集成电路领域良率管理领导者

CONTENT目录

01 公司概况

公司简介 01
公司荣誉 02

02 产品介绍

电子束缺陷检测设备EBI 03
关键尺寸量测设备CD-SEM 04
电子束缺陷复检设备DR-SEM 05
高能电子束设备HV-SEM 06
计算光刻平台PanGen 07
严格光刻仿真软件PanGenSim 08
良率管理软件YieldBook 09
HPO软件产品PanGenTotalMask 10

03 公司服务

服务体系

公司简介

东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司成立于2014年，总部位于北京经济技术开发区，在深圳、上海、青岛、武汉、日本设有子公司。东方晶源致力于为客户提供独立自主的综合良率优化解决方案，主要产品包括纳米级量检测设备和制造类EDA软件等，目前已广泛应用于国内逻辑、存储、第三代半导体等多领域头部企业。

经过多年持续自主研发，公司现已成功推出多款自研的软、硬件产品，形成了多元化的芯片制造良率提升工具布局。硬件产品包括CD-SEM（电子束关键尺寸量测设备）、EBI（电子束缺陷检测设备）、DR-SEM（电子束缺陷复检设备）和HV-SEM（高能电子束设备）四款用于集成电路前道工艺的电子束量检测设备；软件产品主要是计算光刻软件等通过优化改进光刻工艺以提高晶圆制造良率的集成电路制造类EDA软件。

公司荣誉

公司先后承担了国家科技重大专项（02专项）、国家某部委科技攻关项目等十余项国家/地方科研项目，是我国集成电路发展的重要力量。

公司是国家级专精特新重点“小巨人”企业和国家级高新技术企业，拥有北京经济技术开发区博士后工作站、北京市企业技术中心、新区企业研发机构等政府认定的高水平研发中心。

公司曾荣获北京市首台（套）重大技术装备（CD-SEM、EBI和PanGen）、半导体投资联盟产业链突破奖(DR-SEM）、2022年“科创中国”先导技术（装备制造领域）、第七届“IC创新奖”-成果产业化奖、第五届"IC创新奖”-技术创新奖、北京市知识产权优势单位、北京市独角兽企业和北京民营企业科技创新百强等荣誉。

电子束缺陷检测设备

EBI

应用电子束扫描技术对晶圆表面进行高分辨率成像，通过智能算法检测出晶圆上的电性和物理缺陷，是芯片制造过程中良率提升的关键设备，适用于 2 2 8 \mathsf { n m } 制程集成电路的缺陷检测。

迭代历程

2019年

首台自研EBI出机，进入产线验证，打破国外垄断。

2021年

首台国产EBI获得客户验收，在产线得到应用。

2022年

第二代EBI出机，覆盖逻辑芯片、闪存存储芯片制造。

2024年

第三代EBI出机，吞吐量提升3倍。

2025年

全新一代EBI出机，突破百纳安级大束流成像和主电子束预扫PCC功能。

核心技术能力

尊

制程覆盖

女

☆

高深宽比结构缺陷检测

≥28nm制程全面检测能力，覆盖3DNAND产品关键站点检测场景，关键DOI捕获率 5 9 5 % 0

灵活扫描模式

支持超大束流预充电PCC功能，覆盖高深宽比结构缺陷检测。

支持StepScan/ContinuousScan双模式，灵活适配不同产线需求。

☆

增强检测技术

支持大功率激光辐照增强技术与Negativemode，拓展检测边界。

校

智能缺陷分析

基于深度学习的缺陷自动分类（ADC）算法，大幅提升良率分析效率。

关键尺寸量测设备 CD-SEM

通过对电子束显微图像进行关键尺寸的量测，实现关键工艺参数的监控，是芯片制造过程中质量控制的关键设备，适用于≥28nm制程集成电路的量测。

迭代历程

2021年

首台国产12英寸CD-SEM出机，打破国外垄断。

2022年

首台国产8英寸CD-SEM出机，支持第三代半导体客户；第二代12英寸CD-SEM出机。

2023年

第三代CD-SEM出机，量测精度与吞吐量相对前代提升 30 % 以上；CD-SEM离线设定工具oDASV1.0版本对外发布。

2025年

新一代CD-SEM出机，搭载全新高速传片平台，集成全新自研电子光学系统，实现成像分辨率和量测重复精度双重突破。

2026年

新一代CD-SEM取得国内头部标杆客户的批量订单，验证结果显示公司产品的技术指标与国际厂商主流设备相当。

核心技术能力

☆

量测场景全覆盖

电荷补偿功能

支持Line/Space、Hole/Elliptic、LER/LWR、SADP、GAP等多种量测算法，全面覆盖各类量测场景。

校

多探测器混合成像

配备晶圆表面电荷补偿功能，可有效控制荷电效应对量测性能的影响。

多探测器信号混合成像，可满足多种成像需求。

拉

全自动校准监测

全面自动校准及监测系统，确保量产稳定性。

校

离线Recipe编辑

基于设计版图文件离线编辑Recipe，提升产线调试与切换效率。

电子束缺陷复检设备 DR-SEM

基于高分辨率电子束成像，实现缺陷的形貌表征与能谱成分分析，是监控和控制芯片制造序列中各步骤质量的关键设备，适用于 2 2 8 \mathsf { n m } 制程集成电路的缺陷复检。

迭代历程

2023年

国内首台12英寸DR-SEM进入产线验证，获得国内头部客户订单。

2024年

第二代DR-SEM出机客户，采用全新硬件平台。

2025年

全新一代DR-SEM出机，集成全新自研的电子光学系统，实现1.4纳米分辨率，5通道探测器同时成像。

2026年

DR-SEM取得国内头部标杆客户的批量订单，验证结果显示公司产品的技术指标与国际厂商主流设备相当。

核心技术能力

☆

纳米级精准定位

高景深成像

校

离线程序建立与缺陷复检

提供纳米级定位精度，确保多场景缺陷复检稳定性。

高景深用于检测高宽深比结构和晶圆边缘斜面成像。

支持离线检测程序建立与全自动缺陷复检，提升缺陷复检效率。

女

高分辨率晶圆检测

校

深紫外无图案晶圆检测

☆

新兴化合物半导体检测

表面和亚表面晶圆缺陷的高分辨率成像和深层信息检测。

深紫外无图案晶圆检测结合自动缺陷成分分析，快速分析关键缺陷成因。

支持新兴化合物半导体检测、自动处理不同厚度的晶圆。

高能电子束设备 HV-SEM

利用高能电子束对半导体三维结构进行高深宽比量测、套刻精度量测，并可选配集成缺陷检测功能，适用于3D-NAND、DRAM及≤14nmLogic等先进制程。

迭代历程

2024年

国内首台套HV-SEM进入客户产线完成软硬件算法联调验证。

2025年

全新一代HV-SEM提升至45keV成像能力，着陆能量达到国际主流水平，进入头部客户产线验证。

核心技术能力

女

高动能电子束成像

女

高端应用领域

☆

大数据分析赋能

全新一代HV-SEM着陆能量可45keV，解决先进制程的量测难点。

10:1\~50:1的高深宽比结构量测，“透视”成像，In-die SEMOverlay。

搭配自研的大数据可视化分析平台，配备数据统计、区域分析等丰富功能，助力工艺窗口优化，缩短研发周期，提升产线效率。

☆

自研探测器

自研SE/BSE多探测器同步成像，为3D结构量测提供丰富信息。

女

算法多样性

基于CAD的灵活量测算法，可实现HVCD、CDU、OVL等应用。

计算光刻平台

PanGen

计算光刻是连接芯片设计和制造的关键技术，应用于光刻掩模版优化，是保证硅片最终图像不失真的关键软件，也是决定产品良率的重要环节。该产品已应用于国内存储厂商和逻辑厂商，先进制程全覆盖，取得多个重复订单。

迭代历程

2017-2020年

依托国家02重大专项，推出V1.0版本交付客户，打破国外在相关领域的垄断局面，在28nm产线得到验证。同时提出基于GPU框架的ILT解决方案。

2021-2022年

产品加速迭代至V3.0版本，功能进一步完善，支持国产计算生态适配，并满足14nm节点OPC需求。

2023年-2024年

迭代至V5.0版本，完成刻蚀模型与DesigntoContour引擎开发，推出大芯片解决方案，支持硅光OPC，满足7nm节点OPC需求。

2025年

PanGenv6.0版本发布交付客户，完成curveILT产品的开发并支持repairflow，支持多次成像刻蚀模型。

核心技术能力

女

自主可控国产工具

AI驱动版图可制造性

依托国家02重大专项支持，自主开发的计算光刻国产工具。

基于AI的版图可制造性审查技术，提前识别设计风险，提升芯片良率。

女

反向光刻技术

先进节点GPU加速的全芯片反向光刻(ILT）掩模优化技术。

总

先进节点全覆盖

提供180nm至国内最先进节点计算光刻完整解决方案。

AI赋能EtchModel

AI技术与物理模型深度融合，发布全球首款可商用EtchModel产品。

量测-检测-光刻综合优化

实现量测、检测与计算光刻的全流程综合优化平台。

严格光刻仿真软件 PanGen Sim

作为聚焦光刻过程的专业仿真工具，PanGen Sim基于物理模型精准建模，可精确模拟光刻工艺全流程，通过预测关键工艺参数，助力工程师优化工艺方案，为半导体先进工艺的开发与优化提供技术支撑。

迭代历程

2023年

首次发布PanGenSimV1.0版本，作为一款完全国产化的严格仿真工具，打破严格仿真工具被西方所垄断的局面。首次在客户端获得硅片数据验证，能够精确拟合光刻胶形貌，CD误差在 : ± 1 0 % 以内。

2024年

NTD光刻胶模型开发完成，大规模硅片数据拟合机制就绪。

2025年

产品功能持续优化，新增支持W3D仿真功能。2.0版本完成深度重构与升级，产品核心性能比肩国际主流水平，稳居国内同类产品前列。

核心技术能力

￥

大规模分布式运算

☆

负显影收缩效应建模

工艺窗口分析优化

支持大规模分布式运算，高效完成复杂光刻工艺的仿真计算。

支持负显影工艺的收缩效（ShrinkageEffect）建模。

提供工艺窗口分析工具，支持光刻胶膜层参数优化、CDSwingCurve分析、掩模误差增强因子（MEEF）分析。

校

全流程光刻模拟

☆

光刻模型校准

提供完整的曝光过程到显影过程的光刻模拟，精准还原工艺细节。

提供光刻模型校准工具，基于切片SEM数据加CD-SEM数据进行光刻建模。

良率管理软件 YieldBook

基于自研PanGen GPU算力平台开发的一体化数据管理系统，集成数据管理、数据分析与AI模型辅助功能。其构建从芯片设计诊断到量产良率提升的全流程分析闭环，可广泛应用于半导体领域IDM、Fab、Fabless及OEM企业。

迭代历程

2022年

YieldBookV1.0版本发布。

2023年

YieldBookV2.0版本发布，具备DMS、YMS、MMS功能，全面满足FAB各岗位用户的良率分析、量测数据管理需求。

2024年

对DMS、YMS、MMS三大核心模块进行深度迭代优化，成功实现市场销售突破，YieldBook迈入商业化赋能新阶段。

2025年

增加PatternDB相关功能，与EDA工具进行交互，打通DFM与DTCO所必需的数据通路，实现设计-制造-设计优化的闭环，加速芯片从设计到量产的良率爬坡。

核心技术能力

女

完全自主

分布式数据库

AI赋能良率管理

拥有完全自主知识产权，助力半导体良率管理领域国产化进程。

分布式数据库，先进技术加持，保障系统高效。

利用AI建立工艺与良率模型，并进行良率数据的管理、分析和预测。

女

全产业链数据集成

拉

高扩展性

集成全产业链多类数据，覆盖功能全面。

系统高扩展性，灵活适配企业业务升级，有效节省运维成本、提升效益。

Defect Map Gallery Defect Classification CP Map Gallery

Defect Pattern DB

设计与良率数据的统一管理平台

HPO软件产品 PanGen Total Mask

PanGen TotalMask系列产品提供AI赋能的掩模全流程一体化计算光刻解决方案，打通设计、掩模制造、刻蚀的全流程，缩短Mask交付周期，提升光刻良率。

迭代历程

2025年

PanGen DMC/PanGen PHD/PanGenvPWQ等新产品在多家Fab开展验证评估，助力客户良率提升效率。

2026年

基于AI的vPWQ产品首次获得长期商业订单。

设计可制造性检查软件PanGenDMC

☆

产品功能

芯片版图正式送晶圆厂流片前，依托AI技术对输入版图开展快速可制造性仿真检查，提前识别光刻工艺潜在风险。

技术原理

通过AI学习海量OPC仿真数据集，构建版图到光刻轮廓的预测模型，无需执行完整OPCRecipe运算即可实现快速预测，缩短设计收敛周期。

图形化工艺坏点仿真检测软件PanGenPHD

拉

产品功能

融合光刻建模、复杂版图SEM图像处理与AI辅助建模技术，搭建动态光刻坏点预测模型，实现掩模版坏点仿真检测。

☆

技术原理

独立于OPC模型，基于SEM数据建模；并借助AI实现工艺Terms随制程动态选代，可持续纳入新增量测数据，形成动态坏点预测模型。

工艺窗口验证仿真检测软件PanGenvPWQ

☆

产品功能

采用AI与传统刻蚀仿真混合建模技术，将坏点仿真检测覆盖范围由光刻延伸至刻蚀工艺；依托AI框架实现多重图形化（MPT）的多步工艺联合仿真，为晶圆厂输出刻蚀环节工艺窗口验证仿真结果。

女

技术原理

物理 + \mathsf { A l } 模型相结合，提升精度的同时防止过拟合；支持从海量SEM图像提取Contour数据，进一步防止过拟合；支持随量测数据动态演进，适配MPT工艺。

服务体系Service System

三级响应机制， 7 x 2 4 小时客户服务。
以客户为中心，从产品研发到售后服务全方位围绕客户展开。

MoreThan OPC More Than E-Beam Al-Enabled SolutionsProvider