同惠发展历程
每一次跨越都是一个里程碑
| 1994年 1995年 | 创建 新技术 业开发区同惠电 公司 获得常州质量技术监督局颁发的“制造计量器具许可证” 获江苏省技术监督局“计量器具质量年先进企业”称号 |
| 1999年 2001年 2002年 2003年 2004年 2005年 2006年 2007年 | 公司更名为“常州市同惠电子有限公司 取得常州高新区天山路地段6000m国有土地50年使用权 公司整体迁入常州新北区天山路3号新厂区 通过IS09000:2000质量管理体系认证 整体收购天山路1号土地及附属建筑,并与现有厂区连成一体,公司总体扩大至占地14000m, 建筑面积8200m 被江苏省科技厅认定为“高新技术企业” 被“中国电子仪器行业协会”接纳为正式会员 TH2818自动元件分析仪荣获“常州市科技进步奖”二等奖;同时荣获“江苏省科技进步奖”三等奖 被评为“常州市新北区十佳民营高新技术企业” TH2828精密LCR数字电桥被确认为“江苏省重点科技攻关项目” TH196161/2位台式数字多用表被认定为常州市重点科技攻关项目 被常州市银行协会认定为“常州市信贷诚信企业” |
| 2008年 2009年 | 荣获"2007第二届大中华区电子变压器电感器行业用户最满意测试仪器供应商"称号 成立例行试验室,可对产品的机械、温度、湿度、安全、电源适应性,电磁兼容等多种性能指标进行完整测 通过CMMI软件管理国际认证 按照2008国家新颁布的《高新技术企业认定管理方法》,再次被认定为“江苏省高新技术企业” 取得自营进出口权 被江苏名牌事业促进会和江苏省质量监督管理委员会授予"江苏名牌产品"称号 |
| 2010年 2011年 | 荣获“2009第三届大中华区电子变压器/电感器行业用户最满意测试仪器供应商”称号 荣获天工尊首届工业品评选电子行业最具影响力“十大品牌” 荣获《国外电子测量技术》 “2010电子测量仪器产品应用情况调查服务理念奖” |
| 2012年 | 被常州市科学技术局授予"常州市电子元件测量仪器工程技术研究中心" 公司改制成“常州同惠电子股份有限公司” |
| 2014年 | TH2141型脉冲峰值电压表荣获《国外电子测量技术》“2012电子测量仪器产品数字电压表/多用表类产品设计奖” 荣获《国外电子测量技术》“2013电子测量仪器产品应用情况调查服务理念奖” |
| 被中国电子展组委会授予“中国电子展明星企业”称号 隆重举行同惠电子成立20周年庆祝典礼 | |
| 2015年 | 同惠在新三板挂牌上市(企业简称:同惠电子;股票代码:833509) |
| 2016年 | TH2826系列高频LCR数字电桥获常州市科技进步奖二等奖 被常州市工商行政管理局授予"守合同重信用企业"称号 |
| 2017年 | 同惠商标被认定为常州市知名商标 |
| 2017年常州市创新创业大赛一等奖 2017年获“江苏省科技成果转化专项资金”资助 | |
| 2018年 | 2017年当选为中国电子仪器行业协会第八届理事会副理事长单位 荣获2018年度江苏省科学技术奖三等奖 |
| 2019年 | 再次被认定为“江苏省高新技术企业” |
| 2020年 | 2019年常州市创新创业大赛二等奖 中国机械工业科学技术二等奖 |
| 被评为腾云驾数优秀企业 | |
| 电力电子测试仪被认定为江苏省专精特新产品 能量回馈式可编程大功率直流电源的研发获得2020年常州市创新创业大赛三等奖 | |
| 2021年 | “TH2839精密阻抗测试仪”产品被认定为2020年度常州市重大装备及关键部件 |
| 2021年1月11日在全国股转系统精选层挂牌交易 2021年8月荣获AAA级企业信用等级 | |
| 2021年8月荣获诚信经营立信企业 | |
| 江苏省创新创业大赛一等奖 | |
| 2021年9月公司整体迁入常州新北区新竹路1号新厂区 再次被认定为“江苏省高新技术企业” | |
| 2022年 | 2022年同惠电子获得“常州市工人先锋号”荣誉称号 |
| 2023年 | 获得国家专精特新小巨人企业 被认定为“江苏省企业技术中心” |
| 2023年通过能源管理体系认证 | |
| 2023年当选为常州市电子信息产业协会第七届理事会副会长单位 | |
| 荣获第八届“创客中国”江苏省中小企业创新创业大赛十佳双创好项目 | |
| 实施“532”战略,推动高质量发展中荣获常州市先进集体荣誉 | |
| 2024年 | |
| 隆重举行同惠电子成立30周年庆祝典礼 | |
| 荣获“产教融合优秀合作企业(2024年)” | |
| 企业信用评价AAA级信用企业 | |
| 2025年 | 荣获首届“未来20·2024中国A股上市公司成长力年度企业”称号 |
Companyintroducti公司介绍
常州同惠电子股份有限公司创建于1994年,是一家集研发、制造、销售、服务于一体的国家级高新技术企业。公司于2021年9月整体迁入占地面积45亩,建筑面积30000平米的花园式现代化新厂房。公司现有员工300余人, 7 5 % 以上具有大专及以上学历,研发人员占员工总数的 2 5 % 以上。
公司紧跟时代发展的脉搏,制定并践行“智能测试、高效测试、精准测试、工业互联”的发展战略,倡导“专业、专注、专心”的匠心精神,始终致力于电子测量测试仪器的技术进步,尤其在精密阻抗测量领域具有三十余年测试理论、测试技术和实践经验的积累。公司顺应国家对科学测量仪器高质量发展的高度关注和大力支持,并基于对半导体和新能源行业发展的重要性及良好市场前景的深刻理解,加大投入全力研发半导体和新能源行业产业链所需测试测量仪器,不断打破国外垄断和卡脖子风险,实现进口替代,并致力于成为国际高水平的电子测量测试综合解决方案供应商。
同惠始终把研发投入视为公司发展的基石,多年以来研发投入占公司营收的比例一直保持在 1 5 % 以上。经过持续高比例的研发投入,公司具备了较强的自主研发能力和技术优势,目前在硬件测试、嵌入式软件与算法、总线、系统集成、工业互联等方面积累了诸多核心技术成果,目前拥有授权专利83件(其中发明56件),在审发明专利21件,软件著作权68件。公司先后成功研制出国内首创甚至国际水平的优秀产品:如130MHz超高测试频率的TH2851系列精密阻抗分析仪、TH199X系列源表/测量单元、TH510系列功率半导体C-V特性测试仪、TH2690系列飞安表、TH521系列器件分析仪等,均是填补国内空白,可实现进口替代的高价值产品。
经过三十年的技术沉淀与积累,公司产品线不断丰富,产品技术性能不断突破,市场占有率不断提升,已成为中国电子元器件测量仪器领军企业。公司目前主要产品系列为:元件参数测试仪器、半导体器件测试仪器、绕线元件测试仪器、线束线缆测试仪器、电气安规测试仪器、微弱信号测试仪器、电力电子测试仪器、台式数字多用表、电源/电池综合性能测试系统等大类,400余个型号的测试仪器产品。广泛应用于半导体、新能源、3C消费电子、5G通讯、电力电子、家用电器等领域的科研与生产测试中。公司始终坚持以创新的解决方案帮助客户解决测量难题、提高测试效率与产品品质,努力为客户创造更大价值。
公司在良好的发展过程中不断取得新的资质和荣誉:“国家高新技术企业”、“国家级专精特新小巨人企业”、“江苏省企业技术中心”、“江苏省工业设计中心”、“江苏省磁性元器件智能电子测量仪器工程技术研究中心”等。公司承担过科技部中小企业创新基金项目2项、江苏省科技成果转化和省工信厅产业转型升级专项资金项目各1项、江苏省重点研发项目2项及其它多项江苏省/常州市科技计划项目。曾获得多项部/省/市级科技奖励,包括江苏省创新创业大赛一等奖、机械工业联合会科学技术二等奖、中国仪器仪表学会科技进步二等奖、江苏省科学技术三等奖3项、常州市科技进步二等奖2项、常州市创新创业大赛一/二/三等奖多项。
“实现顾客满意”是同惠始终坚持的营销准则。公司已建成多层次的市场营销模式,在全国20多个省市建立了营销和服务网络,为客户提供优质的产品和服务,贴近客户、倾听客户,构建与客户合作、沟通和交流的快捷通道,为客户创造价值。海外市场已成为公司发展的重要组成部分,已在北美、欧洲、东南亚、南亚等地建立了营销网络并取得了较好的成果,使来自中国的高科技产品同样能满足世界客户的需求。
公司于2021年1月在新三板精选层挂牌上市,同年11月成为北交所首批上市企业。展望未来,同惠将继续以务实稳健的姿态,肩负起更多社会责任,以国际化的视野和胸怀,奉献创新成果,共享发展价值。同惠一携手同心,惠及未来!
手册目录
Manual Catalog
| 产品名称 | 主要参数 | |||
| 型号 TH521系列 | 功率器件分析仪 | 3.5kV/1800A的工作范围 | 页码 P1-9 | |
| TH530系列 | 半导体器件雪崩能量测试仪 | 2500V雪崩电压 | 200A峰值电流 | P1-9 |
| TH300E | 微电子教学实验系统 | P1-9 | ||
| TH2851/2853系列 | 射频阻抗分析仪 | 1MHz-5GHz | P1-9 | |
| TH2851系列 | 精密阻抗分析仪 | 10Hz-130MHz | 1mΩ-100MΩ阻抗 0.08% | P10-20 |
| TH2848系列 | 精密阻抗分析仪 | 4Hz-10MHz | 10mΩ-100MΩ阻抗 0.05% | P21-31 |
| TH2839系列 | 阻抗分析仪 | 20Hz-10MHz | 0.1mHz步进 0.05% | P32-39 |
| TH2840系列 | LCR数字电桥 | 20Hz-2MHz 0.1mHz步进 | 0.05% | P40-47 |
| TH2816+系列 | LCR数字电桥 | 50Hz-200kHz 7位读数 | 0.02% | P48-51 |
| TH1779A | 直流偏置电流源 | 0Hz-2MHz | 单机0-50A,并机8台至400A | P52-54 |
| TH510系列 | 半导体器件C-V特性分析仪 | 1kHz-2MHz Ciss.Coss | ±00V/+1500V/ | P55-65 |
| TH500系列 | 功率半导体器件PIV测试系统 | 双脉冲,200ns脉宽,栅极:±25V/±1A,16Bit分辨率; 漏极:250V/33A,18Bit分辨率 | P66-67 | |
| TH199X系列 | 精密源/测试单元 | 输出/测量分辨率:6.5位; 电压:±210V;电流:±3A/10.5A(脉冲) | P68-74 | |
| TH193X系列 | 低噪声精密电源 | 输出分辨率:6.5位/测量分辨率:4.5位; 电压:±210V;电流:±3A/10.5A(脉冲) | P75-82 | |
| TH2690系列 | 飞安表/皮安表/静电计/高阻计 | 1000V、0.01fA、1000PΩ、1fC | P83-87 | |
| TH1953/TH1963/ TH1963A型 | 台式数字多用表 | 1199999读数 1000次/s采样 | 10000存储 | P88-89 |
| TH1941/TH1942型台式数字多用表 | 21000/51000读数 | 25次/s采样 | P90 | |
| TH1912系列 | 数字交流毫伏表 | 5Hz-3MHz/5MHz 50uV-300V | 2% | P91 |
| TH7200系列 | 线性可编程交/直流电源 | 线性 | 交流/直流/交直流 500W/1kW | P92-98 |
| TH6400系列 | 三通道可编程直流电源 | 多通道,线性 程控,4.3时液晶 | 3/4通道 | P99-101 |
| TH6420系列 | 多通道可编程直流电源 | 多通道,线性 | 程控,LED显示 3/4通道 | P102-105 |
| TH6430系列 | 多通道可编程线性源载一体电源 | 多通道,线性 | 源载一体,LED显示 4CH源/2CH载 | P106-110 |
| TH6600系列 | 可编程双向回馈式大功率直流电源 | 回馈式 源载一体 | 5kW-15kW | P111-121 |
| TH8300系列 | 可编程直流电子负载 | 模块式,程控,2/5模组(5/10通道) | 模组W-4率00W P122-126 | |
| TH8400系列 | 可编程直流电子负载 | 经济型,程控,25k动态、500k采样 | 175W-2kW P127-131 | |
| TH3300系列 | 数字功率计 | 单通道,精密型、交直流、谐波、电 能、波形图 | 0.15%,450Hz P132-134 | |
| TH342X系列 | 数字功率计 | 1-4通道,交直流、谐波、电能、波形 图、矢量分析 | 0.15%,450Hz P135-139 | |
| TH344X系列/ | 数字功率计 | 1-交直流、谐波、电能、波形 | 0.1%,100kHz P140-144 | |
| 同惠电子测量仪器产品线 | P145 | |||
RS232 USBHOST 。 GPIB
LAN
Python (支持测试脚本编程TestScript program)
简要介绍
·TH521系列功率器件分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案,可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件,让其电力电子产品发挥最大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数,包括IV参数(击穿电压和导通电阻)、三端FET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的TH521系列功率器件分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。
应用领域
·半导体功率器件二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析
·半导体材料晶圆切割、C-V特性分析
·液晶材料弹性常数分析、液晶切割
·电容元件电容器C-V特性测试及分析,电容式传感器测试分析
性能特点
TH521的常规特性
·高达3.5kV/1800A的宽广工作范围
·从 \mathsf { - 5 0 } ^ { \circ } \mathsf { C } 到 + 2 5 0 ^ { \circ } \mathsf { C } 的全自动快速热测试
·自动创建功率器件(半导体和元器件)的技术资料
·自动记录功能可防止数据丢失
·Al辅助编写python测试脚本
TH521IV套件特性
可对封装和晶圆上器件进行全自动快速IV测量(Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等)
·窄IV脉冲宽度(最窄 1 0 \mu \mathbf { s } ^ { { { \prime } } } )可防止器件自发热,更准确地测试器件实际性能
·示波器视图(时域视图)可以监测实际电压/电流脉冲波形,以便进行准确测量
·配置可以灵活选择(电流范围可从20A到200A、600A或1800A灵活选择),CV和Qg作为选配
TH521套件的完整特性
·IV套件的全部特性
·测量封装器件在 3 . 5 \mathsf { k V } 以内的晶体管输入、输出和反向传输电容(Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres)以及栅极电阻(Rg)
·测量封装器件的栅极电荷(Qg)曲线
·计算功率损耗(传导、驱动和开关损耗)
尺寸/重量
主机 体积(mm):430(W)x 311 ( H ) x 600 (D)净重:约34.5kg/35kg
扩展器 体积(mm):425 (W)x 365(H)x 590 (D)净重:约22 kg/33.5kg
附件
标配附件:电源线×2三同轴测试线×12高压三同轴测试线×1DigitalJo线缆×1键盘/鼠标三端器件测试夹具 (TH521-1)
选配附件:Mfcmn连接线缆(TH521-5)Ceg测试夹具(TH521-3)
产品型号
| TH521-02-20 | IV: 200V/20A | TH521-35-20 | IV: 3500V/20A |
| TH521-02-20C | IV: 200V/20A,CV: 10MHz, Qg | TH521-35-20C | IV: 3500V/20A,CV: 10MHz, Qg |
| TH521-02-200 | IV:200V/200A | TH521-35-200 | IV:3500V/200A |
| TH521-02-200C | IV: 200V/200A,CV: 10MHz,Qg | TH521-35-200C | IV: 3500V/200A,CV: 10MHz,Qg |
| TH521-02-600 | IV:200V/600A | TH521-35-600 | IV:3500V/600A |
| TH521-02-600C | IV: 200V/600A,CV:10MHz,Qg | TH521-35-600C | IV: 3500V/600A,CV: 10MHz, Qg |
| TH521-02-1800 | IV:200V/1800A | TH521-35-1800 | IV:3500V/1800A |
| TH521-02-1800C | IV: 200V/1800A,CV: 10MHz, Qg | TH521-35-1800C | IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg |
| TH521-02-600 IV: 200V/600A 对数电流(A) IV: 200V/600A, UHCU TH521-02-600C CV: 10MHz, TH521-02-600, HPSMU200V TH521-02-600C MPSMU HVSMU 对数电压(V) TH521-35-600, in TH521-35-600C TH521-35-600 IV:3500V/600A 漏极,集电极电源IV工作范围 IV: 3500V/600A, TH521-35-600C CV: 10MHz, Qg TH521-02-1800 IV:200V/1800A Qg |
IGBT的可测量参数和图表
| 参数 | 参数 | ||
| BVDsS | 漏极-源极击穿电压 | BVCES | 集电极-发射极击穿电压 |
| lDss | 漏极漏电流 | lcEs | 集电极漏电流 |
| GsS(+) | 栅极漏电流(栅极正向偏置) | IGES(+) | 栅极漏电流(栅极正向偏置) |
| lGss(-) | 栅极漏电流(栅极反向偏置) | lGES(-) | 栅极漏电流(栅极反向偏置) |
| VGS(t) | 栅极阈值电压(VGS=VDS) | VGE(t) | 栅极阈值电压(VGE=VCE) |
| VGS(th) | 栅极阈值电压(恒定VDS) | VGE(th) | 栅极阙值电压(恒定VCE) |
| gfs* | 跨导 | gfs* | 跨导 |
| Rps(on) | 漏极-源极导通电阻 | VF | 续流二极管正向电压 |
| VDs(on) | 漏极-源极导通电压 | Rg | 内部栅极电阻 |
| VSD | 体二极管正向电压内部栅极电阻 | Cies | 输入电容 |
| Rg | 内部栅极电阻 | Coes | 输出电容 |
| Ciss | 输入电容 | Cres | 反向传输特性 |
| Coss | 输出电容 | Qg | 总栅极电荷 |
| Crss | 反向传输特性 | Qgs | 栅极-发射极电荷 |
| Qg | 总栅极电荷 | Qgc | 栅极-集电极电荷 |
| Qgs | 栅极-源极电荷 | Vge(pl) | 栅极-发射极平台电压 |
| Qgd | 栅极-漏极电荷 | ||
| Vgs (pl) | 栅极-源极平台电压 | ||
| 曲线 | 曲线 | ||
| Ib-VDs | VGS变化时的ID-VDS曲线 | Ic-VCE | VGE恒定时的IC-VCE曲线 |
| ID-VGs | VDS 恒定时的ID-VGS曲线 | lc-VGE | VCE恒定时的IC-VGE曲线 |
| Gfs-VGs* | VDS 恒定时的Gfs-VGs曲线 | gfs-VGE* | VCE 恒定时的Gfs-VGE曲线 |
| VCE-VGE | VCE(sat)集电极饱和电压 | ||
| RDs(on)-D | VGS变化时的RDS(on)-ID曲线 | IF-VF | 续流二极管正向特性 |
| RDs(on)-VGs | ID变化时的曲线RDS(on)-VGS曲线 | VCE-VGE | IC变化时的VCE-VGE曲线 |
| VDs-VGS | ID变化时的曲线VDS-VGS曲线 | C-V | 电容-VCE曲线(包括Cies、Coes和 Cres) |
| ls-Vs C-V | 内置二极管的正向电流特性 电容-VDS曲线(包括Ciss、Coss和 Crss) | Qg-Vge | 栅极电荷-VGE曲线 |
| Qg-Vgs | 栅极电荷-VGS曲线 | ||
BJT的可测量参数和图表
参数
二极管的可测量参数和图表
| IcEO | 集电极截止电流 |
| lEBO | 发射极截止电流 |
| hft* | 直流电流增益 |
| VcE(sat) | 集电极-发射极饱和电压 |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和电压 |
| VBE(on) | 基极-发射极导通电压 |
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 |
| V(BR)EBO | 集电极-基极击穿电压 |
| 参数 | |
| VDC | 直流阻断电压 |
| VF | 正向电压 |
| IR | 反向电流 |
| C | 总电容 |
图形
1 _ { C } - V _ { C E } (20 IB变化时的IC-VCE曲线 hfe-lc\* VCE恒定时的hfcl曲线 \boldsymbol { \mathsf { V } } _ { \mathtt { C E } ^ { \mathtt { k } ^ { \star } } } (204号 VCE恒定时的VBE-IC曲线
图形
1 _ { F } - V _ { F } (204号 正向特性\boldsymbol { \mathsf { I } } _ { \mathsf { R } } { \mathsf { - } } \boldsymbol { \mathsf { V } } _ { \mathsf { R } } (204号 反向特性C-V 电容-反向电压特性
元器件的可测量参数和图像
| 电感器 | 连接器 | ||
| L | 零偏置电流时的电感 直流电阻 | 参数 | |
| RDC | R (contact) | 接触电阻 | |
| BV | 耐电压 | ||
| 电阻器 | Leak | 漏电流 | |
| R | 指定电压下的电阻 | R(insulatin) | 绝缘电阻 |
| C (insulation) | 绝缘电容 | ||
| 分流电阻器 R | 图形 R-I | 接触电阻与传导电流 | |
| 指定电流下的电阻 | |||
| 电容器 | 电缆 | ||
| 参数 | 参数 | ||
| C | 零偏置电压时的电容 | C | 电容 |
| C(biased) | 电压系数电容 | R(nulatin) | 绝缘电阻 |
| Leak | 漏电流 | R (conduction) | 传导电阻 |
| R (nsulatin) | 绝缘电阻 | ||
| 图形 | 图形 | ||
| R-I | 接触电阻与传导电流 | ||
| C_V | 电容-电压特性 | ||
元器件的可测量参数和图像
继电器
光电耦合器
参数
| R(contact) | 接触电阻 |
| R (coll) | 线圈电阻 |
| R (open contats) | 开路触点之间的绝缘电阻 |
| R(col-otat) | 线圈与触点之间的绝缘电阻 |
| V(pick-up) | 吸合/置位电压 |
| V (drop-out) | 释放/复位电压 |
| l(operating) | 工作电流 |
| C(open conacts) | 开路触点之间的电容 |
| C(ol-contat) | 线圈与触点之间的电容 |
参数
| VF | LED正向电压 |
| IR | LED反向电流 |
| CT | LED总电容 |
| BVCEO | 检测器集电极-发射极击穿电压 |
| BVECO | 检测器发射极-集电极击穿电压 |
| ICEO | 检测器集电极暗电流 |
| Cce | 检测器集电极-发射极电容 |
| VcE(sat) | 检测器集电极-发射极饱和电压 |
| CS | 输入-输出电容 |
| RS | 绝缘电阻 |
| Bvs | 绝缘电压 |
图形
R-I 传导电阻与传导电流
图形
1 _ { F } - V _ { F } 正向电流与正向电压 \mathsf { I } _ { \mathsf { F P } } { - } \mathsf { V } _ { \mathsf { F P } } (204号 脉冲正向电流与脉冲正向电压 { \mathsf { I } } _ { \mathtt { C } } { - } { \mathsf { V } } _ { \mathtt { C } \ E } (204号 集电极电流与集电极-发射极电压 \boldsymbol { \mathbf { l } } _ { \mathtt { C } } \mathtt { - } \boldsymbol { \mathbf { l } } _ { F } (204号 集电极电流与正向电流 \mathsf { C } _ { ∞ } { - } \mathsf { V } _ { \mathsf { C E } } (204号 集电极-发射极电容与集电极-发射极电压
固态继电器
参数
VE LED正向电压 VR LED反向电压 IF(on) LED工作电流 IF (oft) LED关断电流 R (on) 导通电阻 \mathsf { I } _ { ( { l e a k } ) } (204号 关断状态漏电流 C(out) 输出电容 C (iso) I/O电容 R(1so) I/O绝缘电阻
图形
\boldsymbol { \mathsf { I } } _ { \mathsf { F } } { \mathsf { - } } \boldsymbol { \mathsf { V } } _ { \mathsf { F } } (204号 正向电流与正向电压 (20 u _ { L } - v (204号 输出电流与输出电压 \mathsf { I } _ { ( { o f f } ) } - \mathsf { V } _ { \mathsf { L } } 关断状态漏电流与负载电压 (204号 \mathsf { C } _ { ( { o u t } ) } \mathsf { - V } _ { \lfloor \mathsf { L } \rfloor } (204号 输出电容与负载电压
技术叁数
| MCSMU | |||
| 电压范围、分辨率和精度 | |||
| 电压量程 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+mV+mV) | 最大电流 |
| 200mV | 200nV | ±(0.06 + 0.14 + lo × 0.05) | 1A |
| 2V | 2uV | ±(0.06 +0.6 + lo x 0.5) | 1A |
| 20V | 20uV | ±(0.06 +3 + lo x 5) | 1A |
| 40V | 40uV | ±(0.06 +3 + lo x 10) | 1A |
| 电流范围、分辨率和精度 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+A+A) | 最高电压 |
| 10μA | 10pA | ±(0.06+1E-8+Vo x1E-10) | 30V |
| 100uA | 100pA | ±(0.06 +2E-8 +Vo x1E-9) | 30V |
| 1mA | 1nA | ±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) | 30V |
| 10mA | 10nA | ±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) | 30V |
| 100mA | 100nA | ±(0.06 +2E-5+Vo x 1E-6) | 30V |
| 1A | 1uA | ±(0.4+2E-4 +Vo x1E-5) | 30V |
| 典型分辨率 | 61%位 | ||
| 最大电压 | ±30V | ||
| 最小电流 | 10pA | ||
| 脉冲最大占空比 | 5%(峰值超过100mA时) | ||
| 脉冲最小宽度 | 10us | ||
| 脉冲最大宽度 | 100ms(峰值超过100mA时) | ||
| 直流最大电流 | ±100mA | ||
| 脉冲最大峰值 | ±1A | ||
| 脉冲最大基值 | ±50mA(峰值超过100mA时) | ||
| HCSMU | |||
| 电压范围、分辨率和精度 | |||
| 电压量程 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+mV+mV) | 最大电流 |
| 200mV | 200nV | ±(0.06 + 0.6 + lo x 0.05) | 20A |
| 2V | 2uV | ±(0.06 + 0.6 + lo x 0.5) | 20A |
| 20V | 20uV | ±(0.06 +3 + lo x 5) | 20A |
| 40V | 40uV | ±(0.06 +3 + lo x 10) | 1A |
| 电流范围、分辨率和精度 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+A+A) | 最高电压 |
| 10uA | 10pA | ±(0.06+ 1E-8 + Vo X 1E-10) | 40V |
| 100μA | 100pA | ±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) | 40V |
| 1mA | 1nA | ±(0.06+2E-7 +Vo x1E-8) | 40V |
| 10mA | 10nA | ±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) | 40V |
| 100mA | 100nA | ±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) | 40V |
| 1A | 1uA | ±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) | 40V |
| 20A | 20uA | ±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4) | 20V |
| 典型分辨率 61/位 | |||
| 最大电压 | ±40V | ||
| 最小电流 | 10pA | ||
| 脉冲最大占空比 脉冲最小宽度 | 1% (峰值超过1A时) | ||
| 50us | |||
| 脉冲最大宽度 | 1ms (峰值超过1A时) | ||
| 直流最大电流 | ±1A | ||
| 脉冲最大峰值 | ±20A | ||
| 脉冲最大基值 | ±100mA (峰值超过1A时) | ||
| MPSMU | |||
| 电压范围、分辨率和精度 | |||
| 电压量程 100mV | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+mV+mV) | 最大电流 |
| 1V | 100nV | ±(0.06 + 0.14 + lo × 0.05) | 100mA 100mA |
| 10V | 1uV 10uV | ±(0.06 +0.6 + lo x 0.5) ±(0.06+3+lo x 5) | 100mA |
| 100V | 100uV | ±(0.012 + 2.5 + lo x 10) | 20mA(≥40V) 50mA(≤40V) 100mA(≤20V) |
| 电流范围、分辨率和精度 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+A+A) | 最高电压 |
| 10nA | 10fA | ±(0.1+ 1E-12 + Vo x1E-14) | 100V |
| 100nA | 100fA | ±(0.05 +2E-11 +Vo x1E-13) | 100V |
| 1uA | 1pA | ±(0.05 + 1E-10 + Vo x1E-12) | 100V |
| 10uA | 10pA | ±(0.04 +2E-9 + Vo x 1E-11) | 100V |
| 100uA | 100pA | ±(0.03+ 3E-9 + Vo x 1E-10) | 100V |
| 1mA | 1nA | ±(0.03 +6E-8 + Vox 1E-9) | 100V |
| 10mA | 10nA | ±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) | 100V |
| 100mA | 100nA | ±(0.04 +6E-6 + Vo x 1E-7) | 100V(≤20mA) 40V(≤50mA) 20V(≤100mA) |
| 典型分辨率 最大电压 | 61/位 | ||
| 最小电流 | ±100V 10fA | ||
| HVSMU | |||
| 电压范围、分辨率和精度 | |||
| 电压量程 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度±(%+mV) | 最大电流 |
| 200V | 200uV | ±(0.03+40) | 8mA |
| 500V | 500uV | ±(0.03+100) | 8mA |
| 1500V | 1.5mV | ±(0.03+300) | 8mA |
| 3500V | 3.5mV | ±(0.03+600) | 4mA |
| 电流范围、分辨率和精度 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+A+A) | 最高电压 |
| 10nA | 10fA | ±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) | 3500V |
| 1uA | 1pA | ±(0.05 + 1E-9 + Vo × 8E-12) | 3500V |
| 100uA | 100pA | ±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) | 3500V |
| 10mA | 10nA | ±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) | 1500V |
| 典型分辨率 61位 | |||
| 最大电压 | ±3500V | ||
| 最小电流 | 10fA | ||
| MFCMU | |||
| 频率 | 频率范围 | 1kHz~10MHz | |
| 最小频率分辨率 | 1mHz | ||
| 频率精度 | ±0.008% | ||
| AC电平 | 电平范围 | 0~1V | |
| 分辨率 | 0.1mVrms | ||
| 精度 | ±(10%*设定值+2mV) | ||
| DC偏置 输出阻抗 | 范围 | 0~±25V | |
| 分辨率 | 1mV | ||
| 准确度 | 1%*设定电压+8mV | ||
| 100Ω | |||
| 测试端配置 | 四端对 | ||
| 测试时间 电容 | 显示范围 | 0.05plc~100plc(1plc=20ms) | |
| 最高准确度 | 0.00001pF~9.99999F 0.1% | ||
| UHCU | |||
| 电压范围、分辨率和精度 | |||
| 电压量程 | 测量分辨率 | 输出分辨率 | 输出/测量精度±(%+mV) |
| 60V | 100uV | 200uV | ±(0.2+10) |
| 6V(仅测量) | 10uV | ||
| 电流范围、分辨率和精度 | 测量分辨率 输出分辨率 | 输出/测量精度(%+A+A) | |
| 200A | 500uA | 1mA | ±(0.6+0.3+0.01*Vo) |
| 600A | 500uA | 1mA | ±(0.6+0.3 + 0.01*Vo) |
| 1800A | 2mA | 4mA | ±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
| 脉冲最大占空比 | 0.4%(600A量程);0.1%(1800A量程) | ||
| 脉冲最小宽度 | 10us | ||
| 脉冲最大宽度 | 1ms(600A量程);500us(1800A量程) | ||
| 脉冲最大峰值 | 200A、600A、1800A | ||
| 脉冲分辨率 | 2us | ||
| HVMCU | |||||
| 最大输出规格 | |||||
| + 3500V/4mA +1500V/8mA | |||||
| 峰值输出规格 | |||||
| 电压范围 峰值功率 | |||||
| ±2200V 600W | |||||
| ±1500V 900W | |||||
| 电压范围、分辨率、精度 | |||||
| 电压范围 | 设置分辨率 | 测量分辨率 | 设置精度1.2.3±(%+V) | 测量精度1.2± (%+V) | |
| ±2200V ±1500V | 3mV 1.5mV | 3mV 3mV | ±(5+20) ± (5+20) | ± (0.8+1.8) ± (0.8+1.8) | |
| 1:测量精度:±(读数的6%+固定电压偏移) 2:精度定义条件:在1.1A档位和2.5A档位下,以100us脉冲测试;在100mA档位下,以1ms脉冲 | |||||
| 3:设定精度:在开路条件下定义 | |||||
| 电流范围 测量分辨率 | 电流范围、分辨率、精度12 测量精度1± (%+A+A) | ||||
| ±2.5A | ± (0.9+4E-3+Vo×3E-7) | ||||
| ±1.1A | 4uA 4uA | ± (0.9+4E-3+Vo×3E-7) | |||
| ±110mA 200nA ± (0.9+2E-4+Vo×3E-7) | |||||
| 1:当电流大于1.1A时,厂家提供额外的性能说明或参数限制。 2:相关的精度或特性是在对20个采样点取平均值的条件下有效。 | |||||
| 脉宽和分辨率 | |||||
| 输出范围 | 脉宽 | 分辨率 | |||
| 1500V/2.5A | 10us-100us | 2us | |||
| 2200V/1.1A | 10us-100us | 2us | |||
| 2200V/110mA | 10us-1ms | 2us | |||
| 补充特性(HVMCU充电电容0.22uF) | |||||
| 输出电阻范围 | |||||
| 标称值 600Ω | |||||
| 1500V/2.5A | 2000Ω | ||||
| 2200V/1.1A | |||||
| 2200V/110mA | 20000Ω | ||||
| HPSMU | |||
| 电压范围、分辨率和精度 | |||
| 电压量程 200mV | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+mV+mV) ±(0.06 + 0.14 + lo x 0.05) | 最大电流 |
| 100nV | 1A | ||
| 2V 20V | 1uV | ±(0.06 + 0.6 + lo x 0.5) | 1A |
| 200V | 10uV 100 μV | ±(0.06+3+lo x 5) ±(0.012 + 2.5+ lo x 10) | 1A 50mA |
| 电流范围、分辨率和精度 | 输出/测量分辨率 | 输出/测量精度(%+A+A) | 最高电压 |
| 10nA | 10fA | ±(0.1+1E-12 +Vo X1E-14) | 200V |
| 100nA | 100fA | ±(0.05 +2E-11 +Vo x1E-13) | 200V |
| 1uA | 1pA | ±(0.05 + 1E-10 + Vo X1E-12) | 200V |
| 10uA | 10pA | ±(0.04 + 2E-9 +Vo x 1E-11) | 200V |
| 100μA | 100pA | ±(0.03+3E-9 +Vo x1E-10) | 200V |
| 1mA | 1nA | ±(0.03 +6E-8 +Vox1E-9) | 200V |
| 10mA | 10nA | ±(0.03 +2E-7 + Vo x 1E-8) | 200V |
| 100mA | 100nA | ±(0.04 + 6E-6 + Vo X 1E-7) | 200V |
| 1A | 1uA | ±(0.4 + 15E-5 + Vo x1E-6) | 200V |
| 典型分辨率 最大电压 ±200V | 6%位 | ||
| 最小电流 10fA | |||
| 插槽号 | TH521-35-20 | TH521-35-20C | TH521-35-200 | TH521-35-200C | TH521-35-600 | TH521-35-600C | TH521-35-1800 | TH521-35-1800C |
| 0 | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU |
| 1 | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU |
| 2 | Empty | MFCMU | Empty | MFCMU | Empty | MFCMU | Empty | MFCMU |
| 3 | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU |
| 4 | Empty | MCSMU | Empty | MCSMU | Empty | MCSMU | Empty | MCSMU |
| 5 | HCSMU | HCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU |
| 6 | HVSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU HVSMU | MCSMU HVSMU | MCSMU | MCSMU | |
| 7 | ||||||||
| 8 | HVSMU HVSMU | HVSMU | HVSMU | |||||
| 9 | Empty/MCSMU (选配HVMCU) | |||||||
| 10 | Empty/MCSMU (选配HVMCU) | |||||||
| 插槽号 | TH521-02-20 | TH521-02-20C | TH521-02-200 | TH521-02-200C | TH521-02-600 | TH521-02-600C | TH521-02-1800 | TH521-02-1800C |
| 0 | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU | GNDU |
| 1 | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU | MPSMU |
| 2 | Empty | MFCMU | Empty | MFCMU | Empty | MFCMU | Empty | MFCMU |
| 3 | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU |
| 4 | Empty | MCSMU | Empty | MCSMU | Empty | MCSMU | Empty | MCSMU |
| 5 6 | HCSMU | HCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU |
| MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | MCSMU | |||
| 7 | HPSMU | HPSMU | HPSMU | HPSMU | HPSMU | HPSMU | HPSMU | HPSMU |
| 8 9 | Empty | |||||||
| 10 | Empty | |||||||
TH530系列
半导体器件雪崩能量测试仪
4个型号可选
RS232 USB HOST HANDLER 。 LAN
OGPIB
简要介绍
TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS(EAS)、EAR参数测量问题的解决方案。
主要用于测量MOSFET、IGBT、Diode和双极性器件(带钳位)的雪崩击穿特性(电压、能量等)。通过给被测器件施加可控制的感性能量,判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件,就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。
尺寸/重量
体积(mm):350(W)x122(H)x425(D) 重量:约50kg
附件
| 标配 | 三芯电源线 | |
| 附件: | TH530-01(必选,需另外购买) | 可编程电感负载箱 |
| TH26092B | 电感箱控制线缆 | |
| TH530-A58 | GATE连接线 | |
| TH530-A59 | DS连接线 | |
| TH530-ManualTestSocket | TH530-手动测试夹具盒 | |
性能特点
·单通道和双通道N/P或组合器件测试(MOSFET、IGBT以及二极管)
·可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备
·支持单脉冲雪崩测试(EAS)、重复雪崩能量测试(EAR)、重复脉冲至失效测试(RPF)
·高速校准DAC可提升测试精度
·用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠
·漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻,提供报错提示(LED)
·可设栅极驱动电压(最大电压差:30V,最大电压值:28V)适应不同被测件所需
·可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测件当前状态
·高速固态开关、带故障检测功能
·高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉
·7寸24位色TFLCD电容式触摸屏,中英文可选操作界面,用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示
·提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘
·仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故障问题
·配备简单自动校准程序,用户可现场进行校准
·配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN□。LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时测试波形时,可使用LAN口搭配上位机程序查看每一一次的波形数据
·可与TH530-01可编程电感负载箱(0.01至 1 5 9 . 9 { m H } 或外部电感器配合使用
·可外接示波器触发器输出,同步可视化雪崩测试过程,用于准确测量雪崩时间
应用领域
·功率半导体的研发与制造评估半导体器件的雪崩耐量,确保其能承受电路中感性负载关断时产生的高压尖峰,保证出厂质量的可靠性。例如:IGBT、MOSFET、功率二极管。
·电源设备设计与验证验证设备在输出短路等异常情况下,功率器件是否能承受因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如:开关电源、逆变器等设备的功率器件。
·新能源汽车与工业驱动确保器件能应对电机启动、堵转等特殊工况下感性负载产生冲击电流和电压尖峰,确保系统安全。例如:电机控制器(如变频器、伺服驱动器)中功率开关器件。
| 型号 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B | ||
| 雪崩电压 | 2500V | |||||
| 峰值电流 | 100A | 200A | ||||
| 通道数 | 1 | 2 | 1 | 2 | ||
| 28 *参数如有修改恕不另行通知以最新资料为准 | ||||||
功能特点
A.泄漏测试:可选择启用
每次雪崩测试前,在栅极电压设置为0的情况下,用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上,读取电流检测器测量值。根据测试仪的设置,可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流,而是确定被测件或测试夹具中是否存在短路的简单测试。
测试仪内部的漏电稳压器电压可从2V设置到为被测试装置雪崩测试设置的漏极电压。漏电流大于1mA会被检测为漏电故障。漏电流最大限制为8mA。
B.雪崩测试原理
当高速开关和被测件接通时,漏极电流增加,到达指定的比较点时,高速开关与栅极关断,断开漏极电压电源。关断时,电感中存储的能量会产生较高的电压,迫使被测件(以NMOS为例)进入雪崩状态,电流路径由续流二极管维持。因此,电感器中存储的所有能量都转移到了被测件上。此时电感上能量即为设定的可控击穿能量,也即NMOS的雪崩能量(EAS)。
C.测试结果波形
TH530可捕捉被测设备的电压和电流波形,测试仪可将波形保存到测试结果文件中,在显示屏幕上用户最多可查看最近四次的波形数据。
为便于用户查看,测试仪默认同时显示电压电流波形,用户仍可触摸“电压”或“电流”来单独查看对应波形。
| 型号 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B |
| 雪崩电压 | 2500V | |||
| 峰值电流 | 100A 200A | |||
| 通道数 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 输出能量限制 | 1mJ至0.00495*VDD²mJ | |||
| 负载电感范围 | 0.01mH至159.9mH,其中 0.01mH至10.0mH,步长为0.01mH | |||
| 电流传感器类型 | 0.02mH至159.9mH,步长为0.1mH 霍尔传感器 | |||
| 峰值电流范围 | 0.1-200A,步进为0.1A | |||
| 漏极电压范围 | ±(10-150)V(N或P沟道),步进0.1V | |||
| 额定电压范围 | 10-2500V,步进为1V | |||
| 栅极导通电压范围 | ±(2-28)V(N或P沟道),步进为0.1V | |||
| 栅极关断电压范围 | 0至(28V-栅极导通电压),步进为0.1V | |||
| 泄漏测试 (雪崩前、雪崩后) | 2至(设定漏极电压-2)V | |||
| 栅极条件 | 栅极驱动电阻:25Ω 栅极电压精度:(-28V±0.5V)至(28V±0.5V) | |||
| 交流电压输入 | 栅极脉冲时间小于1ms 105至125VAC和210至250VAC50/60Hz可选 | |||
| 波形捕捉和分析 | 波形数据可在液晶屏幕上显示 | |||
| 设备类型 | N、P沟道MOSFET、IGBT、二极管 | |||
常州同惠微电子教学实验系统
>>>顺应科技发展,引领人才教育
科技是第一生产力,人才是第一资源。
教育的首要任务是快速提升人才培养质量,顺应新时代的发展步伐,从产业需求及国际形势出发,我国急需培养出一大批能够开展理论研究、半导体设计、掌握工艺流程以及研发管理的复合型人才,这就对高等教育的专业基础实践课程提出了更高的要求。
同惠电子成立以来一直专注于测量测试领域,结合自身在微电子和半导体领域的测量测试经验,多年的产学研合作经验以及上下游厂商对于人才能力的要求,针对性的设计了微电子实验系统,将实践落实到教学,测试理念引入到教学环节中,为微电子和半导体实践教学提供了新的方向。
微电子教学平台基本特点
1.丰富的实验项目
微电子教学实验系统提供了多达九种实验项目,涵盖了微电子学、集成电路设计等方面。这些实验项目旨在帮助学生全面了解微电子学的基本原理和集成电路设计的方法。
2.灵活的实验配置
根据不同的教学需求和实验课程设置,微电子教学实验系统支持多种不同的实验配置。学生可以根据自己的兴趣和需求选择合适的实验项目,进行个性化的学习和实践。
实验平台采用模块化设计,可根据不同教学需求、实验课程、方案预算等进行任意配置。
3.先进的实验设备
微电子教学实验系统采用了先进的实验设备和技术,如科技产品:半导体CV特性测试仪、数字示波器、双通道数字源表、信号源等,这些设备可以为学生提供真实的现实微电子设计、制造及测试环境,有利于学生毕业后更快适应微电子行业环境。
4.易于操作的学习平台
微电子教学实验系统采用了直观的操作界面和友好的人机交互设计,图文化教学使学生能够轻松地学习到微电子、集成电路、测试仪器的基本原理及实验操作。同时,实验台还提供了详细的实验步骤和故障排除指南,帮助学生解决实验过程中遇到的问题。
.微电子教学实验系统总体方案
1.肖特基势垒特性及杂质的测量
2.电阻式传感器的工作原理与测量
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 | 掌握肖特基二极管的结构 | TH511E半导体器件CV特性分析仪 |
| 固体物理基础 | 掌握肖特基势垒结的形成原理 | TH1992B精密源/测量单元 |
| 半导体材料基础 | 掌握肖特基二极管的整流特性和势垒电容 | TH26011D直流偏置夹具 |
| 电子薄膜材料与器件 | 学会测量肖特基二极管的C-V特性 | 半导体元件实验盒 |
| 学会计算杂质浓度 |
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 硅光测试实验 | 掌握各种不同电阻式传感器原理 | TH511E半导体器件CV特性分析仪 |
| 掌握LCR测量阻抗方式 |
3.场效应晶体管直流参数测试
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 | 掌握MOSFET基本结构与工作原理 | TH1992B精密源/测量单元 |
| 固体物理基础 | 掌握MOSFET各参数的定义 | 半导体元件实验盒 |
| 半导体材料基础 | 掌握测量MOSFET转移特性曲线与输出特性曲线的方法 | 直流特性测试软件 |
| 模拟集成电路 |
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 | 掌握稳压二极管工作原理 | TH1992B精密源/测量单元 |
| 固体物理基础 | 掌握稳压二极管伏安特性和参数定义 | 恒温箱 |
| 半导体材料基础 | 学会使用TH1992B型源表和恒温箱测试二极管温度特性 | 半导体元件实验盒 |
5.双极型晶体管直流参数的测量
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 | 掌握双极型晶体管的基本结构及主要参数的定义 | TH1992B精密源/测量单元 |
| 半导体材料基础 | 掌握利用源表进行双极型晶体管输入特性和输出特性曲线的测量方法 | 半导体元件实验盒 |
| 模拟集成电路 | 了解双极型晶体管输出特性的常见缺陷及其产生的原因 |
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 半导体材料基础 | 掌握MOFFET饱和漏电流IDSs、阈值电压VTH、跨导等测量方法 掌握测量MOSFET输出特性曲线的方法 | TH1992B精密源/测量单元 半导体元件实验盒 |
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 半导体材料基础 | 了解场效应管的动态参数与寄生电容 | TH511E半导体器件CV特性分析仪 |
| 模拟集成电路 | 熟悉动态参数中Ciss、Coss、Crss等的定义及危害 | 半导体元件实验盒 |
| 掌握动态参数中Ciss、Coss、Crss等的测量 | ||
| 掌握动态参数中Ciss、Coss、Crss曲线扫描 | ||
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 | 掌握MOSFET开启过程 | 数字存储示波器 |
| 半导体材料基础 | 掌握MOSFET开关时间定义 | 信号发生器 |
| 模拟集成电路 | 熟悉函数信号发生器使用 | 动态开关特性分析软件 |
| 熟悉数字存储示波器使用 | 半导体元件实验盒 |
9.集成运放特性分析测试(上、下)
运算放大器结构示意
| 适用课程 | 实验目的 | 测量仪器设备 |
| 半导体器件原理 | 了解集成电路的概念,熟悉集成运放放大器的结构 | TH1992B精密源/测量单元 |
| 半导体材料基础 | 熟悉集成电路放大器中的各种参数概念 | TH1963A数字多用表 |
| 数字集成电路 | 掌握集成电路放大器的参数测量方法 | 数字存储示波器 |
| 模拟集成电路 | 函数信号发生器 | |
| 集成电路实验盒 |
三.微电子教学实验系统仪器配置清单
| 序号 | 名称 | 品牌 | 数量 | 备注 |
| 1 | TH511E功率半导体器件CV特性分析仪 | 同惠 | 1 | |
| 2 | TH1992B精密源/测量单元SMU | 同惠 | 1 | |
| 3 | TH1963A台式数字多用表 | 同惠 | 1 | |
| 4 | 数字存储示波器 | 可选 | 1 | |
| 5 | 函数信号发生器 | 可选 | 1 | |
| 6 | 半导体元件实验盒 | 同惠 | 1 | |
| 7 | 集成电路实验盒 | 同惠 | 1 | |
| 8 | TH26011D直流偏置夹具 | 同惠 | 1 | |
| 9 | 恒温箱 | 可选 | 1 | |
| 10 | 教学实验软件 | 同惠 | 1 |
四.微电子教学实验系统仪器技术参数
| 型号名称 | TH511E半导体器件CV特性分析仪 | |||
| 用途 | 半导体材料CV特性分析、二极管结电容测试、MOSFET分布电容测试、集成电路分布电容测试 | |||
| 通道数 | 2 | |||
| 显示方式 | 10.1英寸电容式触摸屏,1280*800分辨率,Linux平台 | |||
| 半导体器件 测量参数 | Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres、Rg、 Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、IZ|、IY|、R、X、G、B、0、D、 | |||
| 测试频率 | 无源器件 | Q、VAC、IAc、RDc、VDc、IDC | ||
| 范围 范围 | 1kHz-500kHz | |||
| 测试电平 | 范围 | 5mVrms-2Vrms 0-±40V | ||
| VGs电压 准确度 | 1%×设定电压+8mV | |||
| VDs电压 | 范围 | 0-±200V | ||
| 准确度 | 1%×设定电压+100mV | |||
| C | 0.00001pF-9.99999F | |||
| 测量显示范 | L | 0.00001uH-99.9999kH | ||
| D | 0.00001-9.99999 | |||
| Q | 0.00001- 99999.9 | |||
| R、X、Z、RDc、Rg | 0.001mΩ-99.9999MΩ | |||
| G、B、Y △% | 0.00001us-99.9999S | |||
| 最高准确度 | ± (0.000%-999.9%) | |||
| 0.5% | ||||
| AD转换时间(ms/次) | 快速+:0.56ms(>5kHz);快速:3.3ms;中速:90ms; | |||
| 列表扫描 | 多功能参数 点数 | 慢速:220ms 50点,每个点可设置平均数,每个点可单独分选 | ||
| 图形扫描 | 参数 | 测试频率、Vg、Vd、通道 | ||
| 扫描点数 | 任意点可选,最多1001点 | |||
| 结果显示 | 同一参数、不同Vg的多条曲线;同一Vg、不同参数多条曲线 | |||
| 显示范围 | 实时自动、锁定 对数、线性 | |||
| 坐标标尺 | ||||
| 接口 | RS232C、USB HOST、USB DEVICE、LAN、HANDLER | |||
| 型号名称 | TH1992B精密源/测量单元(SMU) | ||
| 用途 | 半导体材料、半导体元件、IV特性测试分析 | ||
| 通道数 2 | |||
| 显示方式 | 7英寸电容式触摸屏,800×480分辨率,Linux平台 | ||
| 输出功率 31.8W | |||
| 电源 | 最大电压 | ±210V | |
| 最大电流 | ±3.03A | ||
| 位数 | 51/2 | ||
| 电压最小分辨率 | 1uV | ||
| 测量 | 电流最小分辨率 100fA | ||
| 位数 | 6 1/2 | ||
| 电压最小分辨率 | 100nV | ||
| 电流最小分辨率 | 10fA | ||
| 电压测量/电压源量程 | ±(200mV/2V/20V/200V) | ||
| 电流测量/电流源量程 | ±(10nA/100nA/1μA/10μA/100uA/1mA/10mA/100mA/1A/.5A/3A) | ||
| 电阻 范围 | 1uΩ-200MΩ | ||
| 测量 量程 | 2Ω/20Ω/200Ω/2kΩ/20kΩ/200kΩ/2MΩ/20MΩ/200MΩ | ||
| 最小间隔时间 | 20us | ||
| 采样率 | 1000000点/秒,最小采样间隔1us | ||
| 波形输出 | 直流、脉冲、扫描及列表输出 | ||
| 波形测量 | 快速VI、Vt(时域),支持波形滚动 | ||
| 半导体器件特性曲线 | 二极管、三极管、MOSFET、IGBT常用波形快速生成 | ||
| 接口 | RS232C、USBHOST、USBDEVICE、LAN、HANDLER | ||
| 型号名称 | TH1963A数字多用表 | ||
| 用途 | 电压、电流、电阻、温度等信号测试 | ||
| 05.52307 | 显示器 | 4.3寸LCD彩色显示屏 | |
| 测量参数 | 直流电压、交流电压、直流电流、交流电流、直流电阻、电 容、频率、导通、二极管、温度 | ||
| 显示方式 | 直读、直方图、条形图、趋势图 | ||
| 显示位数 | 1199999字读数 | ||
| 测量速度 | 最高1000次/s | ||
| 测试范围 | 直流电流 真有效值交 | 100.0000mV-1000.000V | |
| 流电压 直流电阻 | 100.000mV-750.000V | ||
| 直流电流 | 10Ω-100MΩ | ||
| 100 μA-10A | |||
| 交流电流 | 100 μA-10A | ||
| 频率 | 3Hz-300kHz | ||
| 二极管 导通 | 5V测试电流:1mA | ||
| 电容 | 1kΩ测试电流:1mA | ||
| 1.0000nF~10.000mF | |||
| 温度 | PT100(DIN/IEC751);5kΩ热敏电阻 | ||
| 接口 | RS232C、USBHOST、USBDEVICE、HANDLER | ||
J400-624-1118
| 型号名称 | 数字示波器 | ||
| 用途 | 测试半导体器件时间参数,集成电路输入输出波形 | ||
| 显示器 | 10.1英寸1024*800高清触控显示屏 | ||
| 带宽 | 200MHz | ||
| 通道数 | 4 | ||
| 实时采样率 存储深度 | 4GSa/s | ||
| 500Mpts(opt.) | |||
| 垂直分辨率 | 12bits | ||
| 提供凝时获取模式(UltraAcquireMode),最高1,500,000wfms/s | |||
| 全新Flexknob,带来更人性化的交互体验 | |||
| 全系标配光电编码器,有效提高产品使用寿命 | |||
| 支持电池包供电,随时随地,测量不设限 | |||
| 接口 | 支持在线版本升级功能 | RS232C、USBHOST、LAN、HDMI | |
| 型号名称 | 函数信号发生器 | |
| 用途 | 测试半导体器件产生波形 | |
| 显示器 | 3.5寸TFTLCD | |
| 最高输出频率 | 25MHz | |
| 通道数 | 2 | |
| 垂直分辨率 | 14bits | |
| SiFi(SignalFidelity)用于100%的波形复制 | ||
| 2Mpts/CH(标准),16Mpts/CH(选择)任意波形长度 | ||
| 标准2个全功能独立通道 | ||
| ±1ppm频率稳定性,-125dBc/Hz相位噪声,200ps低抖动 | ||
| 内置8阶谐波发生器 | ||
| 内置7位数/秒的计数器,高达200MHz | ||
| 内置160个预编辑的波形 | ||
| 直观的任意波形编辑软件 | ||
| 支持全部调制方式。AM、FM、PM、ASK、FSK、PSK和PWM | ||
| 接口 | RS232C、USBHOST、LAN、HDMI | |
五.实验与课程
微电子教学实验系统支持下列实验及课程体系:
| 实验 | 实验名称 | 实验内容与目的 | 实验设备 | 测试元件 | 软件功能 |
| 实验一 | 肖特基势特性 | 通过对肖其基二极管的基势性的线测试,并学 会根据肖特基二极管的C-V特性计算杂质浓度。 | TH6413直流电源 | 肖特基二极管 | |
| 实验二 | 电阻式传感器的 工作原理与测量 | 通过各桥电试了解字电值测量握 用。 | T微电子教8实验平台: TH511ECV特性分析仪 | 电阻、电感、电容 | 阻抗部、 直流电阻、 品质因数测试数据显示 |
| 实验三 | 场应品体管直 | 电台 | MOS管 | 特性曲线生成 | |
| 实验四 | PN结直流特性测 试及PN结参数的 变温测试 | 通过直流特性测试深入理解各类二极管工作原理, 学会使用TH1992B源表和加热台测试二极管的温 度特性。 | 加热台 半导体元件实验盒 微电子教学实验平台: TH1992B源表 | 稳压二极管 | CV曲线显示 |
| 实验五 | 极型品体量 | 安台 | 双极型晶体管 | 特性曲线的曲线生 | |
| 实验六 | MOS器件静态特 性测试分析 | 通过MOS器件的饱和漏极电流、栅极漏电流、漏 源击穿电压、开启电压等静态参数的测试掌握此类 参数的定义及测试方法。 | 半导体元件实验盒 微电子教学实验平台: TH1992B源表 | MOS管 | 曲线显示 参数测试结果计算和显 示 |
| 实验七 | MOS器件CV特 性测试 | 通过MOS器件CV特性曲线的测试,了解场效应管 的动态参数与寄生电,动态参数中C_ss、 | TH26063B测试夹具 微电子教学实验平分仪 | MOS管 | 测试曲线显示 |
| 实验八 | MOS器件Qg测试 | 通过总极注的测试电的电通量,解场效 应管参数Qg的定义、测试原理和计算方法。 | 电子实实验平台: TH1992B源表 半导体元件实验盒 | MOS管 | 测试曲线显示 总栅极电荷计算和显示 |
| 实验九 | MOS器件动态开 关特性测试 | 示波器输出一个足够控制MOS器件开启和关断 的电压,通过示波器观察施加电压或关闭电压到 MOS真正开试和断的时的意器件开关 | 微电子教学实验平台: 信号发生器 示液器 | MOS管 | 测试曲线显示 开启延迟、 关断延迟计算和显示 |
| 实验十 | 集成算大器 | 集成电路测试板 信电教学实验平台: 示波器 | LM358运放 | 测试参数显示 | |
| 实验 | 器件的阻抗特性 | 通过L、C、R器件组合电路的阻抗特性分析,深入 电用 | 不 | 件 | |
| 实验 | 四探针和霍尔效 | 教学实平台: | P型和N型的 | ||
| 实验 | 存储器的器件特 | 电教学台 | 、MOS, | 测曲线计算 | |
| 实验四 | 寿 | 信发产pulse信号激发半导体的非平衡 | 电教学实验平台: | 不波长的LED元件, | |
| 实验五 | 人体心率,血氧 | ,同说长的L漂 | 心率血氧实验盒 教学实验平台: | LED元件,光电二极管 |
TH2852/TH2853
简要介绍
·TH2852/TH2853系列阻抗分析仪是常州同惠电子采用当前国际先进的射频IV法原理研制成功的新一代阻抗测试仪器,为国产阻抗测试仪器的最新高度。
TH2852/TH2853系列阻抗分析仪也彻底超越了国内外同类仪器3GHz的频率瓶颈;解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷;中英文操作界面也解决了国外仪器仅有英文界面的尴尬;采用单测和分析两种界面,让测试更简单。
快达0.4ms的测试速度、及高达60kΩ的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求,特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。自动电长度测量和测试端外置的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响,将射频IV阻抗测试能力突破3GHz达到5GHz。
尺寸/重量
体积(mm):428 (W)×220(H)×280(D)净重:14kg
性能特点
·测试频率:1MHz-5GHz
·基本精度: ± 0 . 3 % (典型值)
·高精度:采用射频IV法,在GHz能仍保持很高的测试精度
·高稳定性和一致性
·高速度:最快达 : 0 . 4 { m s } / 点的测试速度
·高分辨:10.1英寸电容式触摸屏,分辨率 1 2 8 0 ^ { \star } 8 0 0
·点测、列表、扫描、等效电路分析,自动化分选
·1601点多参数列表扫描功能
·四参数测量
·4通道图形扫描功能,每通道可显示4条曲线,通道和曲线有14种分屏显示方式
·分析功能:等效电路分析、晶体振荡器分析、压电分析、曲线轨迹对比、介电常数分析(选件)、磁导率分析(选件)
·强大的分选:LCR模式10档分选
·图形扫描模式每条曲线单独分选,频率分段扫描并分选
·高兼容性:支持SCPI指令集
·集成史密斯圆图,不需要网络分析仪即可调试射频阻抗匹配
·测试头外置 ^ + 自动电气长度测量及校准,将晶圆、PCB高精度测试频率提高至5GHz
附件
| 标配附件: | TH2852-1 | 0米测试头 |
| (TH2852标配) TH2852-1A | ||
| (TH2853标配) | 1米测试头 | |
| 选配附件: | TH2852-1 | 0米测试头 |
| TH2852-1A | 1米测试头 | |
| TH2852-1B | 2米测试头 | |
| TH2852校准套件 | 用于测试头的开路、短路、 | |
| TH2852-3A | 负载、电容校准件 0805平行电极测试夹具 | |
| TH2852-3B | 0603平行电极测试夹具 | |
| 0402平行电极测试夹具 | ||
| TH2852-3C | ||
| TH2852-3D TH2852-4 | 0201平行电极测试夹具 低频直插/平行电极测试夹具 | |
| TH2852-5 | 大尺寸平行电极测试夹具 | |
| 小尺寸底电极测试夹具 | ||
| TH2852-6 | ||
| TH26088 | 磁导率测试夹具 | |
| TH26089 | 介电常数测试夹具 |
| 简要参数 | TH2852-050 | TH2852- 100 | TH2852-200 | TH2852-350 | TH2852-500 | |
| TH2853-050 | TH2853- 100 | TH2853-200 | TH2853-350 | TH2853-500 | ||
| 测试频率 | 1MHz-500MHz | 1MHz- 1GHz | 1MHz-2GHz | 1MHz-3.5GHz | 1MHz-5GHz | |
| 基本精度 | ±0.3% (典型值) | |||||
| AC信号源 | 电压 | -41dBm一+1dBm | ||||
| DC偏置源 | 电压 0V-±40V | |||||
| 功能参数 | TH2852系列 | TH2853系列 |
| 频率最小分辨率 | 1mHz | 1kHz |
| 测试功能 | 点测、列表、曲线扫描、史密斯圆图 | 点测、列表、曲线扫描 (固定田字格显示) |
| 曲线扫描 光标功能 | √ | × |
| 曲线扫描 统计分析功能 | √ | × |
| 曲线扫描 数据保存功能 | √ | × |
| 曲线扫描 等效电路分析 | √ | × |
| 曲线扫描 史密斯圆图 | √ | × |
| 磁导率测试 介电常数测试 | 可以选配 | × |
应用领域
·无源元件:电容器、电感器、PCB电感、磁芯、电阻器、无线充电线圈、NFC/RFID感应线圈、音圈、助听器、电机线圈、晶振、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析。
·半导体元件:LED驱动集成电路寄生参数测试分析;变容二极管的C-VDC特性;晶体管或集成电路的寄生参数分析
·其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等阻抗评估
·介质材料:塑料、陶瓷、印刷电路板和其它材料的介电常数和损耗角评估
·磁性材料:铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估
·半导体材料:半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料:液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性
功能特点
A.高精度
宽带射频IV法电桥技术的应用,得以在1MHz-5GHz频率、120mΩ-60kΩ的阻抗范围内都能达到理想的 10 % 测量精度,其中最高测试精度达 ± 0 . 3 % ,远远高于网络分析仪的测试精度。
B.高稳定性和高一致性
测试条件:速度5,输出功率-10dBm(141mV),TH2852-1测试头被测件50Ω标准件。
| 设置频率 | 短期稳定度 |
| 1MHz | ±0.003% |
| 10MHz | ±0.003% |
| 100MHz | ±0.002% |
| 500MHz | ±0.002% |
| 1GHz | ±0.003% |
| 2GHz | ±0.005% |
| 3GHz | ±0.013% |
| 4GHz | ±0.008% |
| 5GHz | ±0.031% |
C.高速度
D.10.1时大屏,四种测量参数,让细节一览无遗 E.增强的列表扫描功能
10.1时触摸屏、 1 2 8 0 ^ { * } 8 0 0 分辨率,Windows10系统、中英文操作界面,支持键盘、鼠标、LAN、VGA/HDMI接口,带来的是无以伦比的操作便捷性。
大屏幕带来更多的好处是,可以把所有测试参数及分选参数、分选结果、功能选择等参数放置在同一屏幕,而且看起来绝不拥挤和杂乱,同时可以显示四种测量参数,四种测量参数任意可调。屏幕左边的按钮可以快捷选择8套测试参数。
可以最多设置1601点的列表扫描,每个点可以单独设置测试频率、测试电压、直流偏置等测试条件。
最多可以4通道同时显示,每个通道可以最多显示4条曲线。通道和曲线各有十四种分屏显示方法。
| 通道 | 显示窗口 | 单个窗口可以设置不同扫描 条件 |
| 曲线 | 测量参数 | 每个窗口可以设置4条曲线 |
G.分段扫描功能
分段扫描是在一个扫描周期内,设置不同的频率分段进行扫描,扫描时可设置不同的电平及偏置,扫描结果直接图形显示,用于需要快速筛选多个频率段参数的扫描需求。
如晶体谐振器需要测试标称谐振/抗谐振频率以及其他杂散频率,通过分段扫描功能可在特定频率范围内扫描测量,无需扫描不相关频率。
H.强大的光标分析能力
TH2852系列精密阻抗分析仪具有强大的光标分析能力,可以通过光标实现如下功能:
1.读取测量结果的数值 (作为绝对数值或者相对于参考点的相对值)
2. 查找曲线上的特定点(光标查找)
3. 分析曲线测量结果,计算统计数据
4. 使用光标值修改扫描范围以及纵坐标缩放
TH2852系列可以在每条曲线上显示10个光标,包括了参考光标。
每个光标有一个激励值(坐标系×轴对应的数值)和响应值(坐标系Y轴对应的数值)。光标查找功能允许搜索下列条件测量点:
最大值、最小值
峰谷值:峰值(极大值)、谷值(极小值)、光标左侧最近的峰谷值、光标右侧最近的峰谷值、多重峰谷值目标值:距离光标最近的目标值、光标左侧最近的目标值、光标右侧最近的目标值、多重目标值
I.强大的图形分析功能
1)曲线分选功能
可以对扫描曲线全部或者部分区域的测试值进行合格/不合格判断,常用于谐振曲线筛选如压电元件等谐振频率。
2)等效电路分析
现实生活中不同类型的器件可以被等效成简单的三参数四种模型、四参数三种模型的阻抗器件,等效电路分析测试功能提供了7种基本的电路模型用于等效这些器件。
可以通过仿真的等效电路参数值的阻抗拟合曲线与实际测量的阻抗曲线进行对比,还可以通过您输入的参数按照所选择的模型进行拟合。
等效的电路模型可以直接输出成TXT文档方便用户保存使用。
3)曲线轨迹对比
曲线轨迹对比用于对被测件进行连续测量,所有曲线显示在同一个坐标系中。由下列两种应用:
a)针对多种不同被测件
对比不同测量条件下的曲线轨迹
设置不同的频率点,计算出所有曲线在该频率点的测量值
b)针对同一个被测件
对比同一个条件下测量的多次测量结果重复性
设置不同频率点,计算出所有曲线在该频率点的测量值
图表 数据频率 Cp-01 Bzd-01 Cp-02 0zd-02 Cp-03 Bzd-03
10.0000KHz 1.92628nF89.8309 dg 1.02621nF -89.8313deg 1.92618nF-8D.8307 deg 设置频丰
100.000kHz 1.91827nF89.7293deg 1.91825nF8.7304deg 1.91829nF89.7303 deg 130.000MHz
1.00000MHz 1.90820nF 89.2040deg 1.90815nF 88.2056 deg 1.90824nF892050deg
10.0000MHz 2.77719nF -82.9706 dg 2.77713nF8.086G8g 2.77729nF -82.9870deg 增加行
30.0000MHz -817.482 pF 71.9480 deg -817.508pF 71.9529 deg -817.532pF 71.9499 deg
50.0000MHz -237.232pF 66.3085deg -237.232pF 66.3086 deg 237.237 pF 66.308 deg 删除行
80.0000MHz -88.5954pF 63.4817 deg -88.5984pF 63.4726deg -88.5967pF 63.4813deg
100.000MHz -48.6229pF 58.6142deg -48.6203pF 58.6145deg -48.6203pF 58.8095 deg 计算
130.000MHz -15.6565pF 31.4636 deg -15.0696pF 31.4995deg -15.6337pF 31.4186 deg导出数据退出
J.介电常数分析(选件)
TH2852系列精密阻抗分析仪支持介质材料介电常数、介质损耗分析,需选购测试夹具及分析软件。
| 1.配置 | ||
| 序号 | 型号 | 必选项 |
| 1 | TH2852 | 阻抗分析仪主机 √ |
| 2 | TH26089 介质材料测试夹具 | √ |
| 3 | TH2852 介电常数测试软件 | √ |
| 4 | TH2852系列 校准套件 | √ |
2.TH26089介质材料测试夹具
TH26089电介质材料测试夹具是设计在TH2852系列上进行准确的介电常数及介质损耗测量的夹具。通过使用平行板方法测量固态材料的介电常数,从而消除离散电容。
1)TH26089外形结构
2)基本参数
| 测试频率 1MHz-1GHz | ||
| 测量参数 | 电容(C)、耗损因数(D)、介电常数(ε,ε") | |
| 测试电极 | 被测材料直径 | 被测材料厚度 |
| ≥13mm | 0.3mm-3mm | |
| 测试原理 | 平行板测量法 | |
| 校准 | 开路、短路、负载 | |
3)测试原理
4)介电常数公式
{ \mathsf C } _ { \mathsf P } :测试仪器测出的等效并联电容值(F)\mathfrak { t } _ { \mathfrak { a } } :被测材料的平均厚度(m)A:屏蔽电极中测试电极的面积 ( \mathsf { m } ^ { 2 } ) 3d:屏蔽电极中测试电极的直径(m)\scriptstyle \mathbf { \varepsilon } _ { 0 } :自由空间介电常数 8 . 8 5 4 x 1 0 ^ { - 1 2 } [F/m]
3.介电常数分析软件
该软件为选件,开通后在TH2852系列界面直接选择对应的参数即可,分别可以单测、列表扫描、曲线扫描,下图为曲线扫描界面。
K.磁导率分析
TH2852系列支持磁性材料磁导率测试,在主机的基础上,需选配测试夹具及磁导率分析软件,具体配置如下:
| 序号 | 型号 | 必选项 |
| 1 | TH2852系列 阻抗分析仪主机 | √ |
| 2 | TH26088 磁导率测试夹具 | √ |
| 3 | TH2852系列 磁导率测试软件 | √ |
| 4 | TH2852系列 校准套件 | √ |
2.测试夹具
1)TH26088外型结构
2)TH26088磁导率测试夹具
TH26088可精确测量环形磁性材料的磁导率。由于该夹具的结构是环形线圈绕一圈(无漏磁),因此不需要绕环形线圈的导线,而且允许广泛的频率覆盖。它配有一个小型和一个大型夹具,适应各种尺寸,是测量磁性材料的理想结构。
| 测试频率 | 1kHz- 1GHz | ||
| 样本尺寸 | 高度h | 内径范围b (直径) | 外径范围c(直径) |
| 小型部件用 | ≤3mm | ≥ 3.1mm | ≤8 mm |
| 大型部件用 | ≤8.5mm | ≥5mm | ≤20mm |
3.测试原理
1)磁导率基本概念
磁导率是材料与磁场的相互作用,等于电感B(磁感应强度)与磁场强度H的比值复数相对导磁率 ( \mu ^ { \star } ) 由实部和虚部组成实部 ( \mu _ { r } ^ { \prime } ) :储存电能虚部 ( \mu ^ { \mathfrak { n } } ) :消耗能量也是真空导磁率 ( \mu _ { 0 } ) 的复数导磁率 \smash { \boldsymbol { * } \boldsymbol { \mu } _ { { ~ } } ^ { \star } } , )损耗角正切tanδ为无效导磁率,是虚部 ( \mu ^ { { ~ \mathfrak { n } ~ } } \mathfrak { r } ) 和实部 ( \mu _ { r } ^ { \ast } ) 的比值
2)有效磁导率μ'、μ"。
采用电感测量法测量,在环形磁芯的磁芯上缠绕导线,并放置在一个密闭的圆柱形空间内(TH26088夹具),通过阻抗分析仪测量导线两端的电感(自感),根据测试电感量及下列公式推导出有效磁导率。
3)相对导磁率μ
| Reff | 磁芯损耗 (包括线路电阻)的等效电阻 |
| Leff | 环形线圈的电感 |
| Rw | 线路电阻 |
| N | 匝数 |
| 磁芯的平均磁路长度[m] | |
| A | 环形磁芯的横截面积[m2] |
| W | 2πf (角频率) |
| μ | 真空导磁率=4π×10[H/m] |
J400-624-1118
4.磁导率分析软件
选择开通磁导率分析软件之后,仪器便可以在单测、列表扫描、曲线扫描中直接选择磁导率参数,直接在界面显示测试结果
· 交程 交流电光 1996 测量设置消量老泉 3 真记保置 0v
2 果电子 500 miV 均费 交流电压监控 429.0 gV 精发模式 ,98.1 L 触发延时
3 ur' 0.84171 文汽控
4 9费: 电视
s ur" -0.14904 0.00000 介质厚度0R3 福环高度
· KRtanδ -0.17706 P1 0.00000 建环外径
, 984 环内径//) 0.08587 Ω 退出
L.标配附件
M.选配附件
| 产品型号 | TH2852-050 | TH2852-100 | TH2852-200 | TH2852-350 | TH2852-500 | |
| 显示 | TH2853-050 | TH2853-100 | TH2853-200 | TH2853-350 | TH2853-500 | |
| 10.1英寸TFTLCD显示器1280×RGB×800,电容式触摸屏 IZ|、IY、0、R、X、G、B、L、C、D、Q、I|、「x、「y、0r、Vac、lac、 | ||||||
| AC测量参数 | Z(阻抗圆)、Y(导纳圆)、史密斯圆图、介电/磁性材料测量(选件) | |||||
| DC测量参数 范围 | VDc、Ibc、RDc | 1MHz - 5GHz | ||||
| 测试频 率 | 最高分辨率 | 1MHz-500MHz 1MHz- 1GHz 1MHz- 2GHz 1MHz- 3.5GHz | ||||
| AC电压 | 1mHz(TH2852系列),1kHz(TH2853系列) | |||||
| 测试电平 | AC电流 | -41dBm-+1dBm | ||||
| 电压 | 50uA- 10mArms | |||||
| DC偏置 | 电流 | 0V- ±40V 0mA-±100mA | ||||
| 五档:0(快速)-5(精确) (不包括通讯时间的算数平均值) | ||||||
| 典型测量时间 (速度) | 0:0.4ms 1: 4ms 2:26ms 3:65ms 4:130ms 5:650ms | |||||
| 最高准确度 | ±0.3% (典型值) | |||||
| 测量显示范围 | a 1×10-18;E 1×1018 | |||||
| Cs、Cp | ±9.99999aF-9.99999EF | |||||
| Ls、Lp | ±1.00000aH- 99.9999EH | |||||
| D | ±0.00001-9.99999 | |||||
| Q | ±0.01-99999.9 | |||||
| R、Rs、Rp、X、Z | ±1.00000aΩ-999.999EΩ | |||||
| G、B、Y | ±1.00000aS-99.9999ES | |||||
| Vdc | ±1.000000aV- 999.9999EV | |||||
| Idc | ±1.00000aA-999.999EA | |||||
| 0, | ±1.00000arad - 3.14159 rad | |||||
| ±0.0001deg - 180.000 deg ±0.0001%-999.999% | ||||||
| △% | LCR模式10档分选; | |||||
| 分选 | 扫描模式每条曲线单独分选 | |||||
| 接口 | RS232C,USB HOST、USB DEVICE、LAN、GPIB、HANDLER、VGA、HDMI 30分钟 | |||||
| 开机预热时间 | ||||||
| 输入电压 | 100-120VAC/198-242VAC可选择,47-63Hz | |||||
| 功耗 | 最大150VA | |||||
| 尺寸(WxHxD)mm³ | 428x220x280 | |||||
| 重量 | 14kg | |||||
简要介绍
·TH2851系列阻抗分析仪是常州同惠电子采用当前国际先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器,为国产阻抗测试仪器的新高度。
TH2851系列阻抗分析仪彻底改变了传统国产仪器复杂繁琐的操作界面,基于Windows10操作系统,实现了全电脑化操作界面,让测试更智能、更简便。
TH2851系列阻抗分析仪也彻底超越了国外同类仪器120MHz的频率瓶颈;解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷;中英文操作界面也解决了国外仪器仅有英文界面的尴尬;采用单测和分析两种界面,让测试更简单。
快达2.5ms的测试速度、及高达40MΩ的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求,特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响,将低阻抗测试能力的下限比常规五端配置的仪器向下扩展了十倍。
应用领域
·无源元件:电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析。
·半导体元件:LED驱动集成电路寄生参数测试分析;变容二极管的C-VDc特性;晶体管或集成电路的寄生参数分析
·其它元件:印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等阻抗评估
·介质材料:塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估
·磁性材料:铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估
·半导体材料:半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料:液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性
性能特点
·测试频率:10Hz-130MHz
·基本阻抗精度: 0 . 0 8 % ,典型值 ± 0 . 0 4 5 %
·高精度:采用自动平衡电桥技术,四端对测试配置
·高稳定性和一致性
·高速度:最快达2.5ms的测试速度
·高分辨:10.1英寸电容式触摸屏,分辨率1280\*800
·点测、列表扫描、图形扫描、等效电路、晶体振荡器分析五种测试方式
·1601点多参数列表扫描功能
·四参数测量
·自动电平控制(ALC)功能
·4通道图形扫描功能,每通道可显示4条曲线,通道和曲线有14种分屏显示方式
·分析功能:等效电路分析、晶体振荡器分析、压电分析、曲线轨迹对比、介电常数分析(选件)、磁导率分析(选件)
·图形扫描模式每条曲线单独分选,频率分段扫描并分选
·高兼容性:支持SCPI指令集,兼容KEYSIGHTE4990A、E4980A、E4980AL、HP4284A
| 简要参数 | TH2851 | TH2851 | TH2851 | TH2851 | TH2851 | |
| 测试频率 | 10HZHz | 10HZHz | 10HzHz | 10HZHz | 10HMHz | |
| 基本精度 | 0.08% | |||||
| AC信 号源 | 电压 电流 | 5mVrms-2Vrms 50uA- 20mArms | ||||
| DC偏 置 | 电压 | 0V-±40V | ||||
| 电流 | 0mA-±100mA | |||||
尺寸/重量
体积(mm):428 ( \mathsf { W } ) { x } 2 2 0 ( \mathsf { H } ) { x } 3 2 5 ( \mathsf { D } ) 净重:14.5kg
附件
| 标配附件: | TH26047A | 四端对测试夹具 |
| 选配附件: | TH26005D | 四端对测试夹具 |
| TH26010 | 镀金短路板 | |
| TH26082A | 100Ω标准件(TH2851校准套件) | |
| TH26061D_P1 | 校准套件(TH2851校准套件) | |
| AR05TTS1000N | 贴片电阻(TH2851校准套件) | |
| 磁环测试夹具 | ||
| TH26007A | ||
| TH26008A | SMD元件测试夹具 | |
| TH26009B | SMD元件测试钳 | |
| TH26048B | 四端对测试夹具 | |
| TH26062A | 四端对测试夹具 | |
| TH26063 | 四端对测试夹具 | |
| TH26108C | 四端对贴片测试夹具 | |
| TH26077 | 电介质测试夹具 | |
| TH26086 | TH2851-7mm夹具 | |
| TH26088 | TH2851磁导率测试夹具 | |
| TH26086_CAL | TH2851-7mm夹具校准套件 |
功能特点
A.高精度
宽带自动调零型自动平衡电桥技术的应用,得以在10Hz-130MHz频率、25mΩ-40MΩ的阻抗范围内都能达到理想的 1 0 % 测量精度,其中最高精度达 0 . 0 8 % ,远远高于射频反射测量法的阻抗分析仪、网络分析仪的精度。
B.高稳定性和高一致性
下图是在速度5、测试频率1MHz,测量100Ω电阻的曲线,由下图可见其轨迹噪声 <= 0 . 0 0 3 % 0 <= ± 0 . 0 0 1 5 \Omega , 1
C.高速度
同惠LCR数字电桥最快测试速度对比一览表测试速度(ms)0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 万 80 85 90
TH2852/TH2853TH2851 1TH2840TH2839TH2838TH2826 1T876TH2810+TL2812DTL2812DTH2810+TH2817+TH2816TH2826TH2830TH2828 TH2827TH2829TH2838 TH2839TK2840TH2851TH2852/K2853
速度(m) 84 19 19 33 5 13 32 13 9 5.6 5.6 0.56 2.5 0.4
D.10.1寸大屏,四种测量参数,让细节一览无遗 E.增强的列表扫描功能
10.1寸触摸屏、1280\*800分辨率,Windows10系统、中英文操作界面,支持键盘、鼠标、LAN、VGA/HDMI接口,带来的是无以伦比的操作便捷性。
大屏幕带来更多的好处是,可以把所有测试参数及分选参数、分选结果、功能选择等参数放置在同一屏幕,而且看起来绝不拥挤和杂乱,同时可以显示四种测量参数,四种测量参数任意可调。屏幕左边的按钮可以快捷选择8套测试参数
可以最多设置1601点的列表扫描,每个点可以单独设置测试频率、测试电压、直流偏置等测试条件。
TH2851Precision Impedance Analyzer
1 测量频率 100 MHz 交流量程 Auto(50 Ω) 交流电流监控 15.89 mA 测量设置测量速度 3 直流置 0mV 测量频率
2 测量电平 500 mV 平均次数 1 交流电压监控 102.8mV 100MHz测量速度修费!E1
3 |Z) 6.47269 Ω 考 0.00000Ω 直流偏置快验2 测量电平 ,θz(deg) -61.42 deg 舞卡 0.00000 交 ,
5,
D R -3.09644 Ω 0.00000Ω 触发模式参数4 触发延时
7 关 0msX -5.68400 Ω 0.00000Ω 交直流监控退出BN1228开路 短路 负载编置关合格测量 2021-3-11 11:31:17
F.强大的分析图形界面
最多可以4通道同时显示,每个通道可以最多显示4条曲线。通道和曲线各有十四种分屏显示方法。
| 通道 | 显示窗口 | 单个窗口可以设置不同扫描 条件 |
| 曲线 | 测量参数 | 每个窗口可以设置4条曲线 |
G.分段扫描功能
分段扫描是在一个扫描周期内,设置不同的频率分段进行扫描,扫描时可设置不同的电平及偏置,扫描结果直接图形显示,用于需要快速筛选多个频率段参数的扫描需求。
如晶体谐振器需要测试标称谐振/抗谐振频率以及其他杂散频率,通过分段扫描功能可在特定频率范围内扫描测量,无需扫描不相关频率
H.强大的光标分析能力
TH2851系列精密阻抗分析仪具有强大的光标分析能力,可以通过光标实现如下功能:
1.读取测量结果的数值 (作为绝对数值或者相对于参考点的相对值)
2. 查找曲线上的特定点(光标查找)
3. 分析曲线测量结果,计算统计数据
4. 使用光标值修改扫描范围以及纵坐标缩放
TH2851可以在每条曲线上显示10个光标,包括了参考光标。
每个光标有一个激励值(坐标系×轴对应的数值)和响应值(坐标系Y轴对应的数值)。光标查找功能允许搜索下列条件测量点:
最大值、最小值
峰谷值:峰值(极大值)、谷值(极小值)、光标左侧最近的峰谷值、光标右侧最近的峰谷值、多重峰谷值目标值:距离光标最近的目标值、光标左侧最近的目标值、光标右侧最近的目标值、多重目标值
1.强大的图形分析功能
1)曲线分选功能
可以对扫描曲线全部或者部分区域的测试值进行合格/不合格判断,常用于谐振曲线筛选如压电元件等谐振频率。
2)等效电路分析
现实生活中不同类型的器件可以被等效成简单的三参数四种模型、四参数三种模型的阻抗器件,等效电路分析测试功能提供了7种基本的电路模型用于等效这些器件。
可以通过仿真的等效电路参数值的阻抗拟合曲线与实际测量的阻抗曲线进行对比,还可以通过您输入的参数按照所选择的模型进行拟合。
等效的电路模型可以直接输出成TXT文档方便用户保存使用
| 模型 | 三参数 A D | |||||
| B 000 O | C C1 L1 R1 000 W | C1 | ||||
| 。 R1 W 高磁漏电感 | 。 01000 L1 R1 大阻值电阻 | |||||
| 拟合对象 | 感型电阻 100 | 电容 | ||||
| 模型 | F G 000 L1 | |||||
| C1 R1 000 W 共振器 | R0 o-W R1 W 电感等效串联电阻 | R0 o-W R1 W | ||||
| 拟合对象 | 电容 | |||||
3)晶体振荡器分析(压电器件分析)
对晶体振荡器进行测量以及性能分析,测量计算后获取晶体的谐振频率、反谐振频率、品质因数等重要参数。
同时,对于其他压电器件如压电陶瓷滤波器、压电陶瓷陷波器、压电陶瓷鉴频器、压电陶瓷变压器、大功率超声波发生器、换能器(振子)、声表面波器件、电声器件等都可以测试如静态电容、损耗、谐振频率、反谐振频率、机械耦合系数等参数。
开路短路数位编置测量2022-4-2714:07:29
4)曲线轨迹对比
曲线轨迹对比用于对被测件进行连续测量,所有曲线显示在同一个坐标系中。由下列两种应用:
a)针对多种不同被测件
对比不同测量条件下的曲线轨迹
设置不同的频率点,计算出所有曲线在该频率点的测量值
b)针对同一个被测件
对比同一个条件下测量的多次测量结果重复性
设置不同频率点,计算出所有曲线在该频率点的测量值
J.介电常数分析(选件)
TH2851系列精密阻抗分析仪支持介质材料介电常数、介质损耗分析,需选购测试夹具及分析软件。
| 1.配置 | ||
| 序号 | 型号 | 必选项 |
| 1 | TH2851 阻抗分析仪主机 | √ |
| 2 | TH26077 介质材料测试夹具 | √ |
| 3 | TH2851 介电常数测试软件 | √ |
2.TH26077介质材料测试夹具
TH26077电介质材料测试夹具是设计在TH2851上进行准确的介电常数及介质损耗测量的夹具。通过使用平行板方法测量固态材料的介电常数,从而消除离散电容。
1)外形结构
2)基本参数
| 测试频率 | DC-30MHz | ||
| 测量参数 | 电容(C)、耗损因数(D)、介电常数(ε,ε") | ||
| 测试电极 | 电极种类 | 被测材料直径 | 被测材料厚度 |
| 屏蔽电极A1 | 40mm- 56mm | ≤10mm | |
| 屏蔽电极A2 | 10mm-56mm | ≤10mm | |
| 测试原理 清零 | 平行板测量法 | ||
| 开路、短路 | |||
3)测试原理
4)介电常数公式
{ \mathsf C } _ { \mathsf P } :测试仪器测出的等效并联电容值(F)
\mathfrak { t } _ { \mathfrak { a } } :被测材料的平均厚度(m)
A:屏蔽电极中测试电极的面积 ( \mathsf { m } ^ { 2 } ) 1
d:屏蔽电极中测试电极的直径 ( m )屏蔽电极A1: 3 8 x 1 0 ^ { - 3 } [m]屏蔽电极A2: 5 x 1 0 ^ { - 3 } [m]
\scriptstyle \mathfrak { E } _ { 0 } :自由空间介电常数 8 . 8 5 4 x 1 0 ^ { - 1 2 } [F/m]
3.介电常数分析软件
该软件为选件,开通后在TH2851界面直接选择对应的参数即可,分别可以单测、列表扫描、曲线扫描,下图为曲线扫描界面。
K.磁导率分析
TH2851支持磁性材料磁导率测试,在主机的基础上,需选配测试夹具及磁导率分析软件,具体配置如下:
| 序号 | 型号 | 必选项 |
| 1 | TH2851 阻抗分析仪主机 | √ |
| 2 | TH26086 测试夹具底座 | √ |
| 3 | TH26088 磁导率测试夹具 | √ |
| 4 | TH2851 磁导率测试软件 | √ |
| 5 | TH26086_CAL夹具校准套件 | √ |
2.测试夹具
1)TH26086转接底座
用于将4端对转换成N型7mm底座,适配其他测试夹具如TH26088磁导率测试夹具。
TH26086为必选项,若未选购,TH26088将无法正确测量。
| 测试频率 | DC-130MHz |
| 最高电压 | ±42V峰值 (AC+DC) |
| 工作温度 | 0℃-40℃ |
2)TH26088磁导率测试夹具
TH26088可精确测量环形磁性材料的磁导率。由于该夹具的结构是环形线圈绕一圈(无漏磁),因此不需要绕环形线圈的导线,而且允许广泛的频率覆盖。它配有一个小型和一个大型夹具,适应各种尺寸,是测量磁性材料的理想结构。
| 测试频率 | 1kHz - 1GHz | ||
| 样本尺寸 | 高度h | 内径范围b(直径)外径范围c(直径) | |
| 小型部件用 | ≤3mm | ≥ 3.1mm | ≤8mm |
| 大型部件用 | ≤8.5mm | ≥5mm | ≤20 mm |
1)磁导率基本概念
磁导率是材料与磁场的相互作用,等于电感B(磁感应强度)与磁场强度H的比值复数相对导磁率 ( \mu ^ { \star } ) 由实部和虚部组成实部 ( \mu _ { r } ^ { \prime } ) :储存电能虚部 ( \mu ^ { \ast } ) :消耗能量也是真空导磁率 ( \mu _ { 0 } ) 的复数导磁率 * \mu ^ { \star } , )损耗角正切tanδ为无效导磁率,是虚部 ( \mu ^ { { ~ \tiny ~ \mathfrak ~ { ~ * ~ } ~ } } ) 和实部 ( \mu _ { r } ^ { \prime } ) 和的比值
2)有效磁导率μ'、μ"。
采用电感测量法测量,在环形磁芯的磁芯上缠绕导线,并放置在一个密闭的圆柱形空间内(TH26088夹具),通过阻抗分析仪测量导线两端的电感(自感),根据测试电感量及下列公式推导出有效磁导率。
3)相对导磁率μ
| Reff | 磁芯损耗 (包括线路电阻)的等效电阻 |
| Leff | 环形线圈的电感 |
| Rw | 线路电阻 |
| N | 匝数 |
| 磁芯的平均磁路长度[m] | |
| A | 环形磁芯的横截面积[m] |
| W | 2πf (角频率) |
| μ | 真空导磁率=4π×107[H/m] |
| μ | 相对磁导率 |
| Zm | 无磁芯时的阻抗测量值 |
| Zsm | 有磁芯时的阻抗测量值 |
| μ | [m] 真空磁导率=4π×10-7[] |
| h | 被测材料(MUT)高度 |
| C | 被测材料(MUT)外径 |
| b | 被测材料(MUT)内径 |




