盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

SEMICONDUCTOR GLOBAL SOLUTIONS

汇聚全球智慧推动半导体产业发展

2025

01

公司介绍

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司成立于2018年3月，是国家高新技术企业、专精特新“小巨人”企业，主要从事集成电路专用设备研发、生产、销售和技术服务。

盛吉盛以“汇聚全球智慧，推动半导体产业发展”为使命，围绕国内龙头客户需求，已经成功开发多款薄膜沉积和快速热处理设备。主要产品包括：12英寸等离子增强型化学气相沉积(PECVD)设备、12英寸高密度等离子化学气相沉积(HDPCVD)设备、12英寸解耦等离子体氮化(IDP)设备等，相关设备均在国内多家行业龙头客户完成验证并实现批量交付；此外，公司多款6/8英寸薄膜沉积(CVD/PVD)系列设备、缺陷检测(DEFECTINSPECTION)系列设备也已经实现量产交付。

盛吉盛总部设在宁波鄞州，在北京、上海、无锡及韩国华城等地设有研发中心。公司注册资本1.2亿美元，员工700余人，研发人员占比超40%；公司累计申请专利600余件，获得授权300余件，其中获得授权发明专利60余件；公司已承担国家部委支持项目2项，各级地方政府项目10余项。

注册资本

1.2亿美元

员工人数 700+

研发人员占比 40%+

资质荣誉

300+授权专利

02

12吋薄膜沉积设备

PECVD-ZARVIS

Process

• SiON

• SiOC

• TEOS

• PEOX

• SiN

• SiCN

• Low-k

Application

• IMD

• ILD

• Hardmask

Passivation

PECVD-ZARVIS具有优良的设计架构，如:均匀的气体分流、协调一致的等离子体分布、对称的泵送管线和均匀的热分布等等，使其能够执行多种工艺应用，具有稳定的工艺性能和可扩展性，适用于逻辑和存储客户的当前及下一代工艺节点。目前已经在多个国内龙头客户实现量产交付。

Robust & Excellent Equipment

IProven Module

IExcellent Uniformity

IProcess Stability

Compatibility & Extendibility

ISystem Compatibility

IProcess Extendibility

IEasy Upgrade & CIP

Smart Equipment

I Advanced Data Treatment

IOutstanding in Sensing/

Diagnostic Function

I Reliable Hardware

Management

HDP-XPEED-eFlux

Process

• USG

• FSG

• PSG

Application

• STI

• ILD

• IMD

•Passivation

XPEED-eFlux通过特殊的硬件和射频系统设计，可以获得比传统PECVD高1至2个数量级的高密度等离子体，因其沉积速度快、薄膜质量好的特点广泛应用于浅槽隔离、介质层填充、阶梯填充等具有一定深宽比的结构中，在先进逻辑和存储芯片等制造工艺中具有极其重要的应用。

XPEED-eFlux在逻辑芯片中的应用

XPEED-eFlux设备可配备一到三组反应腔，优化产能配置。反应腔根据不同应用可选择配备SiH4、O2、SiF4、PH3、Ar、He、H2、NF3等多种反应气体，使得单反应腔可兼容多种电介质薄膜沉积。

03

12吋快速热处理设备

RTP-XPEED-IDP

Process

• ISSG

• DPN

• Soak PNA

• Spike PNA

(ISSG-DPN-PNA)

Application

• Gate Oxide stack

•HKMG PDA

• STI liner

低压ISSG设备因其超高的薄膜质量及1/100纳米的膜厚控制精度广泛应用于40、28以及28nm以下栅极氧化物和浅槽隔离liner的生长;解耦等离子体氮化及退火工艺可以降低栅极漏电密度并改善NBTI特性，也在先进的逻辑和存储技术前道工艺中得到应用。

RTA-Brispark

Process

• HT Anneal

• LT Anneal

• ISSG

Application

• Post imp anneal

• Contact anneal

• STI densification

•ISSG Gate Oxide

快速热处理设备通过特殊的温度控制算法和业界验证的晶圆自转系统实现晶圆面内的精确温度控制和颗粒控制;具有升降温快速、热预算控制精确等特点，应用于离子注入后的晶格修复与杂质激活，STI、GateOxide之后的修复与致密化，以及在接触孔工艺中欧姆接触的形成。

04

6/8吋薄膜沉积设备

CVD-Quadiance

PECVD CH

Quadiance系统是用于6/8吋氧化硅、氮化硅、氮氧介质层等薄膜沉积工艺。平台采用多腔体架构，每个腔体可以实现2片晶圆同时工艺。广泛应用于集成电路，化合物半导体，功率半导体等领域。

Quadiance双腔可提供基于硅烷(SiH4)体系和正硅酸乙酯(TEOS)体系的等离子增强化学气相沉积方案(PECVD)。

CVD-Expediance

SACVD/C-film CH

PECVD CH

WCVD CH

Expediance系统是用于6/8吋氧化硅、氮化硅、氮氧介质层、互联金属W层以及不定型碳膜保护层/阻挡层等薄膜沉积工艺。该平台采用多腔体架构，能够实现6/8吋兼容并实现Si/SiC/GaN不同衬底材料兼容。广泛应用于集成电路，化合物半导体，功率半导体等领域。

●可提供基于硅烷(SiH4)体系和正硅酸乙酯(TEOS)体系的等离子增强化学气相沉积方案(PECVD)

可提供N/P型掺杂,满足磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等掺杂氧化硅工艺的次常压化学气相沉积方案(SACVD)

● 可提供用做高传导性金属互联金属,金属层间的通孔(Via)和垂直接触孔(Contact)的钨化学气相沉积(WCVD)

PECVD-C film是SGS在化合物半导体里首创可用做SIC高温退火工艺保护层及刻蚀硬掩模层(Hard Mask)

PVD-Auroflux

Auroflux设备适用于Si/SiC/GaN基功率器件6/8吋晶圆金属互联层薄膜淀积工艺。该机台为多腔室前后双平台结构实现晶圆安全准确传输，支持多工艺模块，能够进行全自动工艺处理。

当前主要薄膜沉积工艺如下：

●AICu

●AISiCu

MetalDepositions CH

05

缺陷检测设备

U580

多材质检测：硅基、三代半导体、玻璃、有机材料

提供客制化：可以根据用户的需求，调整检测精度和分类标准

检测灵敏度0.2μm(DSW)

缺陷检测尺寸≥025μm

U380S

高效检测切割后chipping及各种外观缺陷，快速识别边缘崩裂与损伤

精准量测芯片表面bump高度

全面覆盖封测端关键检测需求，提升良率与可靠性

>2D量测精度：1μm @Mag 5X

3D高度量测精度：0.05μm

Sharply 600

支持衬底和外延缺陷检测

结合DIC、DF以及PL三种光学模式全面检测

离线数据重分析

多通道同步review

U380F

全面覆盖封测端关键检测需求，提升良率与可靠性

边缘检&背面检&正面检

2D量测精度：1μm @Mag 5X

IR工位可穿透晶圆，进行内部缺陷及隐裂检测

自动缺陷分类

>自动生成缺陷 map 图

检测精度：0.3μm

盛吉盛 SGSSEMI 1

盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

公司官网：www.sgssemi.com

电话: (86) 0574-8835 6888 | 8835 9888

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电话： (86) 010-8102 8188

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