该页无缩略图
OPSRI研微
研微 (江苏) 半导体科技有限公司PioneerSemiconductorResearch Co.,Ltd
COMPANYPROFILE公司简介
研微(江苏)半导体科技有限公司(简称研微半导体)，总部位于无锡，凝聚了全球薄膜沉积设备领域顶尖人才的跨国研发团队，核心成员由10余位海外博士领衔，其中五人入选国家级人才计划。
公司专注于高端ALD、PECVD以及特色外延设备技术，生产具有自主知识产权且具备国际竞争力的产品，涵盖tALD、PEALD、SIEPI、SiCEPI、PECVD等核心技术，产品广泛应用于高端集成电路、功率器件、射频元件及先进封装领域。
研微半导体打造覆盖设备全生命周期的服务体系，从工艺调试、技术培训到24小时快速响应，依托精密零部件管理体系与稳定供应链，确保客户产线高效运行。通过自主研发的核心技术和敏捷落地的服务网络，持续为半导体产业链提供高价值解决方案。
Pionemid& toptalentsinltsot national-level talent programs.
Tp denttel integrated circuits,powerelectronicdevices,RFcomponents,andadvanced packaging fields.
PSRhasestablisdfullfossidaus Supportedbrecispotaagnttndstabluplyaintompsresintratiofstoeuctil Troughitseeodloiladekislit industry chain.
> 60% > 50% 5研发人员 硕博比例 国家人才
自研 { \mathsf { A l } } 平台赋能设备研发全流程覆盖设计、工艺优化与智能运维
Ourin-house Al platform enables full-cycle equipment R&D, covering design,process optimization and smart maintenance.
研发、洁净室及制造场地建设 Construction Of Research And Development Center,clean Rooms,And Manufacturing Sites
1500m² 10000m² 66亩研发办公 洁净室及制造厂房 总部(规划中)
COMPANYCULTURE企业文化
企业理念/Corporate Philosophy以技术创新为豪与优秀人才为伍
核心价值观/Core values求实 创新 合力 担当
企业愿景/Corporate vision引领原子级制造技术，开拓高端微纳设备前沿
DEVELOPMENTHISTORYCOLLEGECOOPERATION发展历程/高校合作
砥志研思·积微成著
Persevere inresearchandcontemplation, andaccumulatesmall achievementstomakeanotablecontribution
2024·砺进
2024·STRIVING
2025·突围
2025·BREAKTHROUGH
PEALD设备在逻辑，存储及先进封装领域实现重大突破，完成赛道核心布局
首台High-K/Dipole设备成功落地存储大客户
SpritztALD设备成功交付国内逻辑头部企业
SiCEPI设备设备正式交付国内硅材料行业头部企业
登陆央视《强国智造》栏目纪录片“突围”
入选2025中国新晋未来独角兽榜单
通过ISO14001环境管理体系与ISO45001职业健康安全管理体系双认证
2026·聚力 2026·MOBILIZING
荣登投中榜2025年度锐公司百强，树立半导体设备国产化创新标杆
落地近7亿元重磅A轮融资，一线产业资本聚力助推高端薄膜沉积设备国产替代
新金属ALD设备正式交付国内存储大客户，赋能国产存储芯突围
亮相SEMICONChina2026上海国际半导体展，斩获行业权威年度新锐企业奖
开启名校优生研学开放日，接待东南大学集成电路师生参访，深化校企人才协同
首台AuroalisPECVD交付逻辑大客 户
SiCEPI设备在重要客户端量产再度交付
合作高校COLLEGECOOPERATION
公司和新加坡国立大学商学院和计算机学院共同成立研究中心：商业大数据分析中心(BusinessAnalyt-icsCenter)，合作重点研究用于制造业的生成式人工智能(AIGC)技术。此外，公司还和多家国内知名高校开展有项目合作、研究生联合培养、学术交流等。
CUSTOMERSUPPORT&QUALITYCOMMITMENT客户支持/质量承诺
提供全方位的现场支持建立完善的零部件管理体系严格落实质量方针健康环境与信息技术安全方针
√
服务保障 Serviceassurance
质量承诺 Quality commitment
技术支持Technical support
客户至上 Customerfirst
研微半导体打造覆盖设备全生命周期的服务体系，从工艺调试、技术培训到24小时快速响应，依托精密零部件管理体系与稳定供应链，确保客户产线高效运行。通过自主研发的核心技术和敏捷落地的服务网络，持续为半导体产业链提供高价值解决方案。
产品质量，是我们永恒的追求。从供应链的精细管理到生产工艺的严格把控，再到出厂前的多重检测，每个环节都倾注了我们对品质的执着，确保出厂设备性能卓越、稳定可靠，以高品质助力您在市场取得优势。
技术支持，是我们坚守的承诺，我们深知，技术是推进产业发展的核心动力，因此十几名海外名校半导体资深博士不断投入研发，追求国际领先的创新技术，为您前沿技术的开发支持保驾护航。
客户至上，是我们不变的信条。每一步都追求卓越，个性化服务，定制化方案，携于共进，与您共铸半导体的辉煌未来。
PARTNERSHIP&RECOGNITION产学合作与行业认可
研微持续深化与高校及科研机构的合作，参与行业交流，致力于开放共创与技术共同进步，赢得了行业伙伴与客户的广泛认可。
荣誉见证
HONOR&RECOGNITION
荣获行业权威奖项，肯定我们的技术实力与创新价值。
1 项 10+项 20+项 权威奖项 行业认可 资质荣誉
校企合作ACADEMICCOLLABORATION
联合高校与科研机构，开展产学研积极参与行业展会与技术论坛，开放合作，整合资源，持续投入协同创新，推动前沿技术研究与分享实践经验，促进技术交流研发与工艺创新，为行业发展成果转化。
行业交流INDUSTRYEXCHANGE
积极参与行业展会与技术论坛，分享实践经验，促进技术交流与合作共赢。
持续创新 CONTINUOUSINNOVATION
开放合作，整合资源，持续投入研发与工艺创新，为行业发展注入新动能。
PRODUCTMATRIX 产品矩阵
Spritz系列产品ShowerheadThermalALD
喷淋头热场原子层沉积设备
ShowerheadThermal AtomicLayerDeposition研微热原子层沉积设备(ShowerheadThermalALD):Spritz，基于喷淋头腔体架构，采用了多腔设计，搭配高产能的Celeritas-8传输和智能化的Exsequi软件平台，极大的提升了设备的产能和稳定性。此外SpritzthermalALD配备了先进的进气、混气以及匀流系统，可以极大的提升薄膜均匀性并降低颗粒的产生，多区温控系统能有效的降低喷淋头区域的颗粒的产生，原位清洗能有效提升腔体寿命并极大降低客户的使用成本。
SpritzthermalALD可广泛用于HKMG金属层沉积、NANDWL、DRAMbWL和SN区域的薄膜填充。
支持工艺
MetaIs:TiN、WCN、WN、MoN、TiAIC、MLMo、TiAIN、LFW、FFWOxides: A 1 _ { 2 } O _ { 3 } 、IGZO、HfO、HfSiO、HfZrO、AIZrO、HfAIO、ZrO、InO、GaO、TiO、TiZrO
8
核心优势
多腔设计
统一平台
智能软件
多腔设计，单位时间产能是目前业界产品的数倍，并降低用户使用成本
3
搭配研微统一的高产能的多腔Celeritas-8平台，可在同一平台集成不同薄膜的叠层，提升整体薄膜叠层性能，并降低用户使用成本
M
智能化的Exsequi软件平台可以实现设备指纹采集，监控预警，SPC和Trend Log关联分析等
工艺调节
腔体自清洁
硬件设计升级
通过DOE可实现领先业界 的薄膜均匀性、污染、杂 质、台阶覆盖率，电学性 能等
£□ □→
原位清洗，可以实现三倍腔体寿命并且有效帮助控制颗粒污染；
多种硬件CIP可以进一步提升薄膜均匀性和量产稳定性，达到了全球领先水平。
沟
市场应用
Logic HKMG、DRAMbWL/SN区域填充、NANDWL、CIS、DTC、MIM
Fluxus系列产品CrossflowThermal ALD
层状流热场原子层沉积设备
CrossflowThermal Atomic Layer Deposition研微热原子层沉积设备(CrossflowThermalALD):-Fluxus，基于层状流腔体架构，创新性的多腔设计，搭配高产能的Celeritas-8传输和智能化的Exsequi软件平台，极大的提升了设备的产能和稳定性。此外FluxusthermalALD配备了多种先进的核心部件，极大的提升了腔体稳定性、薄膜均匀性、腔体寿命，如最先进的固体源传输系统有效的保证了反应源传输的稳定性，WaferIndexing系统能有效的帮助薄膜均匀性的提升。
FluxusthermalALD可被用于LogicFEOLHigh- * \vert Dipole、DRAMPeriHigh-k等薄膜沉积。
支持工艺
{ \mathsf { H f O } } _ { 2 } . 、HfSiO、ZrO、LaO、 \mathsf { A l } _ { 2 } \mathsf { O } _ { 3 } , 、HfZrO、HfAIO
8
核心优势
多腔设计 统一平台 智能软件
00 3 M
0 多腔设计，单位时间产能是 搭配高产能的多足多腔 智能现e目前业界同类产品的数倍产能需求 控预警、SPC和TrendLog关联分析等工艺调节 反应源输出稳定 核心部件涂层升级通过DOE可实现领先业界的 品 反应源传输系统采用业界 核心腔体部件进行了关键薄膜均匀性、污染、杂 最先进的固体源传输系 表面处理，可使得反应腔质、台阶覆盖率、电学性 统，有效提高反应源传输 的使用寿命达到了业界领能等 的稳定性 先水平
金
市场应用
逻辑FEOLHigh-k/Dipole、DRAMPeriHigh-k、CIS、MIM
等离子体增强原子层沉积设备Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
Auratus系列产品PEALD
研微等离子体增强原子层沉积设备Auratus，搭载高产能平台Celeritas-8，支持8片晶圆在独立反应腔内成膜，同时满足高产能和高膜质的需求。Auratus系列产品凭借极致的ALD小腔体，优化的流场、热场及RF回路设计，具有高稳定性、高腔体间匹配度、高稼动率、低前驱体消耗等优势，为集成电路和先进封装等客户提供高效稳定的量产解决方案。
支持工艺
LTO、HTO、HQO、SiN、TiO
8
核心优势
我
市场应用
Logic、DRAM、3D NAND、先进封装、CIS
Auratus-Q系列产品PEALD
等离子体增强原子层沉积设备
Plasma EnhancedAtomicLayerDeposition研微高产能等离子体增强原子层沉积设备Auratus-Q，支持16片晶圆在独立反应腔内成膜，满足客户更高产能的需求。Auratus-Q搭载高精密旋转传片系统，在原有Celeritas-8平台上实现产能翻倍，坪效比提升接近1倍。同时Auratus-Q系列继承Auratus系列PEALD产品的优势，可实现Auratus系列工艺无缝转化。
支持工艺
LTO、HTO、HQO、SiN、TiO
8
核心优势
金
市场应用
Logic、DRAM、3DNAND、先进封装、CIS
Perfectus-R系列产品RP EPI
减压外延设备Reduced Pressure Silicon Epitaxy研微减压外延设备(RPEPI):Perfectus-R，硅外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，Perfectus-R主要应用于异质外延层(SiGe/Si或是SiP/Si)生长。旨在逻辑芯片高端CMOS工艺上提高电子或是空穴的迁移率，进而提升器件性能。
支持工艺
异质外延层(SiGe/Si或SiP/Si等）
8
核心优势
M
产能提升
模拟优化反应腔设计
产能提升至原来1.5倍，更 低的CoO
3
电性和缺陷控制
模拟优化反应腔设计，以达到Wafer膜厚和掺杂的均匀性、中间-边缘可调性等性能要求
适用于Channel/NMOS/P-MOS应用，卓越的电性和缺陷控制
顶尖性能
品
操作系统和分析平台
顶尖的机台稳定性、可靠性和安全性，多层次硬件和软件安全互锁测试
优秀软件操作系统和智能数据分析平台，世界顶尖工艺/硬件客户服务团队
轮
市场应用
高端芯片所需的NMOS、PMOS、ChannelSi、ChannelSiGe、纯Ge
Perfectus-A系列产品AP EPI
常压外延设备Atmospheric PressureSilicon Epitaxy研微常压外延设备(APEPI):Perfectus-A，硅外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，Perfectus-A主要应用于同质外延层(Si/Si)生长，用于制造半导体分立器件和集成电路，通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性。
支持工艺
2\~7.5um逻辑芯片外延片/功率器件50-120um厚外延 CMOSimagesensor(CiS)5.4um
8
核心优势
模拟优化反应腔设计
模拟优化反应腔设计，以达到晶圆膜厚和掺杂的均匀性、中间-边缘可调性等性能要求
智能软件
研微自主研发的智能软件平台Exsequi达成顶尖的机台稳定性、可靠性和安全性，多层次硬件和软件安全互锁测试
8
操作系统和分析平台
优秀软件操作系统和智能数据分析平台，世界顶尖工艺/硬件客户服务团队
市场应用
硅片外延层、功率器件、CIS传感器、MEMS
Torridus系列产品SiC EPI
碳化硅外延设备Silicon Carbide Epitaxy
研微碳化硅外延设备(SiCEPI):Torridus，搭载研微自主研发的硬件及智能控制系统：Exsequi，用于第三代半导体碳化硅芯片的核心工艺环节-同质外延，兼容6寸和8寸晶圆，是一款工艺指标优异、维护频率低、产能高的碳化硅外延生长设备。
8：8
支持工艺
碳化硅同质外延(N型，P型)
8
核心优势
1
产能提升
产能提升至原来1.2\~1.4 倍，更低的CoO
模拟优化反应腔设计
模拟优化反应腔设计，以达到Wafer膜厚和掺杂的均匀性、中间-边缘可调性等性能要求
顶尖的机台稳定性
顶尖的机台稳定性，可靠性和安全性：多层次硬件和软件安全互锁测试
顶尖性能
优秀软件操作系统和智能数据分析平台，世界顶尖工艺/硬件客户服务团队
國
完整工艺及设计方案
8寸设备可兼容6寸，提供完整工艺及设计方案
金
市场应用
储能、充电桩、光伏、轨道交通、新能源汽车
AuroalisLK系列产品PECVD
等离子体增强化学气相沉积设备Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition研微等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)：Auro-alisLK，搭载研微双反应平台Celeritas-8C，支持8片晶圆在独立反应腔内成膜，同时满足高产能和高膜质的需求。LK系列腔体通过优化的热场、流场及液源汽化保证了工艺的高稳定性；通过优化的清洁方式降低颗粒污染并提高清洁效率。LK系列产品应用于BEOL互连中的多种LoWK材料，为从平面架构到高深宽比3D结构的广大客户群提供用于多种器件类型和工艺节点的解决方案。
支持工艺
LowK、Ultra LowK、Dense LowK、Enhanced LowK
8
核心优势
市场应用
Logic、DRAM、CIS等
AuroalisUV系列产品UVCure
紫外照射处理设备UltravioletCure
研微紫外照射处理设备(UVCure):AuroalisUV，搭载研微双反应平台Celeritas-8C，支持8片晶圆在独立反应腔内成膜，同时满足高产能和高膜质的需求。UV系列腔体通过优化的热场及流场设计保证了工艺的高稳定性；通过优化的反射材料设计提高对应波段反射率；腔室组件材料和表面处理流程的优化使得颗粒问题得到有效控制。UV系列产品应用于UItraLoWK、HTN和FCVD等工艺的紫外照射处理，为从平面架构到高深宽比3D结构的广大客户群提供用于多种器件类型和工艺节点的解决方案。
支持工艺
UV Cure
8
核心优势
市场应用
Logic、DRAM、CIS等
AuroalisSiH4/TEOS系列产品PECVD&SACVD
等离子体增强及次常压化学气相沉积设备Plasma EnhancedandSub-AtmosphericChemicalVaporDeposition研微等离子体增强及次常压化学气相沉积设备(PECVD&SACVD):AuroalisSiH4/TEOS，搭载研微双反应平台Celeritas-8C，支持8片晶圆在独立反应腔内成膜，同时满足高产能和高膜质的需求。
SiH4/TEOS系列腔体通过优化的热场、流场及RF回路设计保证了工艺的高稳定性；腔室组件材料和表面处理流程的优化使得颗粒问题得到有效控制；陶瓷静电吸盘选项为解决晶圆翘曲问题提供了保障。SiH4/TEOS系列产品应用极为广泛，为从平面架构到高深宽比3D结构的广大客户群提供用于多种器件类型和工艺节点的解决方案。
支持工艺
PESiH4-SiO/SiN/SiON/SiOC、PETEOS、SATEOS、LT-SiO、LT-SiN
8
核心优势
M 产能提升平台设计 陶 热场、流场、优设计 0 射频设计优化计沃 腔体组件材料优化 然 智能软件互体验的软件 统一平台一平台，降低学设计 习和维护成本
福沟
市场应用
Logic、DRAM、3DNAND、CIS、先进封装、功率器件等
Elegito系列产品ALE
原子层刻蚀设备Selective Etch
研微原子层刻蚀设备(Selective Etch):Elegito,所采用的原子层精密(ALE)是一种高端的刻蚀技术，可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。随着器件微结构尺寸越来越小，要达到器件的更高性能可以通过ALE技术所具有的精度来实现。
支持工艺
原子层SiGe/Si刻蚀、SiO刻蚀、Si刻蚀、SiN刻蚀、Carbon碳刻蚀
8
核心优势
顶尖性能
高均匀性、高选择比和低颗粒度
蒴
热场、流场优化
基于仿真的热场、流场设计
O
智能软件
注重人机交互体验的软件设计
！
统一平台
多款产品统一平台，降低学习和维护成本
市场应用
Logic、DRAM、NAND、第三代半导体
研微（江苏）半导体科技有限公司
Pioneer Semiconductor Research Co.,Ltd
C 0510-83557707
http://www.psrsemi.com
江苏省无锡市经济开发区大通路18号
江苏省无锡市经济开发区震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼22层 22F,Building1,the Taihu Lake Bay InformationTechnology Industrial Park,No.688, Zhenze Road,Wuxi Economic Development Zone,Jiangsu Province
区
区
区
销售咨询Sales Inquiry
信息咨询 Information Inquiry info@psrsemi.com 人才招聘 Talent Recruitment
区
供应链合作
supplychaincollaboration
sourcing@psrsemi.com
sales@psrsemi.com hr@psrsemi.com
