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集成电路领域良率管理领导者
CONTENT目录
01 公司概况
公司简介 01
公司优势 02
资质荣誉 02
发展历程 03
02 产品介绍
电子束缺陷检测设备EBI 05
关键尺寸量测设备CD-SEM 06
电子束缺陷复检设备DR-SEM 07
高能电子束设备HV-SEM 08
计算光刻平台PanGen 09
严格光刻仿真软件PanGenSim 10
良率管理软件YieldBook 11
03 公司服务
服务体系
公司简介
东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司成立于2014年，总部位于北京经济技术开发区，在深圳、上海、青岛、日本设有子公司。东方晶源致力于为客户提供独立自主的综合良率优化解决方案，主要产品包括纳米级量检测设备、计算光刻软件等，目前已广泛应用于国内逻辑、存储、第三代半导体等多领域头部晶圆代工企业。
公司成立十余年来，成功推出多款重量级产品，形成多元化的芯片制造良率管理产品矩阵。其中，自主研发的计算光刻平台（PanGen）、电子束缺陷检测设备（EBI）、关键尺寸量测设备（CD-SEM）等产品，填补多项国内市场空白，领跑国内相关领域发展。
公司还深刻洞悉市场趋势，推出更多贴近客户需求的产品，包括电子束缺陷复检设备（DR-SEM）、高能电子束设备（HV-SEM）、严格光刻仿真软件（PanGen Sim）、良率管理软件（YieldBook），以及基于上述点工具打造的一体化良率优化平台（HPO），为芯片从设计到制造各环节提供优化解决方案，推动我国集成电路制造产业持续高速发展。
产品掩模优化晶圆过片
电子束设备出机80+台
11000- 张
200万+片
公司优势
A
行业引领
12年精耕细作，先进制程国产替代先行者，专注集成电路良率提升。
集成电路“国家队”
承担10多项国家级、省级重点攻关项目，集成电路“国家队”成员。
P
自主创新
910多件专利申请，完全自主知识产权，创新驱动发展。
市场验证
^ { 8 0 + } 客户，覆盖国内所有头部晶圆代工企业。
C
整体布局
软硬件协同，打造中国芯片制造的GoldenFlow。
AI
AI赋能
前瞻性技术架构，无缝耦合AI算法，赋能HPO全流程工艺优化。
资质荣誉
A轮融资实现重组，B轮融资大额超募。国家02专项通过验收，承担更多国家攻
关任务。首台套CD-SEM出机，实现国内关键尺寸量测设备的突破。
EBI和OPC进入国内一线大厂先进制程验证，取得重复订单。首台套8英寸CD-SEM出机。
良率管理软件YieldBook、严格光刻仿真软件PanGenSim发布。
首台套CSEBI出机，首台套DR-SEM出机。市场全面铺开，电子束设备累计出机超过80台套；OPC掩模出货超过11000张。
完成HDRC开发并获得客户认可。
全流程良率解决方案初版完成，EDA系统解决方案初具雏形，首版中国的GoldenFlow。
完成 \complement + 轮数亿元融资，上市辅导受理。
首台套HV-SEM出机，解决先进制程量测难点，电子束四大领域攻坚提速。
AI赋能先进制程良率跃升，HPO2.0前瞻布局加速落地。
2022至今
2020-2021
飞跃期
发展期
电子束缺陷检测设备
EBI
应用电子束扫描技术对晶圆表面进行高分辨率成像，通过智能算法检测出晶圆上的电性和物理缺陷，是芯片制造过程中良率提升的关键设备，适用于 2 2 8 \mathsf { n m } 制程集成电路的缺陷检测。
迭代历程
2019年
国内首台EBI设备SEpA-i505出机国内一线大厂，实现高端制程缺陷检测的突破。
2021年
国内首台12英寸EBI设备SEpA-i505进入28nm产线全自动量产，UT（设备使用率）超过 8 0 % 。
2024年
量产机型SEpA-i525发布。
2025年
迭代推出SEpA-i635机型，束流、检测灵敏度等关键指标全面升级，产能较前代提升 30 0 % ，首台套进入客户产线验证。
核心技术能力
女
制程覆盖
≥28nm制程全面检测能力，覆盖3DNAND产品关键站点检测场景，关键DOI捕获率≥95%。
校
高深宽比结构缺陷检测
支持超大束流预充电PCC功能，覆盖高深宽比结构缺陷检测。
￥
支持大功率激光辐照增强技术与Negativemode，拓展检测边界。
增强检测技术
校
灵活扫描模式
支持StepScan/ContinuousScan双模式，灵活适配不同产线需求。
女
智能缺陷分析
基于深度学习的缺陷自动分类（ADC）算法，大幅提升良率分析效率。
关键尺寸量测设备
CD-SEM
通过对电子束显微图像进行关键尺寸的量测，实现关键工艺参数的监控，是芯片制造过程中质量控制的关键设备，适用于≥28nm制程集成电路的量测。
迭代历程
2021年
国内首台12英寸CD-SEM设备SEpA-c410进入28nm产线验证。
2022年
12英寸设备SEpA-c410进入量产，UT（设备使用率）超过 9 0 % ；8英寸设备SEpA-c300推出，获得多家客户重复订单。
2023年
6/8英寸设备SEpA-c310s新增变焦变倍OM，功能升级，产能提升 4 0 % ，在第三代半导体Fab实现量产。
2024年
产品选代至SEpA-c430机型，产能提升 3 0 % ，量测性能提升 4 0 % ，配备电荷补偿功能，扩大Layer Cover能力。
2025年
推出新一代SEpA-c505，量测重复性达 0 . 1 5 \mathsf { n m } ，设备同一性达 0 . 1 \mathsf { n m } ，WPH 60pcs/h。
核心技术能力
☆
量测场景全覆盖
支持Line/Space、Hole/Elliptic、LER/LWR、SADP、GAP等多种量测算法，全面覆盖各类量测场景。
￥
电荷补偿功能
配备晶圆表面电荷补偿功能，可有效控制荷电效应对量测性能的影响。
女
多探测器混合成像
多探测器信号混合成像，可满足多种成像需求。
全自动校准监测
机台全面自动校准及监测系统，确保量产稳定性。
女
离线Recipe编辑
基于设计版图文件离线编辑Recipe，提升产线调试与切换效率。
电子束缺陷复检设备
DR-SEM
基于高分辨率电子束成像，实现缺陷的形貌表征与能谱成分分析，是监控和控制芯片制造序列中各步骤质量的关键设备，适用于 2 2 8 \mathsf { n m } 制程集成电路的缺陷复检。
迭代历程
2023年
国内首台12英寸DR-SEM设备SEpA-r600进入产线验证，获得国内头部客户订单。
2025年
产品持续迭代至SEpA-r655机型，性能全面提升，获得国内多家客户订单。
核心技术能力
纳米级精准定位
提供纳米级定位精度，确保多场景缺陷复检稳定性。
高分辨率晶圆检测
表面和亚表面晶圆缺陷的高分辨率成像和深层信息检测。
校
高景深成像
高景深用于检测高宽深比结构和晶圆边缘斜面成像。
☆
深紫外无图案晶圆检测
深紫外无图案晶圆检测结合自动缺陷成分分析，快速分析关键缺陷成因。
校
离线程序建立与缺陷复检
支持离线检测程序建立与全自动缺陷复检，提升缺陷复检效率。
新兴化合物半导体检测
支持新兴化合物半导体检测、自动处理不同厚度的晶圆。
高能电子束设备 HV-SEM
利用高能电子束对半导体三维结构进行高深宽比量测、套刻精度量测，并可选配集成缺陷检测功能，适用于3D-NAND、DRAM及≤14nmLogic等先进制程。
迭代历程
2024年
SEpA-h700系列机型作为国内首台套HV-SEM设备，进入客户产线完成软硬件算法联调验证。
2025年
SEpA-h755自研E0S提升至45keV成像能力，着陆能量达到国际主流水平，进入头部客户产线验证。
核心技术能力
女
高动能电子束成像
校
高端应用领域
效
大数据分析赋能
SEpA-h755系列机型着陆能量可达45keV，解决先进制程的量测难点。
10:1\~50:1的高深宽比结构量测，“透视”成像，In-dieSEMOverlay。
搭配自研的大数据可视化分析平台，配备数据统计、区域分析等丰富功能，助力工艺窗口优化，缩短研发周期，提升产线效率。
女
自研探测器
校
算法多样性
自研SE/BSE多探测器同步成像，为3D结构量测提供丰富信息。
基于CAD的灵活量测算法，可实现HVCD、CDU、OVL等应用。
计算光刻平台
PanGen
计算光刻是连接芯片设计和制造的关键技术，应用于光刻掩模版优化，是保证硅片最终图像不失真的关键软件，也是决定产品良率的重要环节。该产品已应用于国内存储厂商和逻辑厂商，先进制程全覆盖，取得多个重复订单。
迭代历程
2017-2020年
承担国家02重大专项，推出V1.0版本交付客户，打破国外在相关领域的垄断局面，在28nm产线得到验证。同时提出基于GPU框架的ILT解决方案。
2021-2022年
产品加速迭代至V3.0版本，功能进一步完善，支持国产计算生态适配，并满足14nm节点OPC需求。
2023年-2024年
迭代至V5.0版本，完成刻蚀模型与DesigntoContour引擎开发，推出大芯片解决方案，支持硅光OPC，满足7nm节点OPC需求。
2025年
聚焦核心引擎创新与AI赋能，开发基于刻蚀模型引擎的PHD/ART产品、基于DesigntoContour引擎的DMC产品，推出PanGenLithoLLM的AI客户友好化产品，推动HPO一体化良率战略落地。
核心技术能力
自主可控国产工具
依托国家02重大专项支持，自主开发的计算光刻国产工具。
AI驱动版图可制造性
基于AI的版图可制造性审查技术，提前识别设计风险，提升芯片良率。
反向光刻技术
先进节点GPU加速的全芯片反向光刻(ILT）掩模优化技术。
先进节点全覆盖
提供180nm至国内最先进节点计算光刻完整解决方案。
AI赋能EtchModel
AI技术与物理模型深度融合，发布全球首款可商用EtchModel产品。
量测-检测-光刻综合优化
实现量测、检测与计算光刻的全流程综合优化平台。
严格光刻仿真软件 PanGen Sim
作为聚焦光刻过程的专业仿真工具，PanGen Sim基于物理模型精准建模，可精确模拟光刻工艺全流程，通过预测关键工艺参数，助力工程师优化工艺方案，为半导体先进工艺的开发与优化提供技术支撑。
迭代历程
2022年
首次发布PanGenSimV1.0版本，作为一款完全国产化的严格仿真工具，打破严格仿真工具被西方所垄断的局面。
2023年
首次在客户端获得硅片数据验证，能够精确拟合光刻胶形貌，CD误差在 : ± 1 0 % 以内。
2024年
NTD光刻胶模型开发完成，大规模硅片数据拟合机制就绪。
2025年
产品功能持续优化，新增支持W3D仿真功能。2.0版本完成深度重构与升级，产品核心性能比肩国际主流水平，稳居国内同类产品前列。
核心技术能力
￥
大规模分布式运算
￥
负显影收缩效应建模
工艺窗口分析优化
支持大规模分布式运算，高效完成复杂光刻工艺的仿真计算。
支持负显影工艺的收缩效（ShrinkageEffect）建模。
提供工艺窗口分析工具，支持光刻胶膜层参数优化、CDSwingCurve分析、掩模误差增强因子（MEEF）分析。
校
全流程光刻模拟
校
光刻模型校准
提供完整的曝光过程到显影过程的光刻模拟，精准还原工艺细节。
提供光刻模型校准工具，基于切片SEM数据加CD-SEM数据进行光刻建模。
良率管理软件 YieldBook
基于自研PanGen GPU算力平台开发的一体化数据管理系统，集成数据管理、数据分析与AI模型辅助功能。其构建从芯片设计诊断到量产良率提升的全流程分析闭环，可广泛应用于半导体领域IDM、Fab、Fabless及OEM企业。
迭代历程
核心技术能力
2022年
完成DMS模块全功能开发，满足FABYE用户的使用需求，实现数据采集、分析功能的稳定应用，为产线良率监控奠定基础。
2023年
新增YMS与MMS功能，全面满足FAB各岗位用户的良率分析、量测数据管理需求。
2024年
对DMS、YMS、MMS三大核心模块进行深度迭代优化，成功实现市场销售突破，YieldBook迈入商业化赋能新阶段。
2025年
增加PatternDB相关功能，与EDA工具进行交互，打通DFM与DTCO所必需的数据通路，实现设计-制造-设计优化的闭环，使芯片从设计到量产的良率爬坡过程加速。
女
完全自主
拉
分布式数据库
拥有完全自主知识产权，助力半导体良率管理领域国产化进程。
校
全产业链数据集成
集成全产业链多类数据，覆盖功能全面。
分布式数据库，先进技术加持，保障系统高效。
☆
高扩展性
系统高扩展性，灵活适配企业业务升级，有效节省运维成本、提升效益。
AI赋能良率管理
利用AI建立工艺与良率模型，并进行良率数据的管理、分析和预测。
Defect Map Gallery
CP Map Gallery DefectPattern DB
三级响应机制， 7 x 2 4 小时客户服务。
以客户为中心，从产品研发到售后服务全方位围绕客户展开。依托北京总部，
在深圳、上海、青岛、日本东京设立子公司
并在山东、江苏、浙江、福建、广东、湖南、湖北、陕西、四川、重庆、安徽等地设有服务中心。
