盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

SEMICONDUCTOR GLOBAL SOLUTIONS

汇聚全球智慧推动半导体产业发展

2025

公司简介

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司成立于2018年3月，是国家高新技术企业、专精特新“小巨人”企业，主要从事集成电路专用设备研发、生产、销售和技术股务。

盛吉盛以“汇聚全球智慧，推动半导体产业发展”为使命，围绕国内龙头客户需求，已经成功开发多款薄膜沉积和快速热处理设备。主要产品包括:：12英寸等离子增强型化学气相沉积(PECVD)设备、12英寸高密度等离子化学气相沉积(HDPCVD)设备、12英寸解耦等离子体氮化(IDP)设备等，相关设备均在国内多家行业龙头客户完成验证并实现批量交付;此外，公司多款6/8英寸薄膜沉积(CVD/PVD)系列设备、缺陷检测(DEFECTINSPECTION)系列设备也已经实现量产交付。

盛吉盛总部设在宁波鄞州，在北京、上海、无锡及韩国华城等地设有研发中心。公司注册资本1.2亿美元，员工700余人，研发人员占比超40%;公司累计申请专利600余件，获得授权300余件，其中获得授权发明专利60余件;公司已承担国家部委支持项目2项，各级地方政府项目10余项。

注册资本1.2亿美元员工人数700+研发人员占比40%+

12吋薄膜沉积设备

PECVD-ZARVIS

Process: SiON, SiOC, TEOS, PEOX, SiN, SiCN, Low-k

Application: IMD, ILD, Hardmask, Passivation

设备介绍

ZARVIS应用于逻辑和存储客户的多个节点制程，具有均匀的气体分布、稳定的等离子体设计、对称的抽真空能力、高效率RPS(Clean)和均匀的加热功能等特点。

Robust & Excellent Equipment

Proven Module

Excellent Uniformity

Process Stability

Compatibility & Extendibility

System Compatibility

Process Extendibility

◆Easy Upgrade & CIP

Smart Equipment

Advanced Data Treatment

Outstanding in Sensing Diagnostic Function

Reliable Hardware Management

12吋薄膜沉积设备

HDP-XPEED-eFlux

Process: USG, FSG, PSG Application: STI, ILD, IMD, Passivation

设备介绍

XPEED-eFlux凭借特殊硬件与射频系统设计，可生成比传统PECVD高1-2个数量级的高密度等离子体。依托沉积速度快、薄膜质量优的优势，该技术广泛应用于浅槽隔离、介质层填充、阶梯填充等特定深宽比结构加工，成为先进逻辑与存储芯片制造中的关键技术。

XPEED-eFlux在逻辑芯片中的应用

XPEED-eFlux设备可配备一到三组反应腔，优化产能配置。反应腔根据不同应用可选择配备SiH4、O2、SiF4、PH3、Ar、He、H2、NF3等多种反应气体，使得单反应腔可兼容多种电介质薄膜沉积。

12吋快速热处理设备

RTP-XPEED-IDP

Process: ISSG, DPN, DPO, Soak PNA, Spike PNA Application: Gate Oxide Stack, HKMG PDA, HKMG Pre-OX, STI Liner

设备介绍

低压ISSG设备凭借超高薄膜质量及0.01纳米级膜厚控制精度，广泛应用于40nm、28nm、sub-28nm以下、14nm栅极氧化物与浅槽隔离liner生长;解耦等离子体氮化及退火工艺可降低栅极漏电密度、改善NBTI特性，同样成为先进逻辑与存储芯片前道工艺的核心应用技术。

12吋快速热处理设备

RTP-XPEED-Abyss

Process: RPO2
Application: STI, HKMG, PEALD,Contact Etch Back, Metal Etch Back

设备介绍

RPO2工艺以等离子体辅助氧化+高精度温控为核心，解决了传统氧化工艺在纳米级制程中的均匀性、效率与损伤控制难题。其优势体现于技术参数(如±1℃温控、99.5%重复性)，推动半导体向更高集成度与更低功耗演进，是先进逻辑芯片与存储器件制造的关键技术之一。

RTA-Brispark

Process: HT Anneal, LT Anneal, RTO, ISSG Application: Post Imp Anneal, Contact Anneal, STI Densification, ISSG Gate Oxide

设备介绍

快速热处理设备依托特殊温控算法与业界验证的晶圆自转系统，实现晶圆面内精确控温与颗粒管控。凭借升降温快速、热预算精准的特性，广泛应用于离子注入后晶格修复与杂质激活、STI及Gate Oxide的修复致密化，以及接触孔欧姆接触形成等关键工艺。

6/8吋薄膜沉积设备

CVD-Quadiance

Quadiance系统是用于6/8吋氧化硅、氮化硅、氮氧介质层等薄膜沉积工艺。

Quadiance双腔可提供基于硅烷(SiH4)体系和正硅酸乙酯(TEOS)体系的等离子增强化学气相沉积(PECVD)。

PECVD CH

CVD-Expediance

Expediance系统是用于6/8吋氧化硅、氮化硅、氮氧介质层、互联金属W层以及不定型碳膜保护层/阻挡层等薄膜沉积工艺。

SACVD/C film CH
PECVD CH

WCVD CH

等离子增强化学气相沉积(PECVD)

次常压化学气相沉积(SACVD)

钨化学气相沉积(WCVD)

PECVD-C film是SGS在化合物半导体里首创可用做SiC高温退火 工艺保护层及刻蚀硬掩模层(Hard Mask)

PVD-Auroflux

Application: AICu, AISiCu, Ti, TiN

Auroflux设备适用于Si/SiC/GaN基功率器件6/8吋晶圆金属互联层薄膜淀积工艺，能进行全自动工艺处理。

缺陷检测设备

U380S

针痕缺陷检测/Bump 100%全检

2D量测精度： 1μm @Mag 5X

3D高度量测精度：0.1μm

U390F

边缘检&背面检&正面检。

IR工位可穿透晶圆，进行内部缺陷及隐裂检测

◆2D量测精度：1μm @Mag 5X

Moptics

◆ 应用于Micro OLED基板、Cover Glass等(ANODE段/TFE段/CF段产品)缺陷检测

多种缺陷检测包括Particle、纤维、制程不良、有机物残留、金属残留也可检出Cover Glass的刮伤与划伤等

支持AI实时缺陷分类功能

独立的3D平台，可同时进行2D检测与3D量测

缺陷高度量测范围为 { 1 } { 2 } { / } { / } { / } { / } { / } { / }

量测精度100nm

MMI

◆应用于晶圆检测、先进封装

◆实现表面缺陷检测、晶粒缺陷检测、像素尺寸量测

支持电路板产业：线宽、线距检量测

◆支持Mask各类缺陷检测：Particle、纤维、蚀刻不良、有机物残留、金属残留

◆支持Mask尺寸量测：表面平坦度、开口尺寸和Frame高度

◆支持Mask高度量测：焊点于缺陷高度量测FLC

◆ AI实时缺陷分类

检测精度： 0 . 5 \mu { m }

U580

多材质检测：硅基、三代半导体、玻璃、有机材料

提供客制化：可以根据用户的需求，调整检测精度和分类标准

缺陷检测尺寸≥0.25μm

检测灵敏度0.15μm(DF)

盛吉盛

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

公司官网：www.sgssemi.com

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