从20V~650V多个电压段可供选择:低压(MOS)、500V(MOS)、600V(MOS,
IGBT)、1200(IGBT、SiC)等。在细分市场小功率低压IPM组件普及,IPM受下游应用领域需求
拉动,行业成长性好,由于国内品牌市占率仍然很低,具有很好的发展前景。
CRMICRO针对IPM消费和工业领域开发出不同封装和技术的IPM产品,其集成化高、体积小、
外围电路简单,能提升整个系统方案可靠性和抗干扰能力,与传统分立器件相比优势明显。
智能功率模块-IPM产品 体积小
外围元器件设计简单
可简化工艺生产
集成度高
散热性能好
更灵敏准确的保护功能
产品优势: 应用特性:
智能功率模块-IPM产品命名
CR M 60 X 05 E A
模块产品线产品
电压/10(V) 电流等级(A)
驱动版本:
第一版为“E”,
从“E”开始向后叠加
版本号:
1-9,A-Z
晶圆类型:
T=MOS
G=IGBT
X X
封装形式:
缺省代表SOP-23A
“D”代表QFN7×7
“E”代表SOP-11
“A”代表DIP-23E
“K”代表DIP-25A
“J”代表DIP-24L
“H”代表DIP-24B
......
质量等级:
Q=Automotive
Z=Industrial
S SA SOP-20
C 预留
C*代表宽禁带半导体 IPM系列
S*代表SIP(系统集成 & allinone)级IPM系列
-BD
-BD 代表编带
-LX 代表长脚XX
-SX 代表短脚XX
-AL 为客户定制料号
智能功率模块IPM
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 136
IPM产品列表
Typ Max Typ Max
Ω Ω V V
CRMT����E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � � �.� Y N N N N
CRMT����E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRMT����E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � � �.� Y N N N N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TB��R� QFN �x�-�� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TB��R� QFN �x�-�� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TA��E� DIP-��E �-phase full bridge MOSFET ��� � � �.� Y N N N N
CRM��TA��E� DIP-��E �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TA��E� DIP-��E �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRMT����E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �..� Y N N N N
CRMT����E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� � Y N N N N
CRMT����E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��G��E� SOP-��A �-phase full bridge IGBT ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � �.� � Y N N N N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��GH��E� DIP-��B �-phase full bridge IGBT ��� �� �.� �.� Y Y Y Y N
CRM��GH��E� DIP-��B �-phase full bridge IGBT ��� �� �.� �.� Y Y Y Y N
CRM��GH��E� DIP-��B �-phase full bridge IGBT ��� �� �.� �.� Y Y Y Y N
CRM��GH��E� DIP-��B �-phase full bridge IGBT ��� �� �.� �.� Y Y Y Y N
CRM��TK��E� DIP-��A �-phase full bridge IGBT ��� � N Y Y Y Y
CRM��TK��E� DIP-��A �-phase full bridge IGBT ��� � �.� � Y Y Y Y Y
CRM��GK��E� DIP-��A �-phase full bridge IGBT ��� � �.� �.� N Y Y Y Y
CRM��GK��E� DIP-��A �-phase full bridge IGBT ��� �� �.� �.� N Y Y Y Y
CRM��GK��E� DIP-��A �-phase full bridge IGBT ��� �� �.� �.� Y Y Y Y Y
CRM��GK��E� DIP-��A �-phase full bridge IGBT ��� � �.� �.� Y Y Y Y Y
CRM��TA��E� DIP-��E �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��TA��E� DIP-��E �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� � Y N N N N
CRM��TA��E� DIP-��E �-phase full bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��GA��E� DIP-��E �-phase full bridge IGBT ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��GJ��E� DIP-��L �-phase full bridge IGBT ��� � Y Y Y Y N
CRM��GJ��E� DIP-��L �-phase full bridge IGBT ��� �� Y Y Y Y N
CRM��GJ��E� DIP-��L �-phase full bridge IGBT ��� �� Y Y Y Y N
CRM��TD��R� QFN �x� half-bridge MOSFET ��� � �.�� �.� Y N N N N
CRM��TE��FA SOP-�� half-bridge MOSFET ��� � �.� �.� Y N N N N
CRM��T��E� SOP-��A �-phase full bridge MOSFET ��� � �.�� �.� Y N N N N
SD
RDS(on) at
VCC= 15V
VCE(SAT) at
VCC= 15V
产品名 封装 Configuration Category VOT OTP OCP FO VDS/VCES
(V)
ID/IC
(A)
特种器件产品线
产品线综述
主推产品特性 BJT(Bipolar Junction Transistor)三极管产品作为CRMICRO PDBG最悠久的产品之一,
市场覆盖面广,具有极低的饱和压降和极低的开关损耗,高可靠性的特点。适合开关电路使用。
主要市场包括:电子镇流器,开关电源,充电器,适配器等。
SBD(Schottky Barrier Diode)肖特基势垒二极管产品整合了两种成熟工艺平台,包含平面
型和沟槽型产品。电压范围覆盖范围广(30V-300V)。特别是沟槽型肖特基二极管,具有更低的
导通压降和更低的反向漏电流特性,在高温工作环境下,进一步提高可靠性。被广泛应用在电力
电源.消费电源等领域。PDBG可以为客户提供定制化模块类的产品。
FRED(Fast Recovery Epitaxial Diode)快恢复外延型二极管产品通过采用铂,金等重金属
掺杂工艺,具有低漏电流,高雪崩能力,超快恢复速度,软恢复特性.结温可达175℃等优点,非
常适合通信电源、UPS,太阳能逆变器等高频开关电源的PFC和桥式逆变续流应用。PDBG可以提
供各种电压等级产品。电流能力覆盖1-300A,支持各种工业标准封装类型,客制化产品模块。
硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技
术,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。开关损耗低、反向漏电流小、高温
特性好、合适的开关速度、可靠性高。
Trench MOS 肖特基工艺、极低的导通压降、极低的反向漏电流、低功耗,高效率、
高浪涌能力、静电等级>20KV。
高结温TJ
@max=175℃,VF
/Qrr均衡能力。
电流等级:1A-250A、电压等级:200V、300V、400V、600V、650V、1200V、1700V、
3300V。
全温度范围软恢复特性、产品全电压范围下可通过1000小时高温反偏HTRB测试工业等级
标准、高静电能力。
BJT:
SBD:
FRED:
特种器件 137 功率器件事业群
特种器件产品线
镇流器典型拓扑
开关电源典型拓扑
VT1/T2推荐BJT型号:
VCE:300V/400V 等.
VCB:500V/600V/700V 等.
推荐BJT产品
3DD4540A3
3DD4540A7
3DD4518A6D
3DD4520A3
VT推荐BJT型号:
VCE∶300V/400V/500V 等.
VCB∶600V/700V 等.
推荐BJT产品
3DD4515A3
3DD4515A6
3DD4520A3
3DD4540A7
3DD4550A4
特种器件
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 138
特种器件产品线 电源适配器典型拓扑 充电桩典型拓扑 D1/D2
SBD推荐型号:
100V/150V/200V
10A/20A/30A/40A
SBD推荐产品
CRRF10L100A
CRRF20L100A
CRRT(F)20L100B
CRRT30L100A(B)
CRRT4OL100A(B)
CRRT20L150A
Bridge Diode推荐型号:
1200V,60A
推荐产品:
2CR60K120A8C
PFC Diode推荐型号:
60OV 30A/60A
1200V 30A/50A/75A
推荐产品:
2CR30K60A8C
2CR60K60AND
2CR60K120A8C
Output Diode推荐型号:
1200V 60A/75A
推荐产品:
2CR60K120A8C
特种器件 139 功率器件事业群
特种器件产品线
光伏逆变器典型拓扑
空调典型拓扑
Bypass Diode D1推荐型号:
600V/1200V,45A/65A
推荐产品:
2CR30K60AKD
2CR30K60AK2D
2CR40K120A8C
2CR50K120A8C
2CR60K120A8C
PFC Diode D2推荐型号:
600V 30A/60A
1200V 30A/50A/75A
推荐产品:
2CR30K60A8C
2CR6OK60AND
2CR40K120ABC
2CR60K120A8C
PFC Diode推荐型号:
600V 20A/30A
推荐产品:
2CR20K60A8C
2CR30K60A8C
2CR30K60AN
2CR30K60AKD
特种器件
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 140
BJT Series
产品命名规则
产品线:
3=三极管
D=NPN型硅材料
C= PNP型硅材料
D=低频大功率晶体管
A=高频大功率晶体管
G=高频小功率晶体管
电压值
×10V表示电压值
电流值
×0.1A表示电流值
产品版本
A, B, C...
封装形式
D=内含二极管
R=集成多晶电阻
特种器件 141 功率器件事业群 封装形式 TO-263 TO-92 TO-126FK TO-251 TO-252 TO-126A TO-126 TO-126F TO-220AB
代号 0 1 2 3 4 5 6 7 8
封装形式 TO-220F TO-3PN TO-3P
(H)IS TO-3PL TO-126J TO-251L-1 TO-277B TO-262 D0-201AD
代号 9 N H L J 31 B R D6
封装形式 SOT-89S SOT-223-
3L SOP8 QFN SOT-23 SOT-89 SOT-223 SOD-123 TO-247
代号 U S3 E Q S T 23 D123 K
封装形式 SMBT NSMC SMA MMB DIP8 TO-251L-2 TO-247
Plus TO-247-2L SOT-26
代号 S4 S5 S6 M1 P 32 X K2 S1
BJT Series
产品列表
特种器件
矢志成为世界领先的功率半导体IDM 142
产品名
Typ Typ Typ Typ Typ
SBD Series
产品命名规则
产品线:
R=SBD Current Rating
e.g.10=10A
产品版本
A, B,C�
质量等级:
Q=Automotive
Z= Industrial
Blank=Consumer
封装类型:
R=TO-220
SBD feature:
U=UItra low VF
L= Low VF
M= Normal VF
Breakdown Voltage (V)
e.g.45=45V,
100=100V
封装形式 TO-220 LFPAK5×6 TO-277A SOT-223-3L SOT-89 TO-252 SOP-8L TO-220F TO-263-7P
代号 T Y A B C D E F G
封装形式 TO-251 SOT-23 PDFN3.3×
3.3/DFN3×3 DFN8*8 PDFN5×6/DFN5
×6 TO-92 TO-3PN TO-247 TO-247-4L
代号 H J K L M N P Q QF
封装形式 SOT-26 TO-263 TSSOP-8 DSCQFN5×6 TO-247-2L TO-220F-2L SOT-227 TOLL R-6
代号 R S U MD QT 9C X Z I6
封装形式 TO-220-2L DFN8×8-2L R-6T SOT-23B TO-262 TO-247 Plus TO-263-7 DFN5×6-2L IPM-MSOP8
代号 8C LT I7 JB W QP SP MT EM
封装形式 TSOT-23-6 DFN2x2-6 TO-3PH MSOP-7 SMA CSP WLCSP MSOP-9 FCQFN3×4
MSOP-20
代号 RT V PH SM MA CP CW NM KA
TM
封装形式 TO-247-4A TO-247-4B TO-247PD
代号 QA QB YN
特种器件 143 功率器件事业群




