Companyntroduct公司介绍

常州同惠电子股份有限公司创建于1994年，是一家集研发、制造、销售于一体的国家级高新技术企业。公司于2021年9月整体迁入占地面积45亩，建筑面积30000平米的花园式现代化新厂房。公司现有员工300余人， 7 5 % 以上具有大专及以上学历，研发人员占员工总数的25%以上。

公司紧跟时代发展的脉搏，制定并践行“智能测试、高效测试、精准测试、工业互联”的发展战略，倡导“专业、专注、专心”的匠心精神，始终致力于电子测量测试仪器的技术进步，尤其在精密阻抗测量领域具有三十年测试理论、测试技术和实践经验的积累。公司顺应国家对科学测量仪器高质量发展的高度关注和大力支持，并基于对半导体和新能源行业发展的重要性及良好市场前景的深刻理解，加大投入全力研发半导体和新能源行业产业链所需测试测量仪器，不断打破国外垄断和卡脖子风险，完美实现进口替代，并致力于成为国际一流水平的电子测量测试综合解决方案供应商。

同惠始终把研发投入视为公司发展的基石，多年以来研发投入占公司营收的比例一直保持在 12 % 以上。经过持续高比例的研发投入，公司具备了较强的自主研发能力和技术优势，目前在硬件测试、嵌入式软件与算法、总线、系统集成、工业互联等方面积累了多项核心技术成果，突破了高端电子元器件批量测试效率低、精度差、综合测试能力弱等一系列技术难题和瓶颈。先后成功研制出国内首创甚至国际领先的优秀产品：如六位半台式数字多用表、10MHz精密阻抗分析仪、并行多通道安规测试仪、宽频高速高精度电子变压器综合测试系统、120A大电流电感偏流特性测试系统等都是拥有核心自主知识产权并填补国内空白的重要产品。130 MHz超高测试频率的TH2851系列精密阻抗分析仪，基于自动平衡原理在阻抗分析仪领域国际领先。公司最新推出的TH199X系列源表/测量单元、TH510系列功率半导体C-V特性测试仪、TH2690系列飞安表均是填补国内空白，完美实现进口替代的高端产品。公司目前拥有授权专利65件（其中发明38件），在审发明专利43件，软件著作权58件。

经过三十年的技术沉淀与积累，公司产品线不断丰富，产品技术性能不断突破，市场占有率不断提升，已成为中国电子元器件测量仪器领军企业。公司目前主要产品系列为元件参数测试仪器、半导体器件测试仪器、绕线元件测试仪器、线束线缆测试仪器、电气安规测试仪器、微弱信号测试仪器、电力电子测试仪器、台式数字多用表、电源/电池综合性能测试系统等大类400余个型号的测试仪器产品。广泛应用于半导体、新能源、3C消费电子、5G通讯、电力电子、家用电器等领域的科研与生产测试中。公司始终坚持以创新的解决方案帮助客户解决测量难题、提高测试效率与产品品质，努力为客户创造更大价值。

公司在良好的发展过程中不断取得新的资质和荣誉：“国家高新技术企业”、“国家级专精特新小巨人企业”、“江苏省企业技术中心”、“江苏省工业设计中心”、“江苏省磁性元器件智能电子测量仪器工程技术研究中心”、“江苏省军民融合创新平台”等。公司承担过科技部中小企业创新基金项目2项、江苏省科技成果转化和省工信厅产业转型升级专项资金项目各1项、江苏省重点研发项目2项及其它多项江苏省/常州市科技计划项目。曾获得多项部/省/市级科技奖励，包括江苏省创新创业大赛一等奖、机械工业联合会科学技术二等奖、中国仪器仪表学会科技进步二等奖、江苏省科学技术三等奖3项、常州市科技进步二等奖2项、常州市创新创业大赛一/二/三等奖多项。

“实现顾客满意”是同惠始终坚持的营销准则。公司已建成多层次的市场营销模式，在全国20多个省市建立了营销和服务网络，为客户提供优质的产品和服务，贴近客户、倾听客户，构建与客户合作、沟通和交流的快捷通道，为客户创造价值。海外市场已成为公司发展的重要组成部分，已在北美、欧洲、东南亚、南亚等地建立了营销网络并取得了较好的成果，使来自中国的高科技产品同样能满足世界客户的需要。

公司于2021年1月在新三板精选层挂牌上市，同年11月成为北交所首批上市企业。展望未来，同惠将继续以务实稳健的姿态，肩负起更多社会责任，以国际化的视野和胸怀，奉献创新成果，共享发展价值。同惠一携手同心，惠及未来！

手册目录

Manual Catalog

TH500系列 功率半导体器件PIV测试系统3个型号一套系统

性能特点

·提供固定静态偏置点进行窄脉冲动态IV测量，满足准等温测试条件。
·实现器件寄生效应的量化测量与数据运算。
·脉宽最小低至200ns。
·具有内部和外部同步能力。
·脉冲时序设置和时域波形记录。
·仪器设备可与socket&半自动探针台互联，进行封装以及晶圆级芯片测试。

OLAN USBTMC

应用领域

·本设备主要用于高压功率器件的静态特性及可靠性测试，通过在一定偏置下对被测器件提供高压脉冲信号（Pulse-IV），模拟器件快速开关过程，进而测试器件工作过程中的性能变化情况。

尺寸/重量

体积A： 2 2 0 { {mm } ( W ) x 8 6 { {mm } ( H ) x 3 7 8 { {mm } ( D ) } } } 外型B：144mm(W)x62mm(H)x191mm(D)外型C：144mm(W)x62mm(H)x191mm(D)净重A：3kg
净重B：1kg
净重C：1kg

附件

随 三芯电源线
机 三端器件测试夹具
附 探头通信线缆
件：漏极供电线缆栅极探头输出转BNC适配器

详细叁数

1.栅极探头指标

2.漏极探头指标

TH199X系列| 精密源/测量单元7个型号可选

简要介绍

·TH1991/TH1992系列精密源/测量电源，可同时输出并测量电压和电流，在仪器中集成了电流源、电压源、电压表、电流表功能，各功能可任意切换。

TH1991/TH1992系列精密源/测量单元可输出高达±210V直流电压、 ± 3 A 直流电流以及 \mathtt { \xi } \mathtt { 1 0 . 5 A } 脉冲电流、最小10fA/100nV的电源和测量分辨率，支持高速采样，可生成任意波形。

TH1991/TH1992系列精密源/测量单元系列采用了7英寸电容式触摸屏，以Linux操作系统为底层，交互式图形用户界面及各种显示模式，并内置了二极管、三极管、MOS管以及IGBT等器件的I/V曲线扫描功能，无需连接上位机即可完成IV功能测试，可显著提高测试效率。

TH1991/TH1992系列精密源/测量单元全面、综合的电源和测量功能，是测试半导体、有源/无源器件以及各种其他器件与材料的理想选择。

TH1991/TH1992系列精密源/测量单元广泛应用在研发和教育应用、工业开发、测试和制造业等领域。

应用领域

·半导体、分立与被动元件测试二极管、激光二极管、LED光电探测器、传感器场效应管、三极管ICs(ICs、RFICs、MMICs)电阻、变阻器、热敏电子、开关
·精密电子及绿色能源器件测试光伏电池功率半导体电池汽车医学仪器用于板级测试的功率与直流偏置源
·研究及教育新材料研究纳米器件特性巨磁电阻有机设备任何精密IV源或测量

性能特点

·7英寸电容式触摸屏，分辨率 8 0 0 x 4 8 0
·Linux操作系统
·四象限精密电源输出
·单/双通道输出及测量
·高达±210V直流电压、±3A直流电流 / ± 10.5A脉冲
·10fA/100nV最小输出及测量分辨率（61/2位）
·电压源、电流源、电压表、电流表或电阻表五种基本模式
·高达1000000点/秒采样率，最小采样间隔1us
·支持直流、脉冲、扫描及列表输出
·脉冲输出的脉宽最小可达50us
·任意波形生成及列表扫描功能（最小1us间隔）
·二极管、三极管、MOS管以及IGBT快速生成常用器件的特性曲线，时域波形滚动显示功能
·兼具二线制测量/四线制测量
·输出滤波器时间常数（或截止频率）可自由设置以实现任意频响输出
·数学运算功能、滑动平均滤波功能、偏差扣除功能
·Delta低电阻测试方法，有效补偿由热电动势引起的测量误差
·14档分选功能，含Grading和Sorting两种模式
·标配上位机软件，方便在电脑上控制及数据采集

尺寸/重量

上架体积（ : _ { \mathsf {mm } } ）：215x132x490外形体积（mm）：235x154x530净重： \underline { { \underline { { 4 } } } } ⟨ \underline { { 7 } } 8 . 5 | { \mathsf {kg } } （单通道）/10kg(双通道）

附件

随机附件：TH26050B两端测试电缆 TH26087B香蕉头转射频两端测试盒
选配件： TH26050C四端测试电缆 TH26087低噪声滤波器 TH26087A低噪声滤波器 TH26087B香蕉头转两端转接盒 TH26087C低噪声测试盒 TH26087D香蕉头转四端转接盒 TH26087E屏蔽测试盒

功能特点

A.四象限输出

B.多种工作方式

仅脉冲

C.半导体元件静态特性测试

TH199X系列精密源/测量单元无需上位机软件，可直接在仪器界面设置并生成半导体元件如二极管、三极管、MOS管、IGBT等IV特性曲线，并可以直接调用常用器件库，快速完成测试。

1）二极管IV特性测试

二极管正向IV特性测试

二极管反向IV特性测试

2）场效应管输出特性曲线

输出特性曲线

场效应管阈值电压、跨导曲线测试

J400-624-1118

3）三极管输入输出特性曲线

三极管输出特性曲线

三极管Gummel曲线

TH193X系列 低噪声精密电源2个型号可选

简要介绍

·TH193X是6%位低噪声电源，测量分辨率固定为4%位。TH193X提供触摸屏、前面板键和旋钮来施加电压/电流或测量电压/电流/电阻。

仪器还支持多个功能，如扫描输出、脉冲输出、任意波形生成、迹线缓冲区、数学表达式和图形绘制。

因此TH193X可以是DC（恒定）电压/电流源、扫描电压/电流源、脉冲发生器、任意波形发生器和方用表。

应用领域

为了降低功耗，电池供电设备持续降低供电电压，这需要更精确的电源来准确表征设备行为；由于更高的数据速率和更快的时钟频率，移动通信等应用领域的噪声性能要求也越来越严格。这些技术趋势使得先进产品的测试变得越来越困难，因为它们对噪音和其他外部干扰极其敏感。

因此，现在需要具有更高精度、更好噪声性能和更通用的供电电源。TH1931/TH1932卓越性能和创新功能适用于各种应用，使您能够执行以前无法进行的关键测试和评估。

·模数转换器和数模转换器
·高精度模拟IC和电路
·射频集成电路
·医疗应用
·电缆/线束评估
·压控振荡器（VCO)
·传感器设备和换能器
·太阳能电池和接口电路
·电化学应用
·研究与教育
·晶体振荡器
·用于小电压测量的电流源
·电池管理模拟器
·先进材料评估

性能特点

·7英寸电容式触摸屏，分辨率 8 0 0 x 4 8 0
·Linux操作系统，中英文界面
·四象限精密电源输出
·单/双通道输出及测量
·高达+210V直流电压、±3A直流电流 I ± 10.5A脉冲
·10fA/0.1uV最小输出分辨率(61/2位）
·1pfA/10uV最小测量分辨率（41/2位）
·支持电压、电流、电阻、功率测量
·电压源、电流源、电压表、电流表四种基本模式
·最小采样间隔1us
·支持直流、脉冲、扫描及列表输出
·脉冲输出的脉宽最小可达50us
·1mHz-10kHz任意波形生成及列表扫描功能（最小1us间隔）·灵活的可编程输出电阻功能
·数学运算功能、滑动平均滤波功能、偏差扣除功能
·14档分选功能，含Grading和Sorting两种模式。

尺寸/重量

上架体积（ : \mathsf {mm } ）：215x132x490外形体积（mm）：235x154x530净重：约6kg（单通道）/ 1 7 . 5 1 6 9 (双通道)

附件

随机附件：三芯电源线TH26050B 两端测试电缆TH1931-003 超低噪声滤波器TH26017 USB接口线TH26050S 四端测试电缆选配件： TH26050C四端测试电缆TH26087低噪声滤波器TH26087A低噪声滤波器TH26087B香蕉头转两端转接盒TH26087C低噪声测试盒TH26087D香蕉头转四端转接盒TH26087E屏蔽测试盒

功能特点

A．7英寸电容式触摸屏、Linux操作系统底层，用户界面友好

由于采用了7英寸电容式触摸屏及Linux操作系统底层，因此对于用户而言，不仅可直观的在界面上看到双通道设置及测量参数，而且可触屏直接操作，大大提高了设置和测量效率。

B．四象限输出，61/2位输出分辨率

在设定时，支持61/2位编程分辨率

J400-624-1118

C．多种源输出模式

TH193X作为源输出时，可输出如下波形

1）直流源输出

此时作为恒压源（CV）或恒流源（CC）输出，可同时测量两个参数，测量参数类型可为：VOLTs(V)电压、AMPs(I)电流、OHMs(R)电阻和WATTs(P)功率

2）脉冲源输出

此时作为脉冲源（电压或电流）输出，红色框中图示输出状态，可设置脉冲源不同参数，以控制脉冲输出或测量定时。

3）扫描输出

此时作为扫描源输出（电压或电流），红框图示扫描源输出状态，扫描同时可对每个步骤进行测量，扫描方式分以下八种方式：

4）列表扫描输出 (任意波形输出）

此时作为列表扫描输出（电压或电流），红框图示扫描源输出状态，可按预先设定波形输出，并按每个输出值测量电压或电流。

D．41/2位测量分辨率，可测量多种参数

TH193X系列低噪声电源除了作为源输出功能之外，还可进行测量，测量分辨率为41/2位，并可测量多种参数

测试示意图

TH510系列

半导体器件C-V特性分析仪4个型号可选（±200V/±1500V/±3000V）

简要介绍

·TH510系列半导体C-V特性分析仪是常州同惠电子根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。

仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。

CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析（此功能为选件）。

仪器设计频率为1kHz-500kHz/2MHz， \mathsf { V } _ { \mathsf { G S } } 电压可达 ± 4 0 \vee \mathsf { V } _ { \mathsf { D S } } 电压可达±200V/ \mid ± \mid 1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。

应用领域

一体化设计：LCR+栅极电压 { { . } } { { v } } _ { \mathsf { G S } } { { + } } 漏极电压 { \mathsf { V } } _ { \mathsf { D S } } { } ^ { + } 通道切换 ^ + 上位机软件栅极电压 \mathsf { N } _ { \mathsf { G S } } . 0 - ± 4 0 \vee ·漏极电压 \mathsf { V } _ { \mathsf { D S } } . 0 * ± 2 0 0 \vee / ± 1 5 0 0 \vee / ± 3 0 0 0 \vee ·单管器件(点测）、模组器件(列表扫描）、曲线扫描(选件)三种测试方式：四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg)同屏一键测量及显示标配2通道，可扩展至6通道，可测单管、多芯或模组器件（TH511E/TH513仅1通道）CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描·电容快速充电技术，实现快速测试接触检查Cont·通断测试OP_SH自动延时设置CrssPlus功能：解决高频下Crss负值问题高压击穿保护：解决栅极电压过高反冲仪器问题Interlock安全锁功能：增加高压防护墙(仅TH513)Cs-V功能：二极管结电容CV特性测试分析·等效模式转换功能，可选Cs或Cp模式：10档分选

·半导体功率器件二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析
·半导体材料晶圆切割、C-V特性分析
·液晶材料弹性常数分析
·电容元件电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析

性能特点

尺寸/重量

体积（mm）：430(W)x177(H)x405(D)净重：约16kg

附件

随机附件：电源线一根 TH26063B测试夹具（仅TH511和TH512） TH26063C测试夹具（仅TH511和TH512） TH26063D连接电缆 TH26063G测试延长线 TH26063J 测试夹具 (仅TH513)
选配件：200V通道板 1500V通道板 图形扫描软件

功能特点

A.一体化测试，集成度高、体积小、效率高

一台仪器内置了LCR数字电桥、 \mathsf { V } _ { \mathsf { G S } } 电压源、 \mathsf { V } _ { \mathsf { D S } } 电压源、高低压切换矩阵以及上位机软件，将复杂的接线、繁琐的操作集成在支持电容式触摸的Linux系统内，操作更简单。特别适合产线快速化、自动化测试。

B.单管器件测试，10.1时大屏，四种寄生参数同屏显示，让细节一览无遗

MOSFET或IGBT最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一键测试，10.1时大屏可同时将测量结果、等效电路图、分选结果等重要参数同时显示，一目了然。

一键测试单管器件器件时，无需频繁切换测试脚位、测量参数、测量结果，大大提高了测试效率。

CV测量显示 h 频率 1.00000MHz Vg 0.000V CV显示
CH1 电平 200.0mV Vd 25.00V -Ciss 1.36221 nF 0 测量显示 Css=Cgs +Cgd
CH2 频率 1.00000MHz Vg 0.000V 列表显示 电平 200.0mV Vd 25.00V -Coss 96.5846 pF O 曲线显示
CH3 Ciss = Cgs + Cgd 保存
CHA! 频率 电平 1.00HZ Vd 2.00V 关开 \~Crss 6.14454 pF 3 Coss = Cds + Cgd
CH5 频率 1.00000MHz Vg 0.000V 电平 200.0mV Vd 0.000V
CHGRg-DSO 2.06449 Ω O Rg-DSO Bin1Bin2Bin3Bin4Bin5Bin6Bin7Bin8Bin9Bin10 ContFailOpShFal BinFail 0 模块：P+N线缆：0m开路2022/12/0510:26:30

同时保存6个通道参数可快速调用切换。

C.列表测试，多个、多芯、模组器件测量参数同屏显示

TH510系列半导体C-V特性分析仪支持最多6个单管器件、6芯器件或6模组器件测试，所有测量参数通过列表扫描模式同时显示测试结果及判断结果。

D.曲线扫描功能（选件）

在MOSFET的参数中，CV特性曲线也是一个非常重要的指标，如右图

TH510系列同时支持多种曲线扫描模型。

TH510系列半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线。

曲线支持散点标记及粗细调节

Ciss-Rg曲线扫描

E.Cs-V功能，二极管结电容CV特性测试分析

得益于TH510系列功率器件CV特性分析仪内置了2路直流电源，使二极管的CV特性分析成为可能，Cs-V功能可用于测试各种二极管的结电容，并可分析二极管的CV特性。

线缆：0m2023/10/1010:54:00

F.等效模式转换

TH510系列功率器件CV特性分析仪测试结果的电容C均为串联模式Cs，对于部分需求测试并联模式Cp需求的客户，可自行切换。

线：0m2023/10/10105241

G.多种独特技术，解决自动化配套测试痛点

在配套自动化设备或者产线时，经常会遇到下列问题，同惠针对多种情况进行了优化。

1）独特技术解决Ciss、Coss、Crss、Rg产线/自动化系统高速测试精度

同惠电子在电容测试行业近30年的经验积累，得以在产线、自动化测试等高速高精度测试场合，都能保证电容、电阻等测试精度。

常规产线测试，提供标准0米测试夹具，直插器件可直接插入进行测试，Ciss、Coss、Crss、Rg测试精度高。

针对自动化测试，由于自动化设备测试工装通常需要较长连接线，大多自动化设备生产商在延长测试线时会带来很大的精度偏差，为此，同惠设计了独特的2米延长线并内置了2米校准，保证Ciss、Coss、Crss、Rg测试精度和0米测试夹具一致。

2）接触检查（Contact）功能，提前排除自动化测试隐患

在高速测试特别是自动化测试中，经常会由于快速插拔或闭合，造成测试治具或工装表面磨损、引线断裂而接触不良，接触不良的造成的最直接后果是误判测试结果而难以发现，在废品率突然增加或发出产品故障原因退回时才会发现，因此是一个极大的隐患。

同惠TH510系列半导体C-V特性分析仪采用了独特的硬件测试方法，采用了四端测量法，每个脚位均有两根线连接，若任意一根线断裂或者接触点接触不良，均可及时发现并提供接触不良点提示，仪器自动停止测试，等待进一步处理。

保障了结果的准确性，同时利于客户及时发现问题，避免了不良品率提高及故障品退回等带来的损失。

接触不良提示

线缆：0m2022/11/3015:15:06

接触检查不合格！（DFai！

3）快速通断测试（OP_SH），排除损坏器件

在半导体器件特性测试时，由于半器件本身是损坏件，特别是多芯器件其中一个芯已经损坏的情况下，测试杂散电容仍有可能被判断为合格，而半导体器件的导通特性才是最重要的特性。

因此，对于本身导通特性不良的产品进行C-V特性测试是完全没有必要的，不仅仅浪费了测量时间，同时会由于C-V合格而混杂在良品里，导致成品出货后被退回带来损失。

TH510系列半导体C-V特性分析仪提供了快速通断测试（OP_SH）功能，可用于直接判断器件本身导通性能。

短路提示

4）Crss+Plus功能，解决自动化测试系统高频下Crss负值问题

Crss电容通常在pF级，容量较小，测试是个难题。

而在自动化测试系统中，由于过多的转接开关、过长测测试引线等带来的寄生参数。

因此，测试CrsS，特别是在高频测试时通常会出现负值，

同惠电子凭借在电容器测试行业30年的技术及经验积累，采用独特的算法的CrssPlus模式，可保证即使是在自动化测试系统中、高频下也能测的正确的结果。

线缆：0m2023/10/1010:53:01

5）漏源高压击穿保护技术，防止损坏测试仪器

在测试功率器件电容时，漏极D通常会加上高压，特别是第三代功率半导体器件，电压甚至可高达1000V-3000V，当漏源瞬间击穿时，常会导致电容器瞬间短路放电，在漏源电压1500V时，放电电流可高达780A，如此大的瞬间电流，会反冲至仪器内部电路，并导致损坏。

同惠高压击穿保护技术，解决了此隐患，避免经常由于高压冲击损坏仪器，降低了维修成本的同时提高了自动化测试的效率。

7）模组式器件设置，支持定制

针对模组式器件如双路（DuaI）MOSFET、多组式IGBT，有些器件会有不同类型芯片混合式封装，TH510系列CV特性分析仪针对此情况做了优化，常见模组式芯片Demo已内置，特殊芯片支持定制。

8）10档分选及可编程HANDLER接口

仪器提供了10档分选，为客户产品质量分级提供了可能，分选结果直接输出至HANDLER接口。

在与自动化设备连接时，怎么配置HANDLER接口输出，一直是自动化客户的难题，TH510系列将HANDLER接口脚位、输入输出方式、对应信号、应答方式等完全可视化，让自动化连接更简单。

6）Interlock互锁功能，确保高压下操作环境安全(仅TH513)

在测试功率器件需施加高压，因此对于操作者及其他设备的安全隔离非常重要，特别是在自动化产线，通常会将高压设备放置在一个隔离的环境，并通过安全门开启关闭来保证操作者的安全。

TH510系列功率器件CV特性分析仪配置了Interlock接口，可与安全门开关连接，在安全门开启时切断高压输出并禁止仪器启动，只有关闭后才能正常工作。确保了操作者和设备的安全。

H.简单快捷设置

参数可以任意选择，可打开及关闭，关闭参数可有效节约时间和数据传输；延时时间可自动设置或自行设置；栅极电阻可选漏源短路或漏源开路。

采用图形化设置界面，功能参数对应原理图设置一目了然。

CV测量设置 n 划发 单次 过度 快速 Rg0S开路 CViR
功 Ciss Pg Cis-/g Rg 测量设置
量开关 f 开 开 开 松用设置
招率 10000HZ 10000 1.0000H2 1.0000H2
电平 30.00mV 30.00mV 30.00mV 100.0mV 列表设置
vg 0.000V 0.000V 0.000V 0.000V 曲线设置
Vd 0.000V 0.000 0.000V 0.000V
8时 0自动 0s（自动 0（自动 0si盘动) 工具
保茶 关 关 关 关
参 0.0000 0.0000 0.0000 0.000
nn 0.000 0.0000 0.0000 0.0000 专游

单测设置界面

列表扫描设置界面

1.支持定制化，智能固件升级方式

同惠仪器对于客户而言是开放的，仪器所有接口、指令集均为开放设计，客户可自行编程集成或进行功能定制，定制功能若无硬件更改，可直接通过固件升级方式更新。

仪器本身功能完善、BUG解决、功能升级等，都可以通过升级固件(Firmware)来进行更新，而无需返厂进行。

固件升级非常智能，可以通过系统设置界面或者文件管理界面进行，智能搜索仪器内存、外接优盘甚至是局域网内升级包，并自动进行升级。

文件管理 n
名称 大小 修改日期 文件管理2022/0772913:517 保存-cv1.cv 13KB 2022/06/17 15:32:32CV2.cv 17KB2022/06/29 13:46:23 复制时I:\screen20220729.png 175KB2022/07/29 13:57:27update510.sec 3.0MB 2022/07/22 10:53:48 重命名
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内部：132MB（210MB) 外部：28GB(28GB) 内存：148MB（247MB)2022029142-31

CV扫描设置界面

J.半导体元件寄生电容知识

在高频电路中，半导体器件的寄生电容往往会影响半导体的动态特性，所以在设计半导体元件时需要考虑下列因素：在高频电路设计中往往需要考虑二极管结电容带来的影响；MOS管的寄生电容会影响管子的动作时间、驱动能力和开关损耗等多方面特性；寄生电容的电压依赖性在电路设计中也是至关重要，以MOSFET为例。

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K.标配附件

技术叁数

功率器件CV特性测试解决方案

一.前言

随着我国加快实现“碳达峰、碳中和”的目标，电气化替代已成为实现目标的关键。

电气化替代是通过功率半导体把光伏、风电、特高压、新能源汽车、高铁等织成一张可循环的高效、可靠、可控能源网络，实现对可再生能源的高效管理和利用降低能耗、减少碳排放。

同时功率半导体在计算机、交通、消费电子、汽车电子为代表的4C行业应用也越来越广泛。

可以预见，随着新能源爆发式增长，在新能源汽车领域，汽车的动力系统、空调压缩机、充电桩等都需要大量功率半导体器件；风电和光伏产生的电不能直接并网，需要逆变器、变流器进行电能转化，这会新增大量的功率半导体需求。

随着科技的发展，现有半导体材料已经经过了三个发展阶段：

由此可见，第三代半导体展现出了高压、高频、高速、低阻的优点，其击穿电压，在某些应用中可高到1200-1700V。这些持点带来如下新特性：

·极低的内部电阻，与同类硅器件相比，效率可提高 7 0 % ·低电阻可改善热性能(最高工作温度增加了)和散热，并可获得更高的功率密度·散热得到优化，与硅器件相比，就可采用更简单的封装、尺寸和重量也大大减少·极短的关断时间(GaN器件接近于零)，能工作于很高的开关频率，工作温度也更低这些特性，在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的应用最为广泛。

其中，功率器件以MOSFET、IGBT为代表，两者均为电压控制电流型功率开关器件，MOSFET优点是驱动电路简单、开关速度快、工作频率高，IGBT是由BJT和MOSFET组合成的复合器件，兼具两者的优点：速度快、能耗低、体积小、而且大功率、大电流、高电压。

MOSFET以栅极（G）极电压控制MOSFET开关，当VGS电压大于阈值电压VGS(th)时，MOSFET导通。

IGBT同样以栅极（G）极电压控制IGBT开关，当VGE电压大于阈值电压VGE(th)时，IGBT导通。

因此，在第三代半导体高速发展的同时，测量技术也面临全面升级，特别是高电压、大电流、高频率测试，以及电容特性CV）特性。

本方案用于解决MOSFET、IGBT单管器件、多个器件、模组器件的CV特性综合解决在了解本方案之前，需先了解一下MOSFET、IGBT器件的米勒效应、CV特性等相关知识。

二．功率器件的米勒效应、CV特性

1．MOS管的寄生电容

以台湾育碧VBZM7N60为例MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds以及栅极电阻Rg，

在规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替。

VBZM7N60/VBZMB7N60

三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。

这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。

规格书上对上述三个电容的CV特性描述

由描述可见，三个电容均会随着VDS电压的增加而呈现下降的趋势。

Fig.5-Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage

2．MOS管的米勒效应

理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入饱和导通状态。

实际上在MOS管的栅极驱动过程中，由于米勒效应，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的典型标志，所以导致开通损耗很大。

理想MOS管驱动波形

实际MOS管驱动波形

米勒平台形成的详细过程：

3．寄生电容、CV特性、栅极电阻Rg测试技术

由前述知识可见，功率器件的寄生电容的测试，需要满足下列几点：

① 由于寄生电容基本在pF级别至nF级别，测试频率至少需要100kHz-1MHz，这些可由参数表找到

② 测试寄生电容时，用于测试的LCR或者阻抗分析仪至少需要2路直流电源，其中 \mathsf { I V } _ { \mathsf { D S } } 需要电压很高，由几十V至几百V，第三代半导体功率器件甚至需要几千V。

③ 参数表中CV特性曲线，需要可变的 \mathsf { V } _ { \mathsf { D S } } ，因此DS电压源需要可调电源。

具体几个寄生电容极栅极电阻测试原理如下：

1）输入电容Ciss

漏源（DS）短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容 Ciss \mathbf { \tau } = \mathbf { \tau } Cgs+Cgd

2）输出电容Coss

栅源GS短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容 Coss \mathbf { \tau } = \mathbf { \tau } Cds +Cgd

3）反向传输电容Crss

源极G接地，用交流信号测得的栅漏GD极之间的电容，也称米勒电容 Crss \mathbf { \tau } = \mathbf { \tau } Cgd

4） 栅极电阻Rg

漏源DS短接，或开路，用交流信号测得栅源GS间交流电阻

三．半导体功率器件CV特性测试痛点

现今，市场上功率器件CV特性测试仪器，普遍存在下列痛点：

1.进口设备

进口设备功能全、一体化集成度高、测试准确，但是有如下缺点：

a) 价格昂贵，动则几十万甚至上百万的价格，一般企业很难承受。
b) 操作繁琐，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，对于用户操作并不友好。
C) 测试效率低，一台设备可能完成动态特性、静态特性的全部测试，但是接线复杂、操作难度大，测试结果用时较长，测试效率无法保障。

在进口设备无法满足用户测试需求的情况下，国产设备应运而生，以相对功能单一、操作方便、价格低廉快速占领了一部分市场，但是，这些设备同样也有如下缺点：

a）体积庞大，大多数国产设备，由于没有专业的电容测试经验，通常是用几台电源、一台LCR、工控机或者PLC、机箱、测试工装等组合而成，因此体积过大，无法适用于自动化产线快速生产。
b） 漏源电压VDS过低，大多最高只能达到1200V左右，已无法满足第三代半导体功率器件测试需求。
c) 测量精度低，由于缺乏专业电容测量经验，加上过多的转接，导致电容特别是pF级别的小电容无法达到合适的测量精度。
d) 测试效率低，同样由于组合仪器过多，加上需用工控机或PLC控制过多仪器，导致测试单个器件时间过长。
e）扩展性差，由于设备过多，各种仪器不同的编程协议，很难开放第三方接入以集成至客户产线自动化测试整体方案中。

四.同惠半导体功率器件CV特性解决方案

针对当前测试痛点，同惠电子作为国产器件测量仪器头部企业，责无旁贷的担负起进口仪器国产化替代的责任，本着为客户所想、为客户分忧的精神，契合市场热点及需求，及时推出了针对半导体功率器件CV特性的一体化、系列化解决方案。

单管或者多个MOSFET、IGBT测试解决方案

单管器件或者多个单管器件测试相对简单，同惠提供了TH510系列半导体C-V特性分析仪即可满足基本测试要求。TH510系列半导体半导体C-V特性分析仪基本情况如下：

应用场景

a）实验室、产线工作台

对于实验室、产线工作台应用，一台单机即可完成全部测试，提供了标准化直插治具，对于直插式MOSFET或IGBT器件，直接插入治具即可进行测试；同时可以测试最多6个单个器件。

优势如下：

·体积小，便于集成
·测试精度高
·测试速度快，测试效率高
·性价比高，比国产系统更便宜
·操作简单方便
·功能可定制化

b）产线自动化测试

针对产线自动化测试，公司提供了2米延长线便于客户自己改装自动化产线工装改装，仪器出厂前已校准好2米线测试数据，保证只要按标准要求改装，不会损失测试精度。

仪器已标配了HANDLER接口，可自行编程每个信号线的输入输出电平及信号特征，便于与自动化产线进行I/O信号交互。

仪器内置了SCPI、MODBUS标准编程指令协议，用户可自行编程集成到产线自动化测试系统中，同惠也提供标准化上位机软件或定制特殊需求的上位机软件。

优势如下：

·提供2米扩展延长线
·测试精度高
·测试速度快，测试效率高
·标配HANDLER接口
·操作简单方便
·功能可定制化

五．多芯器件或模组MOSFET、IGBT测试方案

多芯器件、模组器件由于内部集成多个MOSFET、IGBT芯片，而且内部电路比较复杂，因此，测试相对复杂。

等效电路图（部分）

由上图可见，部分多芯器件、模组器件由于脚位众多、核心多、有贴片封装、异形封装等，如果用单机去测试，接线都很困难，而要完成整颗器件测试更是难上加难。

因此，同惠为此开发了针对模组式器件的测试系统

1）系统结构

整套系统基于TH510系列半导体CV特性分析仪，加上定制工装、上位机软件等组成了一套完整的测试、数据分析系统。

TH510系列半导体CV特性分析仪

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2）上位机软件

测试软件采用同惠测试系统通用框架，根据不同产品或不同需求会有相应更改

3）整套测试系统配置清单

简要介绍

·TH2851系列阻抗分析仪是常州同惠电子采用当前国际先进的自动平衡电桥原理研制成功的新一代阻抗测试仪器，为国产阻抗测试仪器的最新高度。

TH2851系列阻抗分析仪彻底改变了传统国产仪器复杂繁琐的操作界面，基于Windows10操作系统，实现了全电脑化操作界面，让测试更智能、更简便。

TH2851系列阻抗分析仪也彻底超越了国外同类仪器120MHz的频率瓶颈；解决了国外同类仪器只能分析、无法单独测试的缺陷；中英文操作界面也解决了国外仪器仅有英文界面的尴尬；采用单测和分析两种界面，让测试更简单。

快达2.5ms的测试速度、及高达40MΩ的阻抗测试范围可以满足元件与材料的测量要求，特别有利于低损耗(D)电容器和高品质因数(Q)电感器的测量。四端对的端口配置方式可有效消除测试线电磁耦合的影响，将低阻抗测试能力的下限比常规五端配置的仪器向下扩展了十倍。

应用领域

无源元件：电容器、电感器、磁芯、电阻器、压电器件、变压器、芯片组件和网络元件等的阻抗参数评估和性能分析。
·半导体元件：LED驱动集成电路寄生参数测试分析；变容二极管的C-VDc特性；晶体管或集成电路的寄生参数分析
·其它元件：印制电路板、继电器、开关、电缆、电池等阻抗评估
·介质材料：塑料、陶瓷和其它材料的介电常数和损耗角评估
·磁性材料：铁氧体、非晶体和其它磁性材料的导磁率和损耗角评估
·半导体材料：半导体材料的介电常数、导电率和C-V特性液晶材料：液晶单元的介电常数、弹性常数等C-V特性

性能特点

·测试频率：10Hz-130MHz
·基本阻抗精度： 0 . 0 8 % ，典型值 <= ± 0 . 0 4 5 %
·高精度：采用自动平衡电桥技术，四端对测试配置
·高稳定性和一致性
·高速度：最快达2.5ms的测试速度
·高分辨：10.1英寸电容式触摸屏，分辨率 1 2 8 0 ^ { \star } 8 0 0
·点测、列表扫描、图形扫描、等效电路、晶体振荡器分析五种测试方式
·1601点多参数列表扫描功能
·四参数测量
·自动电平控制（ALC）功能
·4通道图形扫描功能，每通道可显示4条曲线，通道和曲线有14种分屏显示方式
·分析功能：等效电路分析、晶体振荡器分析、压电分析、曲线轨迹对比、介电常数分析（选件）、磁导率分析（选件）
·强大的分选：LCR模式10档分选
·图形扫描模式每条曲线单独分选，频率分段扫描并分选
·高兼容性：支持SCPI指令集，兼容KEYSIGHTE4990A、E4980A、E4980AL、HP4284A

尺寸/重量

体积（mm）：428 (W)×220(H)×325(D)净重： 1 4 . 5 \mathsf {kg } （204号

附件

功能特点

A.高精度

宽带自动调零型自动平衡电桥技术的应用，得以在10Hz-130MHz频率、25mΩ-40MΩ的阻抗范围内都能达到理想的 1 0 % 测量精度，其中最高精度达 0 . 0 8 % ，远远高于射频反射测量法的阻抗分析仪、网络分析仪的精度。

B.高稳定性和高一致性

下图是在速度5、测试频率1MHz，测量100Ω电阻的曲线，由下图可见其轨迹噪声 <= 0 . 0 0 3 % （ <= ± 0 . 0 0 1 5 \Omega { . } 中

C.高速度

开路短路负载偏置关保持2021-3-1112:19:49

D.10.1寸大屏，四种测量参数，让细节一览无遗 E.增强的列表扫描功能

10.1寸触摸屏、1280\*800分辨率，Windows10系统、中英文操作界面，支持键盘、鼠标、LAN、VGA/HDMI接口，带来的是无以伦比的操作便捷性。

大屏幕带来更多的好处是，可以把所有测试参数及分选参数、分选结果、功能选择等参数放置在同一屏幕，而且看起来绝不拥挤和杂乱，同时可以显示四种测量参数，四种测量参数任意可调。屏幕左边的按钮可以快捷选择8套测试参数

TH2851Precis Impedance Analyzer
1 测量频率 100 MHz 交流量程 Auto(50 Ω) 交流电流监控 15.89 mA 测量设置测量速度 3 直流偏置 0mV 测量频率
2 测量电平 500mV 平均次数 1 交流电压监控 102.8 mV 测量速度>美
3 |Z| 6.47269 Ω 考 0.00000Ω 直流偏置 ,参数2 测量电平 ,运翼 关0z(deg) -61.42 deg 号 0.000000 交流 ，
5运复 关
6 R -3.09644 Ω 考 0.00000Ω 触发模式 ,参数4 触发延时
7 运算 美 0msX -5.68400 Ω 2 0.00000Ω 交直流监控退出BN1228 点 39开路 短路 负载偏置关 合格测量 2021-3-11 11:31:17

可以最多设置1601点的列表扫描，每个点可以单独设置测试频率、测试电压、直流偏置等测试条件。

测量频率 平均 新量电平 Cp100kHz 500 mV Auto(5 kΩ) 0mV 29.6493kD -88.2271 deg 53.6534 pF 0.03095 表总菜单2143.84kHz 500mV Adto5kO) 0mV 20.7474 kD 88.3788 deg 53.3075pF 0.02830206.91ktz 52.9682 pF 0.02605297.64k 0.02381 逐点测量0.022040.02075001872 列表设置 .2743 .7341 0.017032.6367 89.2513 88 校准设置 A0.00603 测量参数 ，0V 4576770 -58.4190 1 测量楼度 AA500mV Auto(50 Ω) 0 mV 21.0730 Ω -54.8900 deg 88.8729 pF 0.70307 d6 0.54565 触发模式 .分选设置 .LatestBIN 1 2 BN3BN4BN5BN6BN7BN8BN9BN10

F.强大的分析图形界面

最多可以4通道同时显示，每个通道可以最多显示4条曲线。通道和曲线各有十四种分屏显示方法。

单通道四曲线显示

单通道单曲线

双通道双曲线显示

四通道四曲线

G.分段扫描功能

分段扫描是在一个扫描周期内，设置不同的频率分段进行扫描，扫描时可设置不同的电平及偏置，扫描结果直接图形显示，用于需要快速筛选多个频率段参数的扫描需求。

如晶体谐振器需要测试标称谐振/抗谐振频率以及其他杂散频率，通过分段扫描功能可在特定频率范围内扫描测量，无需扫描不相关频率

载屏
□ 18H 止 10 分段设置
2 2MHz 5MHz 10 频率模式
4 6M 10M亿 1010 测量电平设置开关
5 18MHz 30MHz 10 直流偏置设置开关测量速度设置开关平均次数设置开关测量时间设置开关测量延时设置开关删除透加退出总计：50个点开路短路负款相位偏置夹具测量2022-4-811:3:07 2022-811-3:7

30 \*参数如有修改恕不另行通知以最新资料为准

H.强大的光标分析能力

TH2851系列精密阻抗分析仪具有强大的光标分析能力，可以通过光标实现如下功能：

1.读取测量结果的数值（作为绝对数值或者相对于参考点的相对值）
2. 查找曲线上的特定点（光标查找）
3. 分析曲线测量结果，计算统计数据
4. 使用光标值修改扫描范围以及纵坐标缩放

TH2851可以在每条曲线上显示10个光标，包括了参考光标。
每个光标有一个激励值（坐标系×轴对应的数值）和响应值（坐标系Y轴对应的数值）。光标查找功能允许搜索下列条件测量点：

最大值、最小值

峰谷值：峰值（极大值）、谷值（极小值）、光标左侧最近的峰谷值、光标右侧最近的峰谷值、多重峰谷值目标值：距离光标最近的目标值、光标左侧最近的目标值、光标右侧最近的目标值、多重目标值

1.强大的图形分析功能

1）曲线分选功能

可以对扫描曲线全部或者部分区域的测试值进行合格/不合格判断，常用于谐振曲线筛选如压电元件等谐振频率。

2）等效电路分析测试

现实生活中不同类型的器件可以被等效成简单的三参数四种模型、四参数三种模型的阻抗器件，等效电路分析测试功能提供了7种基本的电路模型用于等效这些器件。

可以通过仿真的等效电路参数值的阻抗拟合曲线与实际测量的阻抗曲线进行对比，还可以通过您输入的参数按照所选择的模型进行拟合。

等效的电路模型可以直接输出成TXT文档方便用户保存使用

3）晶体振荡器分析（压电器件分析）

对晶体振荡器进行测量以及性能分析，测量计算后获取晶体的谐振频率、反谐振频率、品质因数等重要参数。

同时，对于其他压电器件如压电陶瓷滤波器、压电陶瓷陷波器、压电陶瓷鉴频器、压电陶瓷变压器、大功率超声波发生器、换能器（振子）、声表面波器件、电声器件等都可以测试如静态电容、损耗、谐振频率、反谐振频率、机械耦合系数等参数。

开路知路负载相位偏置夹具测量2022-4-2714:07:29

4）曲线轨迹对比

曲线轨迹对比用于对被测件进行连续测量，所有曲线显示在同一个坐标系中。由下列两种应用：
a）针对多种不同被测件
对比不同测量条件下的曲线轨迹
设置不同的频率点，计算出所有曲线在该频率点的测量值
b）针对同一个被测件
对比同一个条件下测量的多次测量结果重复性
设置不同频率点，计算出所有曲线在该频率点的测量值

J.介电常数分析（选件）

TH2851系列精密阻抗分析仪支持介质材料介电常数、介质损耗分析，需选购测试夹具及分析软件。

2.TH26077介质材料测试夹具

TH26077电介质材料测试夹具是设计在TH2851上进行准确的介电常数及介质损耗测量的夹具。通过使用平行板方法测量固态材料的介电常数，从而消除离散电容。

1）外形结构

2）基本参数

3）测试原理

非屏幕电极B

4）介电常数公式

{ \mathsf C } _ { \mathsf P } ：测试仪器测出的等效并联电容值（F）
\mathfrak { t } _ { { a } } ：被测材料的平均厚度（m）
A：屏蔽电极中测试电极的面积 ( \mathsf { m } ^ { 2 } )
d：屏蔽电极中测试电极的直径（m）屏蔽电极A1： 3 8 x 1 0 ^ { - 3 } [m]屏蔽电极A2： 5 x 1 0 ^ { - 3 } [m]
\scriptstyle \mathbf { \varepsilon } _ { 0 } ：自由空间介电常数 8 . 8 5 4 x 1 0 ^ { - 1 2 } [F/m]

3.介电常数分析软件

该软件为选件，开通后在TH2851界面直接选择对应的参数即可，分别可以单测、列表扫描、曲线扫描，下图为曲线扫描界面。

K.磁导率分析

TH2851支持磁性材料磁导率测试，在主机的基础上，需选配测试夹具及磁导率分析软件，具体配置如下：

2.测试夹具

1）TH26086转接底座

用于将4端对转换成N型7mm底座，适配其他测试夹具如TH26088磁导率测试夹具。

TH26086为必选项，若未选购，TH26088将无法正确测量。

2）TH26088磁导率测试夹具

TH26088可精确测量环形磁性材料的磁导率。由于该夹具的结构是环形线圈绕一圈（无漏磁），因此不需要绕环形线圈的导线，而且允许广泛的频率覆盖。它配有一个小型和一个大型夹具，适应各种尺寸，是测量磁性材料的理想结构。

1）磁导率基本概念

磁导率是材料与磁场的相互作用，等于电感B（磁感应强度）与磁场强度H的比值复数相对导磁率 ( \mu ^ { \star } ) 由实部和虚部组成实部 ( \mu _ { r } ^ { \prime } ) ：储存电能虚部 ( \mu ^ { \mathfrak { n } } { } _ { \mathfrak { r } } ) ：消耗能量也是真空导磁率 ( \mu _ { 0 } ) 的复数导磁率 * \mu _ { { ~ } } ^ { \star } , ）损耗角正切tanδ为无效导磁率，是实部 ( \mu _ { r } ^ { \prime } ) 和虚部 ( \mu ^ { { ~ \tiny ~ \mathfrak ~ { ~ \mathfrak ~ { ~ α ~ } ~ } ~ } } ) 的比值

2）有效磁导率μ'e、μ"。

采用电感测量法测量，在环形磁芯的磁芯上缠绕导线，并放置在一个密闭的圆柱形空间内（TH26088夹具），通过阻抗分析仪测量导线两端的电感（自感），根据测试电感量及下列公式推导出有效磁导率。

3）相对导磁率

4.磁导率分析软件

选择开通磁导率分析软件之后，仪器便可以在单测、列表扫描、曲线扫描中直接选择磁导率参数，直接在界面显示测试结果

1 测量频车 100.000 MHz 交流量程 Autb(50 () 交流电流监控 4.996 mA 测量设置测量速度 直浅侯置 0V
2 测量电平 500mV 平均次数 交消电压监控 429.0 μV 触发模式 ,D
” Hr 0.84171 0.00000
4 P2 屏蔽电毯
5 ur" -0.14904 0.00000 介质厚度P限1 福环高度
· tanδ -0.17706 环外径
\~ 4 辅聚内楼
. |Z 0.08587 Ω 0.00000 Ω 退出
截图保存于D:\PrintScre 22-11-25 09:15.14

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L.标配附件

TH26082A100Q标准件

TH26010 镀金短路板

TH26047A四端对测试夹具
工作频率：DC-120MHz
最大直流偏置：±42V
应用：用于导线类器件的阻抗
测试，带屏蔽接地端
TH26005D四端对测试夹具
工作频率：DC-120 MHz
最大直流偏置：±42V

M.选配附件

TH26007A磁环测试夹具
工作频率：DC-120MHz
最大直流偏置：±42V
应用：小型磁环单匝电感量测
试，尺寸大小可定制TH26008ASMD元件测试夹具·工作频率：DC-120MHz
最大直流偏置：±42V
应用：SMD器件，尤其高频小电容≤3pF或小电感≤1uH。测试频率≥100kHzTH26009BSMD元件测试钳工作频率：DC-15MHz
最大直流偏置：±42V
应用：用于各种SMD器件测试TH26108C四端对贴片测试夹具·工作频率：DC-40MHz
最大偏置：±42V
应用：SMD器件，尤其高频小电容≤3pF或小电感≤1uH，测试频率≥100kHz,且对D和Q要求高的器件
TH26062A四端对测试夹具
工作频率：DC-100kHz
最大直流偏置：±42V
应用：测试电动汽车用薄膜大容
量DC_LINK电容

TH26048B四端对测试夹具

工作频率：DC-13MHz
最大直流偏置： ± 4 2 V
应用：用于各种直插式轴向和径
向阻抗器件
TH26063四端对测试夹具
工作频率:DC-100kHz
·最大直流偏置：±42V
应用：测试螺栓电容器，
DC_LINK电容

TH26077电介质测试夹具·工作频率：DC-30MHzDUT尺寸：10mm-56mm·DUT厚度：≤10mm应用：固体材料的介电分析

TH26086TH2851-7mm夹具·工作频率：DC-130 MHz应用：四端对接口转7mm接口

TH26088TH2851磁导率测试夹具
·工作频率：DC-130MHz
·DUT尺寸：≤20mm
DUT厚度：≤8.5mm
应用：磁性材料复数磁导率分析

TH26086-CAL7 \mathsf {mm } 夹具校准套件