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磁耦系列快充解决方案•QC/USB PD AC/DC•COT()•GaN30~65W•GaN25~65W 0

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com内置GaN高频CCM磁耦系列BP87625 / BP818 / BP433BD目标应用•QC/USB PD 充电器、高效率反激式AC/DC适配器•30~33W小体积快充芯片特点BP87625 SSR原边主控•磁耦通讯反馈，<50mW空载功耗•集成GaN功率管，高压直驱&内置自供电•无辅组绕组及VCC电阻和VCC电容•90kHz CCM/DCM•ESOP-5封装，适用33W宽压BP818 磁耦合隔离器•利用磁场耦合传输信号，性能稳定，不受环境温度影响•无静态偏置电流，待机功耗低; nS级信号传输延时•满足UL62368, TUV(IEC62368)，CQC(GB4943.1)VDE(IEC60747)BP433BD 磁耦通讯恒压控制器•副边控制芯片，集成1.25V基准，实现恒压输出•自适应COT控制，超快动态响应•副边集成精确输出过压&欠压保护AIpuVDGDOTAX8843B2DDDD3SSVCBP621MSDCtuHVRXGNDCS72465SW875CSCS

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com33W小体积PD快充方案BP87625 + BP818 + BP433BD + BP6211MS + 协议输入电压：90 Vac -264 Vac输出规格：USB PD：5V 3A；9V 3A；15V 2A；20V 1.5APPS：3.3-11V 3A34VU1P3DVBP621MSGeBCCDDBT+VBUSaGaeSVBUSSCVNCAptHVCS7365P72CSCS

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com内置MOS/GaN高频磁耦解决方案BP87526 / BP87618 / BP62620 / BP62620F 目标应用•高端QC/USB PD 充电器•适用30~65W功率范围芯片特点BP87526/BP87526H/BP87618 高频QR SSR原边主控•磁耦通讯反馈，超低空载功耗，快速动态响应•高压启动，辅助供电脚150V耐压•保护功能齐全：CS采样电阻开短路保护、输入过压、欠压保护，原边LPS保护等•BP87526/BP87526H：集成MOS, 最高开关100kHz•BP87618：集成GaN, 最高开关140kHzBP62620/BP62620F FB磁耦通讯副边控制器•实现副边高精度恒压、恒流和恒功率控制•FB接口，1.25V基准电压•超低待机功耗•集成输出电容放电功能，保护功能齐全•集成SR同步整流控制器•BP62620: SOP10封装，高温降功率，14V OVP；适用于单口及多口QC/PD应用•BP62620F: SOP10封装，24V OVP；适用于单口及多口QC/PD应用MCCNHASNCUXSElRd原边控制器磁耦通讯模块Du

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com33W高性能QC3.0+解决方案BP87526 + BP818 + BP62620 + 协议输入电压：90 Vac -264 Vac输出规格：QC3.0+：5V 3A, 9V 3A,10V 3A, 11V 3A, 12V 2.5A65W高性能单C口PD快充方案BP87618 + BP818 + BP62620F + 协议输入电压：90 Vac 264 Vac输出规格：USB PD：5V 3A；9V 3A；15V 3A；20V 3.25A PPS：3.311V 6ACpt1DuNOGPCDEMGNDP56VCCNC3459DRAN1VCCHVDCSDD协议aUCDD+V21+AnuAUXDEMGND868VCC3456B87VCCNCRXCX+NOCCBP62620FCF

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com直驱GaN高频磁耦0待机七级能效解决方案BP87600D / BP62600D / BP63030 目标应用•0待机QC/USB PD 充电器•适用25~65W功率范围•满足七级能效要求芯片特点BP87600D 高频QR SSR原边主控•磁耦通讯反馈，超低空载功耗，快速动态响应•高压启动，辅助供电脚150V耐压•保护功能齐全：CS采样电阻开短路保护、输入欠压保护，原边LPS保护等•直驱GaN；最高开关140kHz•0待机模式下进入深度睡眠模式，实现0待机功耗（<5mW）BP62600D FB磁耦通讯副边控制器•实现副边高精度恒压控制•FB接口，1.25V基准电压•深度睡眠模式降低待机功耗•集成输出电容放电功能，保护功能齐全•集成SR同步整流控制器•SOP10封装，24V OVP; 适用于满足7级能效0待机要求的QC/PD应用AntP12UNV功耗协议C606CSCDPOD3LEOSEACTP7ASED1XB6DDTVCNSBFpC

光耦系列快充解决方案•用于QC/USB PD充电器、高效率反激式AC/DC适配器、辅助电源•内置DLT&IGBT结构功率管，满足六级能效•高温降功率，确保系统可靠性•恒功率输出，外置DEM脚易于调节输出过/欠压•适合高性价比方案

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com主控内置DLT光耦系列BP87122 / BP6211BS目标应用•QC/USB PD充电器、高效率反激式AC/DC适配器•AC/DC辅助电源芯片特点BP87122 SSR原边主控•内置750V 高压达林顿开关管，满足六级能效；适合高性价比方案•内置软启动用来减少功率器件应力•内置过载保护OLP功能•SOP-8封装，兼容市场主流脚位BP6211BS SR同步整流芯片•内部集成60V MOS•内置自供电，满足宽输出电压•兼容CCM&DCM/QR工作模式，最高350kHz频率GDVCCCCCCApDotu+BWGDDVCWGD6B

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.comGNDDEMFBVCCSWSWSWC S678AC inputBP87112 (IGBT)/BP87213 (MOS) DC outputBP6211XSWGNDVDVCCSWSWSWGND主控内置IGBT/MOS光耦系列BP87112/BP87213 / BP6211X目标应用•QC/USB PD充电器、高效率反激式AC/DC适配器•AC/DC辅助电源芯片特点BP87112/BP87213 SSR原边主控•内置650V 开关管，满足六级能效，高温降功率，确保系统可靠性•原边集成恒功率功能，适合高性价比方案•辅助绕组检测，精确输出电压OVP&UVP检测保护•BP87112：内置650V IGBT 结构开关管；ESOP-6封装，散热能力强•BP87213：内置MOS，ASOP-6封装；最大功率25W；与BP87112 pin to pin BP6211x SR同步整流芯片•内部集成60V/100V MOS•内置自供电，满足宽输出电压•兼容CCM&DCM/QR工作模式，最高350kHz频率

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com20W QC3.0 & MTK PE2.0方案BP87112 + BP6211BS + 协议输入电压：90 Vac -264 Vac输出规格：QC3.0+MTK：5V 3A；9V 2.22A；12V 1.67ANECSSSSCWNVCWWWNF+GDSTDDDDVRNBP6211BS协议

单级PFC多口快充解决方案•用于高PF&低THD要求的反激式AC/DC适配器，墙插&排插•内置GaN开关管•单级PFC电路，无需输入大电容•满足EN61000-3-2 Class D高PF&低THD要求•后级配合DCDC适合高性价比多口快充方案

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com主控内置GaN单级PFC方案BP83223 / BP62110S目标应用•高PF&低THD要求高性价比反激式AC/DC适配器•100W多口USBPD快充•100W多口墙插&排插芯片特点BP83223 PSR原边主控•内置GaN功率管，集成启动电路•原边GaN谷底导通，开关损耗低•原边反馈恒压控制，节省光耦•单级PFC电路，无需输入大电容•满足EN6100032 Class D高PF&THD要求•100kHz QR mode•副边输出过压保护•输出过流&输出短路保护•过温保护•ESOP-10封装BP62110S SR同步整流芯片•10nS超短关断延迟，最大4A下拉电流关断能力•可以灵活用于正端或者负端整流•DCM/QR 工作模式•DCM下自主斜率检测振铃，防止误导通CotuCSFBVCCBP323G59CSNCSDu+P21S

创芯助力智造用心成就伙伴www.bpsemi.com100W 高PF值USB-PD多口方案BP83223 + BP62110S + DCDC+协议输入电压：90 Vac -264 Vac输出规格：USB-PD 多口：100W/60W+20W+18W/65W+15WVu+OCCGDCC块1OCCGDCC块2CCCCGNo22DLDGC123CpCSB82C9CSS

反激变换器-PSR反激型号封装工作模式VDD范围待机功耗最高工作频率能效标准内置BJT最大内置BJT击穿输出功率集电极电流Ic电压BVCBO范围（W）BP84161SOP7DCM自供电+省VCC电容<75mW<75K六级能效0.6A850V≤3WS7141SSOP7DCM自供电<75mW<75K六级能效0.3A850V≤3WS7142SHSOP7DCM自供电<75mW<75K六级能效1A850V≤5WBP84145SOP8DCM自供电<75mW<75K六级能效2A800V≤12WBP84147SOP8DCM自供电<75mW<75K六级能效4A800V≤18WS7132SSOP7DCM5V～22V<75mW<75K六级能效0.8A850V≤5WS7133BSOP7DCM5V～22V<75mW<75K六级能效2A750V≤10WS7133SSOP7DCM5V～22V<75mW<75K六级能效2A750V≤10WS7134BSOP7DCM5V～22V<75mW<75K六级能效4A750V≤12WS7134CSOP8DCM5V～22V<75mW<75K六级能效4A800V≤12WBP84136SOP8DCM5V～22V<75mW<75K六级能效4A700V≤12W反激变换器SSR反激产品型号反馈方式封装工作模式VDD范围待机功耗最大工作频率内置MOS输出功率范围（W)Rdson（Ω）Bvdss（V）BP8705D光耦SOP8DCM/CCM8.2V～34V<75mW65K1.8650≤18WBP8708D光耦SOP8DCM/CCM8.2V～34V<75mW65K0.67650≤25WBP87122光耦SOP8DCM/CCM8.2V～34V<75mW65K等效1.8750≤20WBP87112光耦ESOP6DCM/CCM8.2V～36V<75mW65K等效1.8650≤20WBP87213C光耦ASOP6DCM/CCM7.4V～36V<75mW65K1.8650≤20WBP87212光耦ASOP6DCM/CCM7.4V～36V<75mW65K1.2650≤22WBP87213光耦ASOP6DCM/CCM7.4V～36V<75mW65K0.67650≤25WBP87216光耦ESOP10DCM/CCM7.4V～36V<75mW65K0.67650≤35WBP87216H光耦ESOP10DCM/CCM7.4V～36V<75mW65K0.8800≤35WBP87625磁耦ESOP7DCM/CCM自供电<50mW90K0.6650≤35WBP87526磁耦ESOP10QR8.5V～95V<30mW100K0.67650≤35WBP87526H磁耦ESOP10QR8.5V～95V<30mW100K1.2800≤35WBP87618磁耦ESOP10QR8.5V～95V<30mW140K0.26650≤65WBP87600D磁耦SSOP10QR8.5V～95V<5mW140K

SR同步整流产品型号封装应用拓扑工作模式VDD范围检测脚最大耐压（V）最大工作频率内置MOS输出功率范围(W)Rdson（Ω）Bvdss(V)S7302SLSOP8负端DCM/QR3V～6V-<100K22mΩ40V≤10WS7302SSOP8负端DCM/QR3V～6V-<100K20mΩ40V≤12WS7303SSOP8负端DCM/QR3V～6V-<100K15mΩ40V≤12WS7304SSOP8负端DCM/QR3V～6V-<100K8mΩ40V≤15WBP6211BSSOP8正端/负端DCM/CCM/QR4V～9V120<350K14mΩ60V≤20WBP6211BSOP8正端/负端DCM/CCM/QR4V～9V120<350K14mΩ60V≤20WBP6211CSOP8正端/负端DCM/CCM/QR4V～9V120<350K8.3mΩ60V≤25WBP6221FSOP8正端/负端DCM/QR4V～7.5V120<350K16mΩ85V≤25WBP6211MSSOP8正端/负端DCM/CCM/QR4V～9V120<350K10mΩ100V≤33WBP6211MSOP8正端/负端DCM/CCM/QR4V～9V120<350K9mΩ100V≤33WBP62110SOT23-6正端/负端DCM/CCM/QR4V～9V120<350K---BP62110SSOT23-6正端/负端DCM/QR4V～9V150<350K---BP62620SSOP10负端DCM/QR4.8V～6.2V150<140K---BP62620FSSOP10负端DCM/QR4.8V～6.2V150<140K---BP62600DSSOP10负端DCM/QR4.8V～6.2V150<140K---单级PFC变换器PSR反激产品型号反馈方式封装工作模式VDD范围待机功耗最大工作频率内置GaN输出功率范围（W)Rdson（Ω）Bvdss（V）BP83223PSRESOP10QR/DCM10V～30V<75mW100K0.15650≤100W

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