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科学级光谱相机

机械尺寸图

重量：~3.8kg

门积分模式

配合光谱仪宽光谱采集 光学门宽 <3ns

IOC（Integrate on chip）片上门积分模式 是一种高效利用高

重频发光现象在最短的时间里快速收集信号，从而有效提供信噪

比的方法。极高的阴极门控频率可以让相机在每秒曝光时间内累

积高达 300,000 次开门信号，非常适合极弱的高重频发光信号的

采集。

IOC 的设置可以通过软件非常简单的选取，与动力学采集模

式中的门控延迟步进功能相互配合，可以非常快速的完成高重频

的时间分辨影像和时间分辨光谱的采集。

皮秒激光器（~50ps）最小门宽扫描测试 ： Step

=200ps，光学半波宽 ~2.5ns

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型号选择

可选配件

■ OMF-ISCMOS-570: 光谱仪配合法兰接口，适用Zolix Omni 谱王系列500/750mm 焦距光谱仪

■ OMF-ISCMOS-300：光谱仪配合法兰接口，适用Zolix Omni 谱王系列320mm 焦距光谱仪

■ F-mount: Nikon F 镜头接口，带25mm 滤光片插槽。

■ C-mount: 标准C 镜头接口

■ USB3.0延长线缆：长度 5m，带信号增强

■ USB3.0—光纤延长器： 10-100m 光纤及转换器

■ 光隔离触发模块

常见型号列表：

IsCMOS

SIC-25U-UV-4M-F 25mm 增强器，UV-VIS :S20, <3ns,2048*2048, 光纤面板耦合 ,

SIC-18U-UV-4M-F 18mm 增强器，UV-VIS: S20, <3ns, 2048*2048, 光纤面板耦合

SIC-18F-VIS-4M-F 18mm 增强器，VIS S25, <10ns,2048*2048, 光纤面板耦合

SIC-18F-UV-4M-F 18mm 增强器，UV-VIS S20, <10ns,2048*2048, 光纤面板耦合

SIC-18U-UVB-4M-F 18mm 增强器，VIS S20B, <3ns,2048*2048, 光纤面板耦合

■ 18/2518或25m 口径增强器

■ U/F/S Ultrfast gate <=3ns , Fast gate <5ns,

Slow gate: >50ns

■ UV/UVB/VN：UV: S20；UVB: S20B; VN : S25

■ M : 600万像素 CCD 2700*2200;

400万像素sCMOS 2048*2048

■ L/F: L高分辨镜头耦合; F 高通量光纤面板耦合

SIC: Scientific Intensified Camera

SIC-18U-UV-4M-L

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科学级光谱相机

iStar系列光谱ICCD探测器

iStar 系列 ICCD 采用高品质二代或三代像增强器，采用光纤锥高

效耦合科学级 CCD. iStar 系列影像 ICCD 是目前高端科研市场上应用

最为广泛的带有时间闸门的增强型 CCD。真实光学门宽小于 2ns，该

系列产品主要用于燃烧过程、生物发光机制、化学反应过程等研究领

域，利用其信号增强功能和时间闸门控制特点，实现极弱信号采集、

纳秒时间分辨影像捕捉等实验功能。

主要特点

■ 18mm或25mm像增强器可选

■ 提供P43和P46两种类型的荧光屏

■ 最短时间闸门宽度：2ns(真正光学闸门宽度)

■ 光阴极重复频率高达500KHz

■ 半导体制冷温度-40℃

■ 内置多通道数字延时发生器，可轻松同步多台设备

■ 内置数字延迟发生器

■ 10ps的延迟分辨率

■ 最低的传输延迟：19ns

■ IntelligateTM微通道板与光阴极实现同步门控，在深紫外段也保持1：

108

的开关比

■ USB2.0 计算机接口

技术参数指标

型号 DH312T DH334T

有效像素 512×512 1024*1024

像元尺寸 24µm×24µm 13µm*13µm

有效探测面尺寸

(18mm MCP)

12.3mm*12.3mm 13.3mm*13.3mm

帧速 1x1 全幅

2x2 Binning

15.8 fps

28.5 fps

4.2 fps

7.3 fps

快速动力学帧速 (VS

通道高度 )

26µm

100µm

37,990 Hz(1 row)

16,615Hz(4 rows)

48,780Hz(2 rows)

16,805Hz(8 rows)

最短光学门宽 ＜ 2ns ＜ 2ns

贮存器阱深 480,000 e- 150,000e最小读出噪声 5.4e- 5 e灵敏度 2.2-8.7 e-/counts 1-5 e-/counts

最低制冷温度 -40℃

附件选项

C 接口适配器、F 接口适配器、水冷机

IntelligateTM: 优化 的 UV-VUV 区域门控技术(标准配置)

iStar 系列 ICCD 相机

3.5 Andor iStar 系列光谱 ICCD/IsCMOS 探测器

152 010-56370168 www.zolix.com.cn

iStar sCMOS 系列 IsCMOS 相机

ANDOR 的最新的 iStar sCMOS 系列像高灵敏度瞬态探测器

可提供要求高分辨率，高帧频以及纳秒时间分辨测试的解决方案。

2560×2160 分辨率的探测器广泛应用于时间分辨实验的应用领域，

例如等离子体分析。做 PLIF 实验测试时，可满足快速瞬态现象采集实

验，提供多兆赫兹读出速度，USB3.0 接口，以及配置一台完全集成的、

软件控制的数字延时脉冲发生器。该系列探测器可应用于各种复杂的

试验中，可通过软件对时间和增益进行控制，二代及三代像增强器可

配合各种入射窗口光阴极材料。

■USB3.0接口：即插即用

■550万像素高分辨率sCMOS

■50帧每秒全幅帧频，203帧@512*512 ROI

■内置脉冲延时发生器：功能软件可控

■光学快门：小于2ns的真实光学门宽

■最低的插入延时：最低19ns

■独特PIV模式：两幅连拍最小间隔200ns

■IntelligateTM微通道板与光阴极实现同步门控：紫外关断比优于10-8

:1

■光阴极开关速率高达500kHz：高速激光实验中，增加信噪比

■独特的Crop模式：专门的采集模式，实现最快的图像采集速度

■ GII及GIII像增强器可选

■热电制冷最低0°C：理想的低光应用领域

■实时控制：用户界面实时采集优化

■光阴极干燥气体吹扫端口：减小EBI，适用于微光测试领域

技术参数指标

芯片类型 前感光科研级 CMOS 芯片 (sCMOS)

像素阵列 2560*2160 阵列，6.5µm 像素 2560*2160 阵列，6.5µm 像

素

芯片尺寸 16.6mm*14mm, 21.8mm 对角

芯片耦合

18mm 像增器

1:1 耦合

25mm 像增强器

1:1 耦合

像素阱深 30000e读出噪声 2.4e- @200MHz, 2.6e-@560MHz

最低制冷温度

及暗电流 0℃ ,0.18 e- /pixel/s

芯片线性度 99.8%

数据范围 12bit ( 最快速度 )，16bit ( 最大动态范围 )

内部储存器 1GB

附件选项

C 接口适配器、F 接口适配器、水冷机

行业领先的影像采集速度

超快多通道模式读出速度

通道数

( 中心垂直 )

通道高度

(h 像素数 )

通道间隔

(d 像素数 ) 最快帧速 fps

2 12 12 1,967

2 20 20 1,370

2 154 77 265

20 12 12 222

20 20 20 135

50 12 12 89

50 20 20 54

256 8 0 52

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科学级光谱相机

二代像增强器技术参数指标

型号 18-03 18-04 18-05 18H-13 18H-83 18-E3

有效孔径 φ18mm(25mm 直径可选 )

荧光屏类型 P43 P46 P43 P43 P43 P43

入射窗口 Quartz Quartz MgF2 Quartz Quartz Quartz

峰值量子效率 18 18 15 13.5 25 22

波长范围 180nm ~ 850nm 180nm ~ 850nm 120nm ~ 850nm 180nm ~ 920nm 180nm ~ 850nm 180nm ~ 850nm

最短快门时间 ＜ 2ns ＜ 2ns ＜ 5ns ＜ 50ns ＜ 100ns ＜ 2ns

最大相对增益 ＞ 1000 ＞ 500 ＞ 1000 ＞ 850 ＞ 500 ＞ 300

等效背景照度 < 0.2 e-/pix/sec

最大光阴级重复频率 Intelligate Off: 500KHz 连续模式

Intelligate On: 5KHz 连续模式

三代像增强器技术参数指标

型号 18-63 18-73 18-93 18-A3 18-C3

有效孔径 φ18mm(25mm 直径可选 )

荧光屏类型 P43

入射窗口 Glass Glass Glass Glass MgF2 + F/O

+Lumogen

峰值量子效率 ＞ 47.5 ＞ 25.5 ＞ 4 ＞ 40 ＞ 17

波长范围 280nm ~ 760nm 280nm ~ 910nm 380nm ~ 1090nm 280nm ~ 810nm 200nm ~ 910nm

最短快门时间 ＜ 2ns ＜ 2ns ＜ 3ns ＜ 2ns ＜ 3ns

最大增益 ＞ 200

等效背景照度 < 0.1 e-/pix/sec < 0.3 e-/pix/sec < 2 e-/pix/sec < 0.2 e-/pix/sec < 0.3 e-/pix/sec

最大光阴级重复频率 Intelligate Off: 500KHz 连续模式

Intelligate On: 5KHz 连续模式

二代像增强器量子效率曲线 三代像增强器量子效率曲线

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Zyla系列sCMOS相机

Andor 推出的 Zyla 系 列 sCMOS 相机采用 550 万高分辨率

sCMOS 芯片，半导体制冷温度 0℃。在保证良好性能的同时尽可

能的缩小外形尺寸。良好的性能及高性价比，非常适合科学成像及

OEM 应用。Zyla 系列 sCMOS 相机是现在商业化产品中性价比最高

的一款 sCMOS 相机，有 3Tap(30fps) 及 10Tap(100fps) 两种规格可

供选择。

Zyla 系列 sCMOS 相机

Zyla 系列 sCMOS 量子效率曲线

技术参数指标

型号 Zyla 5.5 Zyla 4.2

芯片类型 前感光科学级 CMOS

有效像素 2560×2160(5.5M) 2048×2048(4.2M)

芯片尺寸 16.6mm×14.0mm 13.3mm×13.3mm

像元尺寸 6.5µm×6.5µm

满阱容量 30,000 e动态范围 25,000:1 33,000:1

最大读出速度 560(280MHz×2)

200(100MHz×2)

540MHz(270MHz×2)

216MHz(106MHz×2)

最大帧频

2560×2160( 全分辨 )

30fps (3 Tap)

100 fps(10 Tap)

2048×2048( 全分辨 )

100 fps(10 Tap)

最小读出噪声 200MHz

560MHz

Rolling

shutter

0.9 e1.2 eGlobal

shutter

2.3 e2.4 e216MHz

540MHz

Rolling

shutter

0.9e1.1e最小暗电流 0.10 e-/pixel/sec @ 风冷，0.019 e-/pixel/sec@ 水冷

峰值量子效率 60% 82%

读出模式 Rolling Shutter and True

Global Shutter (Snapshot)

Rolling Shutter and

Global Clear

最低制冷温度 0℃ @ 风冷，-10℃ @ 水冷

附件选项

C 转 F 接口、Camera Link、30/100 米光纤延长传输线、水冷机

主要特点

■ 设计紧凑，重量轻。尤其适合系统集成应用

■ 读出噪声0.9e-

，低于任何CCD相机

■ 半导体制冷0℃@35℃环境温度，适合内置集成于系统之内

■ 420/550万像素，6.5µm探测像元，高分辨率、大视场

■ 同时具有Global及Rolling shutter

■ 最高帧速100fps@全分辨率；另外提供更加经济的30fps选择

■ 实时虚假噪声滤波器

3.6 光谱 sCMOS 探测器

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科学级光谱相机

型号 DField-NIR-D1 DField-NIR-D3 DField-NIR-D7

响应范围 0.85µm～1.45µm 0.9µm～1.7µm 0.9µm～2.2µm

像素尺寸 25µm×500µm 25µm×250µm

探测面尺寸 12.8mm×0.5mm 12.8mm×0.25mm

探测器动态范围 高动态范围 14000

高灵敏度 7000

有效像素数 512

A/D分辨率 16 bit

积分时间 1ms 至 120s 1ms 至 1s

制冷 -20℃@25℃常温 -10℃@25℃常温 -20℃@25℃常温

触发模式 2种（软件触发，外部触发）

输入/输出口 1个触发输入口，1个快门控制输出口

通讯口 USB2.0

供电方式 12VDC

尺寸 99mm × 119mm × 78mm

重量 1Kg

主要技术规格

光谱响应曲线图 安装尺寸图

单位：mm

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

0

0.5

1.0

1.5

Wavelength (µm)

Photosensitivity (A/W)

(Typ.)

Tchip=25 °C

Tchip=-10 °C

Tchip=-20 °C

DField-NIR-D3

DField-NIR-D1

DField-NIR-D7

北京卓立汉光仪器有限公司 TEL010 56370168

DField-NIR-D1 DField-NIR-D3 DField-NIR-D5 DField-NIR-D7 DField-NIR-D9

0.9μm ～ 1.7μm .2μm 0.9μm ～

500μm 250μm

探测面尺寸

探测器动

高动态范围

512

1ms 至 1ms 至 200

常温 -10℃

2 种（软件触发，外部触发）

个触发输入口，1 个快门控制输出口

USB2.0

12VDC

119mm

光谱响应曲线图 安装尺寸图

1.0

1.5

Wavelength (µm)

Photosensitivity (A/W)

InGaAs 线阵探测器

DField

DField-NIR 系列 InGaAs 线阵探测器具有高动态范围、低噪声、

波长覆盖范围广等特点，可应用空间广阔。其波长覆盖检测范围

可达 850nm~2200nm。

动态范围大，增益高

增益依不同型号可选择设置

档（或档）；

■ 带有TE制冷，温度可低

至-20℃(使用环境

降低暗电流，提高稳定性；

■ 动态范围大，增益高增益依不同型号可选择设置2档（或4档）；

■ 零偏置，暗电流小，噪声低；

■ 光谱响应范围宽波长覆盖检测范围可达850nm~2200nm；

■ 带有TE制冷，温度可低至-20℃（使用环25℃），

有效降低暗电流，提高稳定性；

■ 标准USB通讯接口；

■ 供电简单，一路电源适配器；

■ 一个Shutter控制输出口，一个同步触发输入口，方

便与外部设备同步使用。

DField-NIR 系列 InGaAs 线阵探测器具有高动态范围、低噪

声、波长覆盖范围广等特点，可应用空间广阔。其波长覆盖检

测范围可达 850nm~2200nm。

DField InGaAs线阵探测器

3.7 近红外线阵探测器

156 010-56370168 www.zolix.com.cn

iDus系列InGaAs近红外光谱探测器

iDus 系列InGaAs阵列光谱探测器采用512或1024 InGaAs阵列，

波长可覆盖至 1.7µm 或 2.2µm。 探测器采用紧凑型设计，并采用专

利的真空密封技术及 TE 深度制冷，制冷温度最低可达到 -90℃，无

需液氮，使用起来更加稳定、简便。是近红外光谱探测的理想探测器。

主要特点

■波长范围:0.6µm~1.7µm或0.8µm~2.2µm

■峰值量子效率:>70%

■半导体制冷温度-90℃，最佳\"量子效率/噪声\"制冷温度

■UltraVac™专利真空密封技术，真空质保5年

■单光窗设计，将光损失降至最低

技术参数指标

型号 DU490A DU491A DU492A

有效像素 512×1 1024×1 512×1

像元尺寸 25µm×250µm 50µm×500µm 25µm×250µm

探测面尺寸 26.6mm×3.3mm

探测波长范围 600nm~1700nm 或 800nm~2200nm

最大光谱采集速度 193sps 97sps 193sps

线性度 >99%

最小读出噪声 580 e最短曝光时间 1.4µs

暗电流 600nm ~ 1700nm: 7 ke-

/pixel/sec

800nm ~ 2200nm: 5 Me-

/pixel/sec

最低制冷温度 -90℃

光窗类型 单石英窗口，无镀膜

附件选项

C 接口适配器、F 接口适配器、法兰、快门、水冷机

主要应用

探测器类型 DU490A

-1.7

DU491A

-1.7

DU492A

-1.7

DU490A

-2.2

DU491A

-2.2

DU492A

-2.2

近红外吸收 / 透射

/ 反射光谱 △ △ ○ △ △ ○

近红外光致发光 △ △ ○ △ ○

1064nm 拉曼光谱 △ ○ △

适合 : △最佳 : ○

1.7μm 探测器量子效率曲线

2.2μm 探测器量子效率曲线

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单点探测器

单点探测器系列

4.1 单点探测器基础知识介绍

4.2 DSi 系列硅光电探测器

4.3 PMTH 系列光电倍增管

4.4 DInGaAs 系列近红外单点探测器

159铟镓砷探测器（InGaAs）

160 TE 制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）

4.5 DInSb/DPbS/DInAs 系列近中红外单点探测器

161硫化铅探测器（PbS）

162 砷化铟探测器（InAs）

163锑化铟探测器（InSb）

4.6 DMCT 系列中远红外探测器

164 DPE12 系列热释电探测器

165碲镉汞探测器（MCT）

014

158 010-56370168 www.zolix.com.cn

光探测器按照工作原理和结构，通常分为光电探测器和热电探测器，其中光电探测器包括真空光电器件（光电倍增管等）和

固体光电探测器（光电二极管、光导探测器、CCD 等）。

光电二极管（Photodiode）

光电二极管的工作原理主要基于光生伏特效应。

光生伏特效应是半导体材料吸收光能后，在 PN 结上产生电动势的效应。

光电导探测器（Photoconductive Detector）

光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。

所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。

通常，凡禁带宽度合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导

探测器材料在射线和可见光波段有 ：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge 等 ; 在近红外波段有 ：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te 等 ; 在长

于 8µm 波段有 :Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si 掺杂、Ge 掺杂等 ；CdS、CdSe、PbS 等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。

可见光波段的光电导探测器极少用于光谱探测，通常称为光敏电阻。故卓立汉光采用的可见光波段的光探测器通常为 PMT 和

光电二极管。

红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1 ～ 3µm、3 ～ 5µm、8 ～ 14µm 三个大气透过窗口。由于它

们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的

光，电导体这种情况越显著，其中 1 ～ 3µm 波段的探测器可以在室温工作（灵敏度略有下降）。3 ～ 5µm 波段的探测器分三种情况：

①在室温下工作，但灵敏度大大下降，探测度一般只有 1 ～ 7×108

cm · Hz/W ；②热电致冷温度下工作（约 -60℃），探测度约为

109

cm · Hz/W; ③ 77K 或更低温度下工作，探测度可达 1010 cm · Hz/W 以上。8 ～ 14µm 波段的探测器必须在低温下工作，因此

光电导器件通常需要在制冷条件下使用。

红外探测器的时间常数。PbS 探测器的时间常数一般为 50 ～ 500µs，HgCdTe 探测器的时间常数在 10-6 ～ 10-8

s 量级。红外

探测器有时要探测非常微弱的辐射信号，例如 10-14 W ；输出的电信号也非常小，因此要有专门的前置放大器。

光电倍增管（PHOTOMULTIPLIER TUBES，PMT）

光电倍增管（PMT）是一种具有极高灵敏度的光探测器件，同时还有快速响应、低噪声、大面积阴极（光敏面）等特点。

典型的光电倍增管，在其真空管中，包括光电发射阴极（光阴极）和聚焦电极、电子倍增极和电子收集极（阳极）的器件。当

光照射光阴极，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，通过进一步的二次发射得到倍增放大 ；放

大后的电子被阳极收集作为信号输出（模拟信号输出）。因为采用了二次发射倍增系统，光电倍增管在可以探测到紫外、可见和近

红外区的辐射能量的光电探测器件中具有极高的灵敏度和极低的噪声。

从接受入射光方式上来分，光电倍增管有侧窗型（Side-on）和端窗型（Head-on）两种结构。

侧窗型的光电倍增管，从玻璃壳的侧面接收入射光，而端窗型光电倍增管是从玻璃壳的顶部接收入射光。通常情况下，侧窗型

光电倍增管价格较便宜，并在分光光度计和通常的光度测定方面有广泛的使用。大部分的侧窗型光电倍增管使用了不透明光阴极（反

射式光阴极）和环形聚焦型电子倍增极结构，这使其在较低的工作电压下具有较高的灵敏度。

端窗型（也称作顶窗型）光电倍增管在其入射窗的内表面上沉积了半透明光阴极（透过式光阴极），使其具有优于侧窗型的均匀性。

端窗型光电倍增管的特点还包括它拥有从更大面积的光敏面（几十平方毫米到几百平方厘米的光阴极）。端窗型光电倍增管中还有

针对高能物理实验用的，可以广角度捕集入射光的大尺寸半球形光窗的光电倍增管。

由于外加电压的变化会引起光电倍增管增益的变化，对输出的影响很大，因此对供给光电倍增管的工作电源电压要求较高，必

须有极好的稳定性。卓立汉光的 HVC 系列高压稳压电源，其稳定性能达到 ±0.03%/h，非常适合作为光电倍增管高压电源。

同时需要注意的是，由于光电倍增管增益很大，一般情况不允许加高压时暴露在日光下测量可见光，以免造成损坏，作为光探

测器使用时，需要将光电倍增管进行密封。卓立汉光所提供的光电倍增管封装严格按照要求进行封装，保证客户的正常安全使用。

另外，光电倍增管受温度影响很大，降低光电倍增管的使用环境温度可以减少热电子发射，从而降低暗电流。特别是在使用长

波（近红外波段，俗称红敏）光电倍增管时，应当严格控制光电倍增管的环境温度。

此外，大多数的光电倍增管会受到磁场的影响。磁场会使电子脱离预定轨道而造成增益的减少。因而影响到光电倍增管的工作

效率。因此，光电倍增管的封装要特别注意进行电磁屏蔽 ；卓立汉光提供光电倍增管均考虑到这一问题，并有效进行了电磁屏蔽。

4.1 单点探测器基础知识介绍

010-56370168 www.zolix.com.cn 159

单点探测器

光探测器的主要性能参数

光谱响应度

光谱响应度是指某一波长下探测器输出的电压或电流与入射光功率之比。

光谱响应度随波长的变化关系曲线即是探测器的光谱响应曲线（绝对响应曲线）。

若将光谱响应曲线的最大值做归一化处理，则得到相对光谱响应曲线。

等效噪声功率（NEP）

等效噪声功率是信噪比为 1 时探测器能探测器到的最小辐射功率，即最小可探测功率。

探测率（D）/比探测率（D*）

探测率 D 是 NEP 的倒数，D 越大，表明探测器的探测性能越好。

比探测率 D* 即是归一化的探测率，也叫探测灵敏度。其单位为 ：cm · Hz1/2 · W-1

.

时间常数

时间常数表示探测器输出信号随入射光信号变化的速率，τ=1/（2πf）。

热释电探测器（Pyroelectric Detector）

热释电型红外探测器是由具有极化现象的热释电晶体（铁电体）制作而成的。其所探测的辐射必须是变化的 ；对于恒定的红

外辐射，必须进行调制（斩光），使恒定辐射变成交变辐射，借以不断引起探测器的温度变化才能导致热释电产生，并输出相应的

电信号。

热释电探测器与之前的光电器件相比具有如下特点：

■ 无选择性：响应率与波长无关

■ 响应慢

如何选择合适的光探测器？

在光电测试系统中，需要根据实际需要来选择各种探测器，特别要关注如下几个方面的问题 ：

■ 实际光谱测量范围，这是选择光探测器首先要注意的问题；

■ 光电倍增管是高灵敏的探测器，使用波长范围受限（通常到900nm，部分型号可得到1000nm以上，但价格通常很贵），而且使用

时要求配套高稳定性的高压电源；

■ 光伏型探测器具有响应快、灵敏度高的特点，使用时一般可不需要锁相放大器，探测微弱信号时可选用锁相放大器以提高信噪比；

■ 光导型探测器响应较慢，使用时要求信号光必须调制，并且需要搭配锁相放大器进行信号检出，同时要注意调制频率的选择；

■ 探测器选择时尤其需要注意选择配套的前置放大器，才能更大限度的发挥探测器的探测效率；

■ 选择TE制冷型探测器时，还要注意对应的温控器选择，探测器、温控器及前置放大器均需根据需要单独选择；

■ 红外探测器通常需要制冷和配合锁相放大器使用。

160 010-56370168 www.zolix.com.cn

PMT

UV VIS NIR IR

Si

InGaAs

PbS

InAs

InSb

MCT

WaveLength nm ( )

卓立汉光的单通道探测器（PMT 和固体探测器）充分考虑了性能指标，更能方便的与我公司的单色仪和配件相连接，探测范

围覆盖了 UV-Visible-IR 的宽波段范围。主要有如下几类 ：

■光电倍增管（PMT）——常温型光电倍增管，使用范围：200nm-900nm

■硅（Si）——高灵敏型、紫外增强型硅光电探测器，使用范围：200-1100nm

■铟镓砷（InGaAs）——常温及TE制冷型近红外探测器，使用范围：0.8-2.6µm

■硫化铅（PbS）——常温近红外探测器，使用范围：0.8-3.2µm

■砷化铟（InAs）——常温及TE制冷型近红外探测器，使用范围：1-3.8µm

■锑化铟（InSb）——液氮制冷型红外探测器，使用范围：1-5.5µm

■高速响应型锑化铟（InSb）——液氮制冷，内置前置放大器，响应时间：<25ns，使用范围：1-5.5µm

■碲镉汞（HgCdTe, MCT）——制冷型（TE制冷、液氮制冷）中远红外探测器，使用范围：2-22µm

■高速响应型碲镉汞（HgCdTe, MCT）——液氮制冷型，内置前置放大器，响应时间：<50ns，使用范围：1-12µm

单点探测器（单通道探测器）

010-56370168 www.zolix.com.cn 161

单点探测器

硅光电探测器使用建议：

■DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等

要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为

电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加

前置放大器以提高探测灵敏度；

■DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已

集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

DSi200/DSi300硅光电探测器———室温型探测器，波长范围：200-1100nm

技术指标＼型号名称 DSi200 （-MS） DSi300 （-MS）

进口紫外增强型 进口蓝光增强型

有效接收面积（mm2

） 100（Φ11.28） 100（Φ11.28）

波长使用范围（nm） 200-1100 350-1100

峰值波长（nm），典型值 820nm 970nm

峰值波长响应度（A/W） 0.52 0.60（>0.55）

典型波长的响应度（A/W） 0.14（>0.09）@254nm 0.20（>0.15）@410nm

响应时间（µs） 5.9 2

工作温度范围（℃） -10～+60 -10～+60

储存温度范围（℃） -20～+70 -20～+70

分流电阻RSH（MΩ） 10（>5） （>10）

等效噪声功率NEP（W/√Hz） 4.5×10-13 2.0×10-13

最大操作电流（mA@0V bias） 0.1 10.0

结电容（pf@0V bias） 4500 8800

信号输出模式 电流 电流

输出信号极性 正（P） 正（P）

两种型号的探测器室的外观相同，其中：

■ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器

■ DSi300型内装进口蓝光增强型硅光电探测器

■ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用

型号列表及主要技术指标：

DSi200/DSi300尺寸图

两种型号硅光电探测器的光谱响

应度曲线图：

注：本型号表中的型号，带后缀MS的型号，适配Omni-λ光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni-λ光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝。

DSi200（-MS）/DSi300（-MS）尺寸图

4.2 DSi 系列硅光电探测器

162 010-56370168 www.zolix.com.cn

PMTH-S1-（x）系列侧窗型光电倍增管（x 为 PMT 管芯型号）

主要特点：

■侧窗式，具有电、磁、光屏蔽

■可与我公司生产的光谱仪系列、样品室等匹配连接

■标准BNC插头输出信号

■专用耐高压BNC插头输入稳定高压

■电流输出模式

■电压输出模式可供选择（具体请洽询）

■推荐配合HVC系列高压稳压电源使用，可达到最佳的输出稳定性

常用PMT管芯规格参数表

Tips：如何将电流输出模式更改为

电压输出模式？

PMT 电流输出模式更改为电压输

出模式非常容易，用户可以自行解决，

如图所示，在信号输出的两极间串一个

电阻 R 即可，电阻阻值需要根据实际

信号的情况来选择，通常建议 100kΩ1MΩ。

光谱响应曲线及量子效率曲线图

PMTH-S1-XXXXX外形尺寸图 PMTH-S1-XXXXX-MS外形尺寸图

1P28 R1527/R1527P

R2658/R2658P R5108

CR131/CR131A/R928

CR131/CR131A/R928 R2949

R1527/R1527P

R5108

CR136-02 R1527/R1527P CR131/CR131A/R928 R2949

注：暗电流为避光30分钟之后测量值

CR131 CR131A R928 R928P CR316-02 R1527 R1527P R2949 R13456 R5108

光谱响应范围（nm） 185-900 185-900 185-900 185-900 185-650 185-680 185-680 185-900 185-980 400-1200

峰值响应波长（nm） 400 400 400 400 340 400 400 400 400 800

阴极光照灵敏度（uA/lm） 典型值 250 250 250 250 40 60 60 200 280 25

最小值 140 140 140 140 25 40 40 140 140 10

阴极辐射灵敏度（mA/W） —— —— 74 74 —— 60 60 68 74 2.2

阳极光照灵敏度（A/lm） 典型值 2000@1000V —— 2500@1000V 2500@1000V 400@1000V 400@1000V 400@1000V 2000@1000V 2800@1000V 7.5@1250V

最小值 1500@1000V 2500@1000V 400@1000V 400@1000V 100@1000V 200@1000V 200@1000V 1000@1000V 400@1000V 3.5@1250V

阳极辐射灵敏度（mA/W） 典型值 —— —— 7.4X105 7.4X105 —— 4.0X105 4.0X105 6.8X105 7.4X105 6.6X102

典型增益 8X106 8X106 1X107 1X107 1X107 6.7X106 6.7X106 1.0X107 1.0X107 3.0X105

暗计数s-1@25℃ 典型值 —— —— —— 500 —— —— 10 250 —— ——

最大值 —— —— —— 1000 —— —— 50 750 —— ——

暗电流nA 典型值 5@1000V 5@1000V 3@1000V 3@1000V 5@1000V 0.1@1000V 0.1@1000V 2@1000V 5@1000V 350@1250V

最大值 50@1000V 10@1000V 50@1000V 50@1000V 15@1000V 2@1000V 0.5@1000V 25@1000V 50@1000V 1000@1250V

光阴极材料 多碱 多碱 多碱 多碱 双碱 低噪声双碱 低噪声双碱 多碱 多碱 Ag-O-Cs

光敏面尺寸（mm） 8X24 8X24 8X24 8X24 8X24 8X24 8X24 8X6 8X24 18X16

倍增极系统结构 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9级） 环形聚焦（9

级）

上升时间（ns) 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 1.1

渡越时间（ns） 22 22 22 22 22 22 22 22 22 17

阳极到阴极电压（V DC）最大 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1500

4.3 PMTH 系列光电倍增管

010-56370168 www.zolix.com.cn 163

单点探测器

HVC1800 高压稳压电源

HVC1800 型高压稳压电源为光电倍增管提供稳定的直流高电压，与光电倍增管配合使用

在微弱信号的精密探测应用中。

SRS-PS300 系列高压稳压电源

PS300 系列高压电源，有 1.25kV，2.5kV 和 5kV 三种规格型号可供选择，与光电倍增管配

合可使用在微弱信号的精密探测应用中。

产品选型表

型号 名称、规格描述 输出信号极性

光电倍增管

PMTH-S1-CR316-02（-MS） 光电倍增管（185-650nm） 负（N）

PMTH-S1-R1527（-MS） 光电倍增管（185-680nm），高灵敏型，电流输出模式（蓝敏） 负（N）

PMTH-S1-R1527P（-MS） 光电倍增管（185-680nm），高灵敏型，超低暗计数，电流输出模式（蓝敏） 负（N）

PMTH-S1-CR131（-MS） 光电倍增管（185-900nm），普通型，电流输出模式（红敏） 负（N）

PMTH-S1-CR131A（-MS） 光电倍增管（185-900nm），高灵敏型，电流输出模式（红敏） 负（N）

PMTH-S1-R928（-MS） 光电倍增管（185-900nm），普通型，电流输出模式（红敏） 负（N）

PMTH-S1-R2949（-MS） 光电倍增管（185-900nm），高灵敏型，超低暗计数，电流输出模式（红敏） 负（N）

型号 名称、规格描述 输出电压极性

高压稳压电源

HVC1800 高压稳压电源（0-1500V） 负

PS310 高压电源（12V-1.25kV），最大输出电流：20mA 正或负

PS310-OPT03A PS310高压线 /

PS325 高压电源（25V-2.5kV），最大输出电流：10mA 正或负

PS350 高压电源（50V-5kV），最大输出电流：5mA 正或负

主要特点：

■输出电压：0-1500V连续可调，直流负电压

■输出电压可受控调节，也可通过外接控制端口（0-10V）经由PC机或D/A变换器控制（如：

DCS300PA）

■最大输出电流：0.5mA

■输出电压最大漂移：±0.03%/h

■输出电压指示：3 1/2位LED显示

■宽高深：260*115*260mm

主要特点：

■输出电压：1.25kV（PS310），2.5kV（PS325）和5kV（PS350）三种型号可供选择

■输出电压可受控调节，也可通过外接控制端口（0-10V）经由PC机或D/A变换器控制；

■最大输出功率：25W

■可输出正高压和负高压（通过后面板开关选择）

■输出电压最大漂移：±0.01%/h

注：本型号表中的PMT型号，带后缀MS的型号，适配Omni-λ光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni-λ光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝。

164 010-56370168 www.zolix.com.cn

型号 TEHVPMT-CR131 （-MS） TEHVPMT-R928（-MS）

波长范围（nm） 185-900

峰值响应波长（nm） 400±30nm

阴极灵敏度（峰值，mA/W） 74

峰值量子效率波长（nm） 260

峰值量子效率 25.40%

打纳级增益 1.0×107

阴极面积 8X24mm

阴极光照灵敏度（µA/Lm） 140 250

阳极光照灵敏度（A/Lm） 1000 2500

阳极暗电流（典型，nA） 3

阳极暗电流（最大，nA） 50

光阴极材料 多碱光阴极

阴极最小有效尺寸（mm） 8×24

倍增极系统结构 鼠笼形（9级）

管壳（窗）材料 透紫玻璃

阳极脉冲上升时间（ns） 2.2

电子渡越时间（ns） 22

阳极与阴极间的电压（V） 1250

阴极与最末倍增极间的电压（V） 250

环境温度范围（℃） -80～+50

制冷温度（℃）（室温20-25℃） -10℃

暗噪声计数（1s积分时间，-10℃） 150 250

制冷型光电倍增管型号列表及主要技术指标

TEHVPMT制冷型光电倍增管简介

TEHVPMT 制冷型光电倍增管包含高压和光电倍增管，型号分别为 TEHVPMT-（XX），

XX 表示倍增管型号，可以为 CR131, R928 等侧窗式光电倍增管，具有极高的灵敏度和

快速响应等特点，并具有良好的电磁屏蔽。此探测器系统可用于微弱光信号测量，如荧

光测量、材料的透射、反射、吸收特性，辐射源的光谱特性等仪器设备中，广泛应用于

材料分析、环保、医疗、化工、冶金、遥感等生产、科研和教学领域。

输出电压 0～-1500V

最大输出电流 0.5mA

输出不稳定度 <±0.05%/h

显示方式 三位半数显表

控制方式 本机 旋钮控制

外部 0～+10V电压

PMT高压电源主要技术指标

注：本型号表中的PMT型号，带后缀MS的型号，适配Omni-λ光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni-λ光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝。

TE 制冷型光电倍增管（TEHVPMT）系列

010-56370168 www.zolix.com.cn 165

单点探测器

DInGaASXXX尺寸图 GInGaAsXXX-MS尺寸图

常温型铟镓砷探测器（InGaAs）

型号列表及主要技术指标：

铟镓砷探测器使用建议: 光谱响应度曲线参考图

■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式

的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信

号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换

为电压信号:标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，

但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度:

■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合 DCS300PA数

据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，

故可不再需要另行选配前置放大器;

注1：本型号表中的型号，带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭

缝及抽拉狭缝；

注2：型号DInGaAsXXX-PA，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝；

注3：型号DInGaAsXXX-PAMS，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝。

DInGaAs 系列近红外单点探测器

常温型 DInGaAs 系列，内置大面积感光元件，主要用于近红外波段的

光谱探测分析应用，适配于 Omni 系列和 Hipers 系列光谱仪。

1.5

1.0

0.5

0

0.5 1.0 1.5 2 2.5 3

DInGaAs1700JD-R03M

DInGaAs1650

DInGaAs1700HM-R03/R05

DInGaAs2600HM

DInGaAs2600JD-R03M

Photo sensitivity(A/W)

Wavelength(µm)

1.5

1.0

0.5

0

型号 / 参数

1.7um 非制冷型 2.6um 非制冷型

DInGaAs 1650

(-MS)

DInGaAs 1700HM

-R03(-MS)

DInGaAs 1700HM

-R05(-MS)

DInGaAs 1700JD

-R03M(-MS)

DInGaAs 2600HM

-R03(-MS)

DInGaAs 2600JD

-R03M(-MS)

光敏面直径（mm） φ3 φ3 φ5 φ3 φ3 φ3

波长范围（nm） 800-1700 800-2600

峰值响应度（A/W） 0.95 1.1 0.9 1.3 1.1

D*( 典型值 )

﹙cm·﹙Hz）1/2

/W) — 6.3*1012 2.3*1012 9*1010 4.1*1010

NEP( 典型值 )

(W/（Hz﹚1/2

） — 4.4*10-14 7.0*10-14 1.2*10-13 3*10-12 6.5*10-12

暗电流 5nA

(VR=-1V)

2.5nA

(VR=1V)

2nA

(VR=1V) 100nA 30uA

(VR=0.5V) 100uA

阻抗（Ω） -- 2*107 6.5*106 6*106 1.4*103 3.2*102

电容（pF） 450

(VR=-2V)

450

(VR=1V,F=1MHZ)

1000

(VR=1V,F=1MHZ) -- 4000

(VR=0V,F=1MHZ) --

工作温度 -30~65℃ -40~100℃ -- -40~85℃ --

信号输出模式 电流 电流 电流 电流 电流 电流

输出信号极性 正极性 正极性 正极性 正极性 正极性 正极性

166 010-56370168 www.zolix.com.cn

铟镓砷探测器使用建议：

■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式

的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信

号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电

压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但

仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；

■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数

据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，

故可不再需要另行选配前置放大器；

光谱响应度曲线参考图：

TE 制冷型 DInGaAs 系列，内置大面积感光元件，采用

TE 制冷技术，使探测器具有更加的信噪比，主要用于近红

外波段的光谱探测分析应用，适配与 Omni 系列和 Hipers

系列光谱仪。

型号列表及主要技术指标：

TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）

注1：本型号表中的型号，带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭缝及

抽拉狭缝；

注2：型号DInGaAsXXX-PA，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝；

注3：型号DInGaAsXXX-PAMS，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝。

DInGaAsXXXX-TE尺寸图 DInGaAsXXXX-TE-MS尺寸图

型号 / 参数

1.7um 制冷型 2.6um 制冷型

DInGaAs 1700DX

-R03TE(-MS)

DInGaAs 1700DX

-R05TE(-MS)

DInGaAs 1700HM

-R03TE(-MS)

DInGaAs 1700HM

-R05TE(-MS)

DInGaAs 1700JD

-R03TE(-MS)

DInGaAs 2600DX

-R03TE(-MS)

DInGaAs 2600HM

-R03TE(-MS)

DInGaAs 2600JD

-R03TE(-MS)

光敏面直径（mm） φ3 φ5 φ3 φ5 φ3 φ3 φ3 φ3

波长范围（nm） 800-1700 800-2600

峰值响应度（A/W） 1 ≥ 0.9 1.1 0.9 1.1 1.3 1.2

D*( 典型值 )

﹙cm·﹙Hz）1/2

/W) 3*1012 ≥ 2.5*1012 6.7*1013 8.4*1013 5*1010 4.5*1011 4.9*1011

NEP( 典型值 )

(W/（Hz﹚1/2

） 8.9*10-14 -- 3.2*10-15 5.3*10-15 3.2*10-15 8.9*10-12 5.5*10-13 5.5*10-13

暗电流 10nA

(VR=1V)

<5nA

(VR=0.1V)

0.07nA

(VR=1V)

0.15nA

(VR=1V) -- 50uA

(VR=1V)

6uA

(VR=0.5V) --

阻抗（Ω） 4*104

(VR=10mV) -- 1.4*109

(VR=10mV)

5*108

(VR=10mV) 1.6*109 130 2.8*104

(VR=10mV) 3*104

电容（pF） 2000

(VR=0V, F=1MHZ) -- 450

(VR=1V, F=1MHZ)

1000

(VR=1V, F=1MHZ) 1200 5000

(VR=0V, F=1MHZ)

3200

(VR=0V, F=1MHZ) 9000

制冷温度（℃） -20℃ -20℃ -40℃ -20℃ -20℃ -40℃

环境温度 -45~55℃ -20~60℃ -40~70℃ -55~60℃ -45~55℃ -40~70℃ -55~60℃

信号输出模式 电流 电流 电流 电流 电流 电流 电流 电流

输出信号极性 正极性 正极性 正极性 正极性 正极性 正极性 正极性 正极性

1.5

1.0

0.5

0

0.5 1.0 1.5 2 2.5 3

DInGaAs1700HM-R03/R05TE

DInGaAs2600DX-R03TE

DInGaAs2600HM-R03TE

DInGaAs1700DX-R03/R05TE

DInGaAs1700JD-R03TE

DInGaAs2600JD-R03TE Photo sensitivity(A/W)

Wavelength(µm)

1.5

1.0

0.5

0

010-56370168 www.zolix.com.cn 167

单点探测器

光谱响应度曲线

fifffflffifl

0%

10%

20%

30%

40%

50%

60%

70%

80%

90%

100%

0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 2.3 2.6 2.9 3.2 3.5

( m)

fifffflffifl

DPbs3200（-MS）

光敏面尺寸（mm） 6×6

波长范围（µm） 0.8～3.2

峰值波长 （µm） ≥2.1

响应Su （V/W） ≥300

电阻Rd （MΩ） 0.1-0.3

D* cm（Hz）1/2

/W） ≥1×108

时间常数 （µs） ≤400

放大倍数 ×1，×10，×100

输入端失调电压 （µV） ＜±1

前放输入端的漂移 （µV） ±1

频率响应范围 （ Hz） 100—1000（推荐400Hz）

信号输出模式 电压

输出信号极性 正（P）

硫化铅探测器使用建议：

■DPbS3200硫化铅探测器为光导型近红外探测器，使用时必须配合锁相放大

器，推荐使用SR830型或DCS500PA型；

常温型红外探测器，波长范围：0.8-3.2µm

型号列表及主要技术指标：

注：本型号表中的型号，带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭

缝及抽拉狭缝；

硫化铅探测器（PbS）

DPbS3200尺寸图 DPbS3200-MS尺寸图

168 010-56370168 www.zolix.com.cn

注1：本型号表中的型号，带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭

缝及抽拉狭缝；

注2：型号DInAsXXX-PA，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝；

注3：型号DInAsXXX-PAMS，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝。

砷化铟探测器使用建议：

■DInAs3800-TE为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要

求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电

压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前

置放大器以提高探测灵敏度；

■DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已

集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；

型号列表及主要技术指标：

砷化铟探测器（InAs）

DInAs3800-TE（-PA）尺寸图 DInAs3800-TE-（PA）MS尺寸图

光谱响应度曲线参考图：

0.25

0

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

0.5

0.75

1.0

1.25

1.5

-30℃

-40℃

DInAs3800HM-R01TE

DInAs3800JD-R02TE

Photo sensitivity(A/W)

Wavelength(µm)

0.25

0

0.5

0.75

1.0

1.25

1.5

型号 / 参数 DInAs3800HM-R01TE(-MS) DInAs3800JD-R02TE(-MS)

光敏面直径（mm） φ1 φ2

波长范围（µm） 1~3.8 1~3.8

峰值响应度（A/W） 1.2 1.5

D*( 典型值 )﹙cm·﹙Hz）1/2

/W) 3.2*1010 4.1*1010

NEP( 典型值 )(W/（Hz﹚1/2

） 2.8*10-12 4.4*10-12

制冷温度（℃） -30℃ -40℃

环境温度 -40~80℃ -80~40℃

信号输出模式 电流 电流

输出信号极性 正极性 正极性

010-56370168 www.zolix.com.cn 169

单点探测器

DInSb5-De（x）所使用

的InSb探测器（封装于

DEC-M204探测器室内）

DEC-型探测器室

锑化铟探测器使用建议：

■ 锑化铟探测器为液氮制冷型近/中红外探测器，为了方便与卓

立汉光光谱仪连接，液氮杜瓦瓶被放置于DEC系列杜瓦探测

器室内；

■ 此系列产品使用时所需的液氮需用户自备；杜瓦瓶充满液

氮，保持时间通常为8小时以上。

■ DInSb5为液氮制冷侧窗型，光敏面直径2mm、3mm可选；

■ 探测器元件均封装于DEC系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

列表及主要技术指标：

锑化铟探测器（InSb）

注1：本型号表中的型号，带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝；不带后缀MS的型号，适配Omni系列、Hipers系列光

谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝；

注2：型号DInSbXXX-PA，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的手动狭缝及抽拉狭缝；

注3：型号DInSbXXX-PAMS，配置了I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni系列、Hipers系列光谱仪的自动狭缝。

光谱响应度曲线参考图：

型号 / 参数 DInSb5HM-R02(-MS) DInSb5-De02(-MS)

销售价格 100,000 143,000

光敏面直径（mm） φ2 φ2

波长范围（nm） 1~5.5 1~5.5

峰值响应度（A/W） 2.5 3

D*( 典型值 )﹙cm·﹙Hz）1/2

/W) 1.6*1011 1.0*1011

NEP( 典型值 )(W/（Hz﹚1/2

） 1.1*10-12 1.6*10-12

环境温度 -40~60℃ --

信号输出模式 电流 电流

输出信号极性 正极性 正极性

前置放大器 选配 选配

DInSb5HM-R03

DInSb5-De02

D*(λp,1200,1)(cm · Hz1/2/W)

Wavelength(µm)

1012

1011

1010

109

108

1 2 3 4 5 6

(Typ. Tchip=-196℃)

170 010-56370168 www.zolix.com.cn

热释电探测器使用建议：

■ DPE12 热释电探测器为常温型中远红外探测器，内置前置放大器，建议

配合锁相放大器使用，推荐使用 SR830 型或 DCS500PA 型；

DPE12 系列热释电探测器

常温型红外探测器 , 波长范围 ：2-12µm

光谱响应度曲线 响应度随频率变化曲线

D*随频率变化曲线

型号列表及主要技术指标：

DPE12

光敏面尺寸 mm 2×2

波长范围 µm 1.5～12

响应度 V/W ≥80000

电阻 RdMΩ 0.1-0.3

D*cm（Hz）1/2/W ≥3×108

温度℃ -20~55

驱动电压 3V

频率响应范围 Hz 5—100（推荐 10Hz）

信号输出模式 电压

DPe12尺寸图 DPe12-MS尺寸图

5

4.6 DMCT 系列中远红外探测器

010-56370168 www.zolix.com.cn 171

单点探测器

光谱响应度参考图

碲镉汞探测器使用建议：

■ DMCT（x）-De和DMCT12-HS碲镉汞探测器为液氮制冷型中/远红外探测器，为了方

便与卓立汉光光谱仪连接，液氮杜瓦瓶被放置于DEC-（x）系列杜瓦探测器室内，x为

不同型号杜瓦瓶的型号；

■ DMCT（x）-De系列不集成前置放大器，使用时需要配置前置放大器，并且必须配合

锁相放大器使用；

■ DMCT12-HS为高速响应的探测器，集成了50MHz带宽的前置放大器，用于红外时间

分辨测量，可直接接驳示波器使用，光敏面尺寸为1mm，另有0.5mm和0.1mm可选，

尺寸越小，响应速度越快，最快可达到3.5ns；

■ 液氮需客户自备；杜瓦瓶充满液氮，保持时间通常为8小时以上；

型号/参数 DMCT12-

De01

DMCT14-

De01

DMCT16-

De01

DMCT22-

De01 DMCT12-HS

光敏面尺寸（mm） 1×1 1×1 1×1 1×1 1×1

波长范围（µm） 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12

峰值响应度（V/W） 3x103 1x103 900 150 >4x104

响应时间（ns） <25

D*（@λpeak,

1KHz）

cm Hz1/2

W-1

,最小值

3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010

前置放大器 选配 选配 选配 选配 集成

信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压

输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）

型号：DMCT（x）-De 所使用的

HgCdTe探测器外形（封装于DEC04探测器室内）

型号：DMCT12-HS 所使用的

HgCdTe探测器外形（封装于

DEC-KJ探测器室内）

有DMCT（x）-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：

■ DMCT（x）-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测

量，须选配前置放大器；

■ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；

■ 探测器元件均封装于DEC-（x）系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

型号列表及主要技术指标：

碲镉汞探测器（MCT）

液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22µm

注1：本型号表中的型号，适配Omni-λ光谱仪的手动狭缝；

注2：型号DMCT12-De01-PA，DMCT14-De01-PA，DMCT16-De01-PA，DMCT22-De01-PA，配置了原

厂I-V跨导放大器，输出为电压模式，适配Omni-λ光谱仪的手动狭缝。

172 010-56370168 www.zolix.com.cn

01

科学级成像相机

05

5.1 SIC 系列纳秒级像增强型相机

167 ICCD 像增强型高分辨率相机

171 IsCMOS 像增强型相机

5.2 FC 系列可见光分幅相机

5.3 ST10 系列皮秒级条纹相机

5.4 IIM 系列高速相机专用镜头耦合像增强模组

及 UV 镜头

5.5 科学级 CCD 相机

185 iKon-M 912 系列 CCD 相机

186 iKon-M 934 系列 CCD 相机

187 iKon-L 936 系列 CCD 相机

188 iKon-XL 系列大面阵制冷 CCD 相机

189 iKon-XXL 系列超级大面阵制冷 CCD 相机

5.6 高灵敏度 sCMOS 相机

190 NM-2020e-M 制冷科研级 CMOS 相机

191背照式 sCMOS 相机 Marana

192 背照式 sCMOS 相机 Sona

193 Balor—超大视野、快速读出 sCMOS

194 Zyla 系列 sCMOS 相机

5.7 iXon Ultra 系列 EMCCD 相机

195 iXon Ultra 897 系列 EMCCD 相机

195 ixon Ultra 888 系列 EMCCD 相机

5.8 Photon1K 高灵敏高动态 qCMOS 相机

5.9 VUV 及软 X 射线相机

198 XUV2K 软 X 射线相机（腔内 / 腔外）

199 Andor 科学级 X-ray 相机

200 腔外式 X 射线及真空紫外系列 CCD 相机

200 腔外式 X 射线及真空紫外 sCMOS 相机

201间接探测真空紫外 CCD 相机

5.10 硬 X 射线相机

202 Dectris 高能 X-Ray 相机

205 DECTRIS 产品用于透射电子显微镜 (TEM)

207 PSL 高性能大面阵 X-Ray CMOS 相机

5.11 中子相机

209 高灵敏度中子 ICCD 和中子 sCMOS 探测器

210 Photek 中子相机系统

5.12 高速相机

211 MetaCam 高速相机

215 Phantom 高速相机

5.13 近红外相机

217 PSEL 制冷型短波红外 InGaAs 相机

218 近红外 InGaAS/GaAsSb 相机

218 近红外 InGaAs 相机

219 近红外 CMOS 相机

219 红外热像仪

5.14 SIC 系列纳秒级像增强型相机软件介绍

010-56370168 www.zolix.com.cn 173

科学级成像相机

5.1 SIC 系列纳秒级像增强型相机

ICCD

像增强型高分辨率相机

■ 科学级制冷型ICCD

■ 18mm口径二代高效像增强器

■ 宽光谱响应范围：200-900nm

■ 光学快门： <3ns

■ 延迟与门控调节精度：10ps

■ 阴极门控最高外同步频率 300KHZ;

■ 内置时序控制器DDG

■ 高空间分辨率：F >30lp/mm，L:>50lp/mm

国内首推科学级制冷型高分辨率ICCD 相机，在像增强器与科研制冷型的CCD相机之间，采用高分辨率的镜头耦

合方式或光纤面板耦合成像， 获得空间高分辨率，实现对高分辨率成像或瞬态高分辨光谱采集。

■ CCD芯片： 高分辨2750*2200像素阵列

■ 位深：16bit

■ 制冷温度：低于室温35℃

■ 配合高分辨光谱仪实现瞬态光谱采集

■ 专业化数据采集控制软件

独特亮点

制冷型 ICCD 低于室温 35℃芯片制冷，有效减低芯片暗噪声，安静读出

超快光学门宽 <3ns 阴极光学门宽，实现精准测量

内置 DDG 内置精度 <10ps 门控与延迟控制发射器，方便随心控制

自动步进 STEP 延迟和门控自动 Step 步进功能，一键完成时间分辨光谱采集

高空间分辨率 高空间分辨率像增强器及镜头耦合

IOC 模式 >300kHz 阴极快门外同步频率，IOC 芯片累积模式提升信噪比

Binning and ROI 实现芯片 FVB Binning 以及 多通道光谱同时采集

专业化软件 采集控制 & 光谱仪控制，数据处理专业化界面，简单快捷

174 010-56370168 www.zolix.com.cn

技术参数

CCD 相机

像素阵列 2700*2200

阵面尺寸 12.48*9.98mm (15.972 mm Diag.)

像素大小 4.54um*4.54um

传感器类型 CCD Sensor

读出噪声 5e暗电流 0.02e- / pixel / s @-10℃

位深 16bit

Bining&ROI FVB 光谱模式 & 多通道 ROI 及 FVB

数字接口 UBS2.0

像增强器 MCP

光阴极 S20 S20B S25

光谱范围 190-850nm 190-850nm 200-950nm

峰值量子效率 20% @440nm 35%@260nm 17%@460nm

等效噪声（EBI）

20 ±C ± 2 ±C

2000ph/cm2s

< 2 x 10-7 lux

5000 ph/ cm2 s

< 2 x 10-7 lux

20000 ph/cm2/s

< 2 x 10-6 Lux

光子增益 1*104 ph/ph 2*104 ph/ph 1*104 ph/ph

荧光屏 P20 /P43/P46

空间分辨率 F: 光纤面板耦合 : >30lp/mm ；

L: 镜头耦合 >50lp/mm

光学门控宽度 Ultra: <3ns, Fast: <10ns, Slow: <50ns

内部 DDG

延迟和门宽调节范围 0-10s

延迟和门宽调节精度 10ps

同步接口 外触发输入，触发输出，直接触发输入（Direct gate）

触发信号 触发阈值 3-5V， 阻抗 50 欧姆，抖动 <100ps

触发固有延迟 <120ns@ Ext 外触发 , <50ns @ Direct gate ,

光阴极量子效率曲线

Photocathode Spectral

Range1 (nm)

Peak Wavelength

(nm)

QE Quantum

Efficiency2(%) Gy Photon Gain3 (ph/ph) EBI4 (typical max)

ph/cm2s lux

S20 175 - 800 440 20 1 MCP 1 × 104

2000 2 × 10-7

2 MCP 2 × 106

S20B 175 - 800 260 35 1 MCP 2 × 104

5000 2 × 10-7

2 MCP 4 x 106

Bi-alkali 175 - 700 350 22 1 MCP 1 × 104

50 2 × 10-7

2 MCP 3 x 106

S25 175 - 950 460 17 1 MCP 1 × 104

20,000 2 × 10-6

2 MCP 2 × 106

光阴极量子效率曲线

010-56370168 www.zolix.com.cn 175

科学级成像相机

门积分模式

光学门宽 <3ns

配合光谱仪宽光谱采集

IOC（Integrate on chip）片上门积分

模式 是一种高效利用高重频发光现象在最

短的时间里快速收集信号，从而有效提供信

噪比的方法。极高的阴极门控频率可以让相

机在每秒曝光时间内累积高达 300,000 次开

门信号，非常适合极弱的高重频发光信号的

采集。

IOC 的设置可以通过软件非常简单的选

取，与动力学采集模式中的门控延迟步进功

能相互配合，可以非常快速的完成高重频的

时间分辨影像和时间分辨光谱的采集。

皮秒激光器（~50ps）最小门宽扫描测

试 ： Step =200ps，光学半波宽 ~2.5ns

176 010-56370168 www.zolix.com.cn

机械尺寸图

重量：~ 7kg

型号选择

可选配件

■ OMF-ISCMOS-570: 光谱仪配合法兰接口，适用Zolix Omni 谱王系列500/750mm 焦距光谱仪

■ OMF-ISCMOS-300：光谱仪配合法兰接口，适用Zolix Omni 谱王系列320mm 焦距光谱仪

■F-mount: Nikon F 镜头接口，带25mm 滤光片插槽。

■ C-mount: 标准C 镜头接口

■USB3.0延长线缆：长度 5m，带信号增强

■USB3.0—光纤转换延长器： 10-100m 多模光纤及转换器

■光隔离触发模块

■18/2518或25m 口径增强器

■U/F/S Ultrfast gate <=3ns , Fast gate <5ns,

Slow gate: >50ns

■UV/UVB/VN：UV: S20；UVB: S20B; VN : S25

■ 6M/4M : 600万像素 CCD 2700*2200; 400万像素sCMOS

2048*2048

■L/F: L高分辨镜头耦合; F 高通量光纤面板耦合

常见型号列表：

ICCD

SIC-18U-UV-6M-L 18mm 增强器，UV-VIS 200-850nm, 2750*2200, 高分辨率镜头耦合

SIC-18F-VN-6M-L 18mm 增强器，VIS-NIR 400-1100nm, 2750*2200, 高分辨率镜头耦合

SIC: Scientific Intensified Camera

SIC-18U-UV-6M-L

010-56370168 www.zolix.com.cn 177

科学级成像相机

IsCMOS

■ 科学级制冷型IsCMOS

■ 18/25mm 大口径二代高效像增强器

■ 光谱响应范围：S20 光阴极，200-850nm

■ 光学快门： <3ns

■ 延迟与门控精度：10ps

■ 增强器阴极门控最高同步频率 300KHZ;

■ 内置时序控制器DDG

■ 耦合方式：1:1 光纤面板耦合

■ sCMOS 芯片： 高分辨2048*2048阵列

■ 位深： 16bit

■ 制冷温度：低于环境温度-35℃

■ 最快帧速： 35fps.

■ 专业化数据采集控制软件

独特亮点

制冷型 IsCMOS 芯片制冷温度低于环境 35℃，有效减低芯片暗噪声

超快光学门宽 <3ns 阴极光学门宽，实现精准测量

内置 DDG 内置精度 <10ps 门控与延迟控制发射器，方便随心控制

高效光纤锥耦合 1:1 高效光纤锥耦合增强器与相机，高通光量

高分辨率读出 400 万像素高分辨率图像读出，不忽略细节

16bit, 95% QE 高动态范围，高量子效率，不留缺憾

IOC 模式 >300kHZ 阴极快门同步频率，IOC 芯片累积模式下提升信噪比

专业化软件 采集控制，数据处理专业化界面，简单 快捷

像增强型相机

国内首推科学级制冷型超快 IsCMOS 相机，采用高效超快像增强器，采用独家光纤面板耦合工艺技术，配合 >95% 量子效率

科研制冷型 sCMOS 相机，实现低噪声、高速、超快门控拍照。

178 010-56370168 www.zolix.com.cn

sCMOS 相机

像素阵列 2048*2048

阵面尺寸 13.3*13.3mm

像素大小 6.5um*6.5um

传感器类型 背照式 sCMOS

量子效率 >95% @600nm

读出噪声 CMS: 1.1e-(Median) / 1.2e-(RMS)

暗电流 0.15e- / pixel / s@-10℃

曝光时间 1ms-10s

位深 16bit

数字接口 UBS3.0

像增强器 MCP

光阴极 S20Q S20B S25Q

光谱范围 190-850nm 190-850nm 200-950nm

峰值量子效率 20% @440nm 35%@260nm 17%@460nm

等效噪声（EBI）

20 ±C ± 2 ±C 2000ph/cm2s < 2 x 10-7 lux 5000 ph/ cm2 s < 2 x 10-7 lux 20000 ph/cm2/s < 2 x 10-6 Lux

光子增益 1*104 ph/ph 2*104 ph/ph 1*104 ph/ph

有效口径尺寸 18mm & 25mm

荧光屏 P20 /P43/P46

输出窗口 1:1 光纤面板

光学门控宽度 Ultra: <3ns; Fast： <10ns; Slow: >50ns

内部 DDG

延迟和门宽调节范围 0-10s

延迟和门宽调节精度 10ps

同步接口 外触发输入，触发输出，直接触发（Direct gate）

触发信号 触发阈值 3--5V， 阻抗 50 欧姆，抖动 <100ps

触发固有延迟 <120ns@ 外触发，<50ns @ Direct gate 直接触发

技术参数

光阴极量子效率曲线

光阴极量子效率曲线

Photocathode Spectral

Range1 (nm)

Peak Wavelength

(nm)

QE Quantum

Efficiency2(%) Gy Photon Gain3 (ph/ph) EBI4 (typical max)

ph/cm2s lux

S20 175 - 800 440 20 1 MCP 1 × 104

2000 2 × 10-7

2 MCP 2 × 106

S20B 175 - 800 260 35 1 MCP 2 × 104

5000 2 × 10-7

2 MCP 4 x 106

Bi-alkali 175 - 700 350 22 1 MCP 1 × 104

50 2 × 10-7

2 MCP 3 x 106

S25 175 - 950 460 17 1 MCP 1 × 104

20,000 2 × 10-6

2 MCP 2 × 106

列 行 帧速 *

2048 2048 30 fps

2048 1024 60 fps

2048 512 120 fps

2048 96 470fps

2048 16 800fps

此帧率为1ms 曝光下的典型值；

帧率受电脑系统配置影响，推荐在i7以上处理器、64bit系统的电脑上使用

ROI(Region of interest) 是在相机传感器分辨率范

围内定义一个感兴趣的子区域，选择 ROI 后就仅仅对这

个子区域内的图像进行读出。相机预设子区域 , 也支持

用户手动设置。区域的行开窗需为 8 的整数倍，通过减

少行数目，可以相应提高相机的读出速率

高帧速

010-56370168 www.zolix.com.cn 179

科学级成像相机

机械尺寸图

重量：~3.8kg

门积分模式

配合光谱仪宽光谱采集 光学门宽 <3ns

IOC（Integrate on chip）片上门积分模式 是一种高效利用高

重频发光现象在最短的时间里快速收集信号，从而有效提供信噪

比的方法。极高的阴极门控频率可以让相机在每秒曝光时间内累

积高达 300,000 次开门信号，非常适合极弱的高重频发光信号的

采集。

IOC 的设置可以通过软件非常简单的选取，与动力学采集模

式中的门控延迟步进功能相互配合，可以非常快速的完成高重频

的时间分辨影像和时间分辨光谱的采集。

皮秒激光器（~50ps）最小门宽扫描测试 ： Step

=200ps，光学半波宽 ~2.5ns

180 010-56370168 www.zolix.com.cn

型号选择

可选配件

■ OMF-ISCMOS-570: 光谱仪配合法兰接口，适用Zolix Omni 谱王系列500/750mm 焦距光谱仪

■ OMF-ISCMOS-300：光谱仪配合法兰接口，适用Zolix Omni 谱王系列320mm 焦距光谱仪

■ F-mount: Nikon F 镜头接口，带25mm 滤光片插槽。

■ C-mount: 标准C 镜头接口

■ USB3.0延长线缆：长度 5m，带信号增强

■ USB3.0—光纤延长器： 10-100m 光纤及转换器

■ 光隔离触发模块

常见型号列表：

IsCMOS

SIC-25U-UV-4M-F 25mm 增强器，UV-VIS :S20, <3ns,2048*2048, 光纤面板耦合 ,

SIC-18U-UV-4M-F 18mm 增强器，UV-VIS: S20, <3ns, 2048*2048, 光纤面板耦合

SIC-18F-VIS-4M-F 18mm 增强器，VIS S25, <10ns,2048*2048, 光纤面板耦合

SIC-18F-UV-4M-F 18mm 增强器，UV-VIS S20, <10ns,2048*2048, 光纤面板耦合

SIC-18U-UVB-4M-F 18mm 增强器，VIS S20B, <3ns,2048*2048, 光纤面板耦合

■ 18/2518或25m 口径增强器

■ U/F/S Ultrfast gate <=3ns , Fast gate <5ns,

Slow gate: >50ns

■ UV/UVB/VN：UV: S20；UVB: S20B; VN : S25

■ M : 600万像素 CCD 2700*2200;

400万像素sCMOS 2048*2048

■ L/F: L高分辨镜头耦合; F 高通量光纤面板耦合

SIC: Scientific Intensified Camera

SIC-18U-UV-4M-L

010-56370168 www.zolix.com.cn 181

科学级成像相机

5.2 FC 系列可见光分幅相机

■ 通道数：2，4 或8通道

■ 空间分辨率: >30lp/mm

■ 光谱响应范围： 350-850nm

■ 门控宽度：3ns—DC

■ 门控及延迟调节精度：1ns

■ 延时调节范围：0-10s

■ 触发固有延迟：<120ns

■ 增强器阴极尺寸：18mm

■ 增强器最大增益： 1*104

■ 读出面阵： 2048*2048 sCMOS

■ A/D位：16bit

■ 一体化数据采集软件

分幅相机是采用分光系统及快光电子技术，整合 2 台，4 台或 8 台像增强型门控相机于一体，实现高速分幅拍摄的一种超高速相机。

主要用于观测高速物理现象（例如 燃烧反应、放电、爆炸等）。对于分幅相机而言，其实现超高速曝光的核心成像器件是像增强型

门控相机，依靠分光系统对光信号进行分配 ，传输到各个相机单元上，并且采用快光电子控制技术对多台相机的拍摄时序和曝光时

间进行良好的控制与整合，从而实现高速拍摄。一次得到的两幅，四幅或八幅图像间隔最小可以到 1ns, 从而达到近乎 10 亿帧的帧速。

6.5um*6.5um 像素

13.3*13.3mm

可见光分幅相机

182 010-56370168 www.zolix.com.cn

应用领域

■ 超短曝光时间分辨成像和光谱测量技术

■ 快速的荧光、生物发光和化学发光测量

■ 激光诱导等离子体成像和速度测量

■ 爆轰过程中的发光现象研究

■ 汽车工业用超快速燃烧研究

基于四分幅相机的金属丝放电测试 : (* 1�2 放大倍率镜头 )

延迟 800ns-1.4us 放电 , 间隔 200ns, 门宽 50ns, 清晰可见放电区域逐步膨胀过程。

010-56370168 www.zolix.com.cn 183

科学级成像相机

可见光分幅相机（双曝光）

■通道数：4 通道

■画幅数：4画幅& 8画幅

■空间分辨率: >25lp/mm

■光谱响应范围： 350-850nm

■门控宽度：3ns—DC

■门控及延迟调节精度：1ns

■延时调节范围：0-1s

■增强器阴极尺寸：18mm

使用与四分幅相机相同的分光光路，将耦合相机改为双曝光的 CCD 相机，可以获得最高八分幅的相机。此种相机结构即可以工作

在四分幅模式下，也可以工作在八分幅模式下。四分幅画幅之间最小时间间隔 1ns, 八分幅相机的画幅之间第四和第五幅最小时间间隔

为 250ns（双曝光模式），其余画幅间隔最小 1ns。

此种工作模式的优势是在减少通道数及硬件成本的基础上得到更多的画幅数。

■增强器最大增益：1*104

■读出面阵： 1932*1452 (4X）

■A/D位：12bit

4.5um*4.5um 像素

■一体化数据采集软件

基于4通道八分幅相机的 微秒闪光灯的放电过程测试： 20ns门宽，500ns 画幅间隔

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分幅相机汇总一览

型 号 FC-2-S-VIS FC-4-S-VIS FC-4-D-VIS FC-8-S-VIS FC-8-D-VIS

主要描述 2 分幅 4 分幅 4 分幅双曝光 8 分幅 8 分幅双曝光

单次画幅数 2 幅 4 幅 4 幅 & 8 幅 8 幅 8 幅 & 16 幅

光路 2 路 4 路 4 路 8 路 8 路

光路实现方式 反射平行分光 反射分光 反射平行分光 光瞳分光 光瞳分光

相机 sCMOS

2048*2048

sCMOS

2048*2048

双曝光 CCD

1932*1420

sCMOS

2048*2048

双曝光 CCD

1932*1420

增强器口径 18mm 18mm 18mm 18mm 18mm

荧光屏 P43 P43 P47 P43 P47

最小门宽 <3ns <3ns <3ns <3ns <3ns

耦合方式 光纤面板 光纤面板 镜头耦合 面板耦合 镜头耦合

分辨率 >=30lp/mm >=30lp/mm >=30lp/mm >=30lp/mm >=30lp/mm

最小固有延迟 <120ns <120ns <36.5u+4us <120ns <36.5us+4us

Jitter（触发输入与输出） 典型值 <100ps，最大 <200ps

延迟及门控精度 Step：1ns

最小画幅间隔 1ns 1ns 1-4 & 5-8：1ns

4-5：300ns 1ns 1-4 & 5-8：1ns

4-5：300ns

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科学级成像相机

5.3 ST10 系列皮秒级条纹相机

T-lab系列

通用型条纹相机

——让条纹相机走进大众实验室，助力科研人员实现超快梦想！

条纹相机是一种同时具备高时间分辨（皮秒）与高空间分辨（微米）的瞬态光学过程测量仪器，既可直接用来测量超短光脉

冲辐射的强度 - 时间 - 空间关联波形，也可以作为高时间分辨的图像记录设备和其它仪器，如显微镜、光谱仪等，构成联合诊断系统，

实现超快空间 - 强度 - 时间分辨或光谱 - 强度 - 时间分辨的关联参数测量，是超快光化学、光物理、荧光过程、超短激光技术等

领域研究的关键工具。

通用型条纹相机 是特指面向普通科研市场的通用扫描型条纹相机。该系列条纹相机采用国际先进的高频条纹变像管，扫描频

率最高可达 200MHz 以上 .该产品集成了单次触发扫描模块与高频扫描模块，在极大降低用户使用难度的基础上，拓宽了条纹相

机的使用范围。配合光谱测试系统，可实现 200nm 到 900nm 光谱范围高灵敏时域光谱测量，进一步使得条纹相机真正实现了通

用化，走进普通实验室。

典型特点：

■ 宽光谱范围：200-900nm (UV-VIS-NIR)

■ 高时空分辨：条纹管典型时间分辨<=2ps，空间分辨＞50lp/mm

■ 成熟条纹管：Photochron-5 型高频管（＞200MHz）

■ 兼顾多种扫描模式：单次&高频扫描

■ 与光谱仪联用： 超快时间分辨光谱系统解决方案

■ 专业软件集成控制

·宽光谱响应，高时间分辨

主要特点

条纹相机的光谱响应范围由条纹管的光阴极种类决定，条

纹管有多种光阴极可选，覆盖 UV-VIS-NIR 宽光谱范围，最高

2ps 的时间分辨率。

186 010-56370168 www.zolix.com.cn

可以提供双级联 MCP 增强器作为信号增强，提供 103

-105 信号增

益以改善弱信号探测灵敏度 ；

采用科研级大面阵制冷型相机作为读出单元 ,16 bits 输 出，

>10000:1 动态范围。

■ 一体化相机控制界面，标准集成相机、光谱仪一体化控制，界面流程清晰，操作简单；

■ 专业条纹图像采集与数据处理软件: 图像增强显示\\曲线平滑处理\\3D 图像显示\\任意维度切片；

■ 时间衰减曲线，光谱曲线快速提取，荧光寿命快速拟合，帮助实现数据深度挖掘。

·优化系统配置，提供超高灵敏度

·与光谱仪连用，提供完整时域光谱测试解决方案

·主流核心部件，国际品质保障

·专业软件控制界面

■ 条纹相机与光谱仪配合使用，可实现光谱、光强与时间信息同时测量，

■ 完整方案可快速实现从ps到s量级宽范围时间分辨光谱测试；

■ 独有设计底板，方便焦面二维调节，快速对焦。

条纹管模块，增强器模块及相机耦合读出模块均选用主流厂家成熟产品，实

现优异性能的同时，保障了量产稳定性和一致性。

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科学级成像相机

条纹相机选型参数列表

型号 ST10 T40

条纹管阴极有效狭缝长度 8 mm 35 mm

光学狭缝长度 12 mm 35 mm

光学狭缝宽度 0~3 mm 手动可调

10 um 调节精度

0~3 mm 手动可调

20 um 调节精度

阴极类型 S20(200-900 nm)，BK(200-700 nm)，S25(350-900 nm)

荧光屏 P20 或 P43（P46,P47 更多可选）

扫描频率 单次——200 MHz 单次—— 1 kHz

条纹管时间分辨率 （最小值） <=2 ps（400 fs） 50 ps（10 ps）

系统时间分辨率（配合光谱仪及光路） <=5ps（500ps 档位） NA

扫描时间轴范围 500ps-10us 10ns-1ms

像增强器 25mm, MCP125；（双 MCP 可选） 40mm 单 MCP

像增强器增益 (P20） MCP125: ≤ 1.00E+04 ; ≤ 1.00E+04

读出相机耦合方式 镜头耦合 1:1 光纤面板 1:1 光纤面板

阵面 2048*2048 4096*4096

像素 6.5um*6.5um 9um*9um

探测面尺寸 13.3*13.3mm 36.8*36.8mm

像素阱深 >=45000e- >70000e量子效率 >90% >70%

动态范围 90dB 86dB

制冷方式 风冷 风冷

最低制冷温度 -15 度 -15 度

帧速 /AD 位 40fps 16bit >9fps 16bit

通讯方式 USB3.0 USB3.0

条纹相机主要应用方向

■超快化学发光

■超快物理发光

■超快放电过程

■超快闪烁体发光

■时间分辨荧光光谱，荧光寿命

■半导体材料时间分辨PL谱

■钙钛矿材料时间分辨PL谱

■瞬态吸收谱，时间分辨拉曼光谱测量

■光通讯，量子器件的响应测量

■自由电子激光，超短激光技术

■各种等离子体发光

■汤姆逊散射，激光雷达

188 010-56370168 www.zolix.com.cn

IIM系列

高速相机专用镜头耦合像增强模块

典型特点 适用应用场景

■触摸屏控制界面

■外同步/常开/内触发三种工作模式

■全新设计高效中继镜头(1:1/2:1)

■25mm 大口径阴极有效探测面

■双层增强，超过2*105

亮度增益

■P46 超快荧光屏，支持超百万帧速高速相机采集

■多重防过曝光保护设计

■一体化结构设计，灵活适用不同应用场景（A/B/C三款）

■光谱仪拓展转接口定制

■ 粒子速度场影像（PIV）

■ 激光诱导荧光成像（LIF）

■ 燃烧场诊断成像

■ 等离子体成像或光谱

■ 单光子影像

■ 生物化学发光成像或光谱

■ 空间天文物理成像

■ 其他高速影像场景

当前在很多的科学研究中，比如燃烧诊断、微光夜视、单分子成像、蛋白质发光、荧光成像、粒子成像中信号都非常的微弱，

有些甚至达到了单光子量级，如果使用普通的 CCD 相机或高速相机很难得到很清楚的图像，如果这时在相机前段加入一个图像增

强器，可以将信号放大 103-107 倍，就可以得到很清楚的结果 . 最新推出的 IIM 系列全新升级版镜头耦合像增强器模块可以简单

方便的解决这个问题。

IIM 系列像增强模组，深度契合客户实际应用，根据应用场景可分为 A/B/C 三大结构设计，内部全部采用高度一体化结构设计，

耦合 25mm 大靶面像增强器，可以提供光电转换，增益控制以及高速快门功能，专门特殊设计用来通过 Nikon -F 或 C 接口安装

到用户已有的 CCD 相机，EMCCD ，sCMOS 或高速相机上面，也可以体用光谱仪拓展转接口，完成高速光谱或弱光光谱采集。

5.4 IIM 系列高速相机专用镜头耦合像增强模组及 UV 镜头

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科学级成像相机

■ 门控Gate及同步输出信号三路输出调节，包括信号宽度以及延

迟时间；

■ 工作模式选择：常开模式/门控外触发模式/内触发模式

■ 触发沿选择： 上升沿或下降沿

■ 机械快门模式选择：常闭/常开/触发

■ 内触发同步频率设置；0-100KHZ

■ 阳极亮度监控模式开关以及亮度电流水平监控（可选项）

■ 增强器增益调节设置（0-100%）

■ 显示屏亮度开关及调节

■ 信号输出控制开关

■增加电动机械快门，免除意外损伤增强器的顾虑；

■增加25mm滤光片插槽，方便针对特定波段的快速增强成像。

■增加成像调节旋钮，方便调节焦面成像。

中继镜头（Relay lens）作为镜头耦合模组的核心部件，对于整个模组的耦合效率和成

像效果有很大的影响。针对此特殊应用，特别优化设计了一种短焦距，大口径，高数值孔径，

同时保持低畸变的 1:1/2:1 成像镜头，在保障全尺寸成像分辨率和低畸变的基础上，有效提

高耦合效率。

全部采用高性能 25mm 增强器设计，兼顾大靶面大视野及高分辨率需求。大口径增强

器可适配前端大口径收光 F 接口镜头，获得超大视野及高的收光效率，满足大多数高速相机

需求。针对较小芯片尺寸相机，也可以选用 2:1 缩比配置，保障并提高分辨率及亮度。

针对高速成像应用，推荐选配双层 MCP, 在提供高达 105 以上的增益同时，P46 的

<300ns 超快衰减时间的荧光屏，可满足超过 100 万帧频的高速摄像需求。

为保障使用当中的免维护，以及有效保护增强器和光学器件，增强模组采用全

新一体化设计结构，安装严丝合缝，整体性强，密封性高，同时增加实用设计：

IIM-A/B 型采用了触摸屏作为了控制界面，可以控制所有功能。

IIM-A 型为集成一体触摸屏，IIM-B 型为远程控制盒控制，两者触摸屏界面功能相同

触摸屏功能包括

全新设计中继镜头

高性能 25mm 增强器

一体化结构设计

IIM-A/B 触摸屏设置界面一览

190 010-56370168 www.zolix.com.cn

规格型号 IIM-A 系列 IIM-B 系列 IIM-C 系列

可选型号 IIM-A125

IIM-A225

IIM-B125

IIM-B225

IIM-C125

IIM-C225

像增强器参数

< 增强器有效口径 25mm MCP

输入输出窗口 Input: SiO2；Output: GL

光电阴极 S20 (Solar Blind, Bialkali, LNS20, S20B, S25 可选 )

MCP 类型 单级 MCP 125, 双极 MCP 225

荧光屏类型 高亮 P20 & 高速 P46（<300ns Decay time）

空间分辨率 lp/mm MCP125：>=35，MCP225：>=20

MCP 辐射增益 @500nm MCP125： >=10,000watts/watt @P20 ， >=3,000w/w@P46

MCP 225： >=1000,000w/w@ P20 , >=250,000w/w@ P46

门控宽度 快速（F）: <=3ns , 慢速：>=50ns—DC NA

光学参数

输入接口 Nikon F 镜头接口 ( 其他接口可选 )

输出转接口 Nikon F 镜头接口 ( 其他接口可选 )

内部中继镜头 50mm 1:1 （2:1 可选）

控制参数

控制方式 一体式触摸屏 控制盒 ( 带触摸屏 ) 手动控制

工作模式 常开模式 , 门控模式 , 内触发模式（S,G, I）常开模式

门控、延迟控制 触摸屏数字设置 3ns---2 S （ 1ns 步距） NA

内触发频率 0.01HZ-100KHZ NA

外触发频率 0.01HZ-300KHZ NA

触发沿 上升或下降沿可选 NA

增益控制 触摸屏数字设置 0-100% 手动旋钮

输入输出 外触发 +1 路同步输出

SMA 接口

外触发 +1 路同步输出

SMA 接口 NA

软件控制 USB2.0 远程桌面控制 NA

针对不同的应用场景，IIM 系列提供多种不同外形结构的设计 ：

注： 新版 A/B 系列 USB2.0 远程桌面控制

·IIM-A系列: 台式桌面型

此系列功能齐全，外观结构厚实稳定，使用简便，适合大多数科研实验室使用，特

别是小型或轻量型相机，连接后无需再单独固定。

·IIM-C系列：便携手动型

此系列外形小巧，简单易用，适合使用场景单一，无需门控和触发控制的实验。

·IIM-B系列：便携远程控制型

此系列外形小巧，功能齐全，配备远程控制盒，适合实验过程中需要保持安全距离

的测试，如燃烧，爆炸过程等！ 另外，轻便的外形结构设计更适合较大尺寸或较重相机

的连接和使用。

·客户定制：光谱仪接口类型

可根据客户已有光谱仪出口尺寸 / 焦深等定制入口端光谱仪焦面接口，直接将已有光

谱 CCD 或高速相机通过 IIM 增强模组连接到光谱仪后端，升级为高灵敏度光谱探测或高

速光谱探测系统。

灵活适用不同应用场景

参数列表

010-56370168 www.zolix.com.cn 191

科学级成像相机

iKon-M 912系列CCD相机

iKon-M 912 量子效率曲线

iKon-M 912

技术参数指标

型号 DU912N-BV

芯片类型 BV: 背感光，可见波段优化 FI: 前感光 CCD

有效像素 512×512

芯片尺寸 12.3mm×12.3mm

像元尺寸 24µm×24µm

满阱容量 300,000e最大读出速度 5MHz

帧频 8.1fps

最小读出噪声 3e最小暗电流 0.0006e- @ -100℃

最低制冷温度 -100℃

附件选项

C转F接口、水冷机

iKon-M 系列 DU912 高灵敏度科学级相机采用 E2V 公司

512×512、24µm 规格芯片，制冷温度可达 -100℃。iKon-M

系列科学级影像 CCD 相机是在传统的影像 CCD 基础上，采用

UltraVac ™等专利技术，保证最长时间的真空维持度，从而赋

予了本系列 CCD 相机最大的使用可靠性和配置灵活性。

主要特点

■ UltraVac™专利真空密封技术，无可比拟的TE制冷性能

■ 最高95%的量子效率

■ 超低噪声的读出，且读出速度软件可选

■ 16位的高动态范围

■ 集成C接口的机械快门

■ USB2.0接口，使用方便

5.5 科学级 CCD 相机

192 010-56370168 www.zolix.com.cn

iKon-M 系列 DU934 高灵敏度科学级相机采用 E2V 公司

1024×1024、13µm 规格芯片，制冷温度可达 -100℃。iKon

系列科学级影像 CCD 相机是在传统的影像 CCD 基础上，采用

UltraVac ™等专利技术，保证最长时间的真空维持度，从而赋

予了本系列 CCD 相机最大的使用可靠性和配置灵活性。

iKon-M 934系列CCD相机

技术参数指标

型号 DU934P DU934P（深耗尽）

芯片类型

BU2：背感光，紫

外增强 250nm 优

化

BV：背感光，可见

光波段优化

FI：前照式 CCD

BR-DD：背感光深耗尽 CCD，

带有消除近红外 etalon 效应的

边缘抑制结构设计。

BEX2-DD：背感光深耗尽

CCD，带有消除近红外 etalon

效应的边缘抑制结构设计，额

外增加了双层增透镀膜

有效像素 1024×1024

芯片尺寸 13.3mm×13.3mm

像元尺寸 13µm

满阱容量 100,000e- 130，000e最大读出速度 5MHz

帧频 4.4fps@5MHZ，全幅模式

最小读出噪声 2.9 3.3

最小暗电流 0.00012e- @

-100℃ 0.00047e- @ -100℃

最低制冷温度 -100℃

附件选项

C转F接口、水冷机

主要特点

■ UltraVac™专利真空密封技术，无可比拟的TE制冷性能

■ 提供背感光、前感光、紫外增强、深耗尽等多种选择，满足不

同应用需求

■ 最高95%的量子效率

■ 超低噪声的读出，且读出速度软件可选

■ 16位的高动态范围

■ 集成C接口及机械快门

■ USB2.0接口，使用方便

■ Fringe Suppression Technology™技术，消除近红外波段的

etalon现象(针对BR-DD芯片和BEX2-DD)

iKon-M ㈨݄ DU934 倅▢᩼Ꮣ⻾႓㏔Ⱕᱧ䛴⩕ E2V ڙथ 1024×

13ȝm 㻱ᵩ㟜❴喑ݣۤ⍖Ꮣज䓫 -100ĎȡiKon ㈨݄⻾႓㏔ᒞ׼

Ⱕᱧ᭜ౕэ㐌⮱ᒞ׼ CCD ധ⵭̷喑䛴⩕ UltraVac™ ぶ̀ݖឭᱜ喑Ԋ

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iKon-M 934 䛼ၽ᩵⢴ᰟ㏬

iKon-M 934

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1024×1024

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UltraVac™

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• 䯳᜽ C ᣒऐࣷᱧᷝᔘ䬕

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• Fringe Suppression Technology™

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010-56370168 www.zolix.com.cn 193

科学级成像相机

技术参数指标

型号 DW936N( 四级制冷 ) DZ936N( 五级制冷 )

芯片类型

BU2：背感光，紫外

增强 250nm 优化

BV：背感光，可见光

波段优化

FI：前照式 CCD

BR-DD：背感光深耗尽

CCD，带有消除近红外

etalon 效应的边缘抑制结

构设计。

BEX2-DD：背感光深耗

尽 CCD，带有消除近红外

etalon 效应的边缘抑制结

构设计，额外增加了双层

增透镀膜

有效像素 2048×2048

芯片尺寸 27.6mm×27.6mm

像元尺寸 13.5µm×13.5µm

满阱容量 100,000e- 150，100e最大读出速度 5MHz

帧频 0.95fps@5MHZ，全幅模式

最小读出噪声 2.9

最小暗电流 0.000059@-100℃ 0.0003@-100℃

最低制冷温度 -80℃ @ 四级制冷 -100℃ @ 五级制冷

附件选项

C转F接口、水冷机

iKon-L 936系列CCD相机

iKon-L 936 系列高灵敏度科学级相机采用 E2V 公 司

2048×2048、13µm 规格芯片，虽然 CCD 的成像面积高达

27×27mm，但制冷温度依然可达 -100℃。iKon 系列科学级

影像 CCD 相机是在传统的影像 CCD 基础上，采用 UltraVac ™

等专利技术，保证最长时间的真空维持度，从而赋予了本系列

CCD 相机最大的使用可靠性和配置灵活性。

iKon-L 936 量子效率曲线

iKon-L 936

主要特点

■ 2048×2048分辨率，大视场高分辨率

■ UltraVac™专利真空密封技术，无可比拟的TE制冷性能

■ 提供背感光、前感光、紫外增强、深耗尽等多种选择，满足不

同应用需求

■ 最高95%的量子效率

■ 高灵敏度及高动态范围两种读出模式

■ 超低噪声的读出，且读出速度软件可选

■ 16位的高动态范围

■ 集成F接口及45mm机械快门

■ USB2.0接口，使用方便

■ Fringe Suppression Technology™技术，消除近红外波段的

etalon现象(针对BR-DD芯片)

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iKon-XL 系列大面阵制冷CCD相机

iKon-XL 系列产品采用了 e2v 公司全新的 4K 芯片，利用专利的 ColdSpaceTM 技术，

最低制冷温度可以达到 -100℃，拥有 18bit 的动态范围，选用 USB3.0 或者光纤通讯接口，

并采用 UltraVacTM 专利技术，保证了长久的真空密封性，从而赋予本系列 CCD 相机最

大的使用可靠性与配置灵活性。

主要特点

■ 4096×4112分辨率，大视场高分辨率

■ UltraVac™专利真空密封技术，无可比拟的TE制冷性能

■ 提供背感光、紫外增强、深耗尽等多种选择，满足不同应用需求

■ 最高95%的量子效率

■ 高灵敏度及高动态范围两种读出模式

■ 超低噪声的读出，且读出速度软件可选

■ 18位的高动态范围

■ USB2.0接口，使用方便

■ Fringe Suppression Technology™技术，消除近红外波段的etalon现象(针对BR-DD芯片)

iKon-XL 量子效率曲线

附件选项

C转F接口、水冷机

iKon 系列参数对比

DU912 DU934 DU934 DW936 / DZ936 iKon-XL

芯片类型

BV：背感光，可见

波段优化 FI：前感

光 CCD

BU2：背感光，紫外

增强 250nm 优化

BV：背感光，可见波

段优化

FI：前感光 CCD

BR-DD：背感光深耗尽

CCD。带有消除近红外波

段的 etalon 镀膜

BEX2-DD：背感光深耗

尽 CCD。带有消除近红外

波段的 etalon 镀膜以及

波段扩展双层抗反射膜

FI: 前感光 CCD

BV：背感光，可见波段优

化

BU2：背感光，紫外增强

250nm 优化

BR-DD：背感光深耗尽

CCD。带有消除近红外波段

的 etalon 镀膜

BV：背感光，可见波段

优化

BU2：背感光，紫外增强

250nm 优化

BR-DD：背感光深耗尽

CCD。带有消除近红外波

段的 etalon 镀膜

有效像素 512×512 1024×1024 1024×1024 2048×2048 4096×4112

芯片尺寸 12.3mm×12.3mm 13.3mm×13.3mm 13.3mm×13.3mm 27.6mm×27.6mm 61.4mm×61.4mm

像元尺寸 24µm×24µm 13µm×13µm 13µm×13µm 13.5µm×13.5µm 15µm×15µm

满阱容量 300,000 e- 100,000 e- 100,000 e- 100,000 e- 350,000 e最大读出速度 2.5MHz 5MHz 5MHz 5MHz 4MHz

帧频 8.1fps 4.4fps 4.4fps 0.95fps <1fps

最小读出噪声 3e- 2.9e- 3.3e- 2.9e- 2.1e最小暗电流 0.0006 e-@-100℃ 0.00012 e-@-100℃ 0.00047 e-@-100℃ 0.00013 e-@-80℃，

0.000059 e-@-100℃ 0.0008 e-@-100℃

最低制冷温度 -100℃ -100℃ -100℃ -80℃ @ 四级制冷，

-100℃ @ 五级制冷 -100℃

技术参数指标

型号 iKon-XL 230 iKon-XL231

芯片类型

BV：背感光，可见光波段优化

BB：宽频增透镀膜，提高蓝光

区的灵敏度

BV：背感光，可见光波段优化

BB：宽频增透镀膜，提高蓝光区的灵敏度

BEX2：背照式双减反膜设计，提高蓝光区

和红光区的灵敏度

BEX2-DD：背感光深耗尽 CCD，带有消除

近红外 etalon 效应的边缘抑制结构设计，

额外增加了双层增透镀膜

有效像素 4096*4112 4096*4108

像元尺寸 15µm

芯片尺寸 614.*61.4mm（100% 填充因子） 614.*61.7mm（100% 填充因子）

满阱容量 150，000e- 350，000e最大读出速度 4MHZ 3MHZ

帧频 0.44fps@4MHZ，全幅模式 0.5fps@3MHZ，全幅模式

最小读出噪声 3.8 2.1

最小暗电流 0.00006 0.00013

最低制冷温度 ＞ 99%

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科学级成像相机

技术参数指标

型号 iKon-XXL 38B

芯片类型

BEX2: 双 AR 镀膜

BEX2-DD: 深耗尽，双 AR 镀膜

Std Si, AL: 紫外优化

有效像素 6144x6160

芯片尺寸 92.2mm x 92.4mm

像元尺寸 15µm*15µm

满阱容量 350,000 e读出速度 0.1, 0.5, 1, and 3 MHz

满幅帧频 0.256

最小暗电流 0.0056e-@-80oC

iKon-XXL系列超级大面阵制冷CCD相机

iKon-XXL 系列高灵敏度科学级相机采用 E2V 公 司

6144x6160 芯片， UltraVacTM 专利，ColdSpace 永久真空密封，

制冷温度可达 -80oC。

主要特点 :

■ 6144x6160分辨率，超级大视场高分辨率

■ ColdSpace永久真空密封技术，无可比拟的TE制冷性能，真空五

年质保

■ 双AR镀膜、深耗尽、紫外增强等多种选择，满足不同应用需求

■ 18位的高动态范围

■ 多种读出速度可选，超低噪声读出

■ 光纤和USB3.0接口，使用方便

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5.6 高灵敏度 sCMOS 相机

100% 纯国产化专业级高灵敏 sCMOS 相机

NM-2020e-M 制冷科研级 CMOS 相机

主要特点

■ 高性价比与科研两相宜

■ 高可靠性高稳定性

适合应用

NM-2020e-M 参数功能列表

活细胞成像：

活细胞成像是观察细胞、组织或整个有机体 发生的动态过程，

是细胞生物学中最常使用的技 术手段。与固定细胞相比，活细胞

提供了更多关 于细胞在生命过程中发生变化的信息，包括从细 胞

分裂到细胞迁移、细胞器的运动和转化等。活 细胞成像要求尽量

减少光漂白和光毒性对活体 样品的损伤，保持样品的活性。

微流体：

在对活体和动态样品进行成像时我们最关 注的就是能否在

这些微小的荧光粒子高速移动 时捕捉到它们，并对它们的位置

进行准确地追 踪，这需要采集速度尽可能的快。左图为低速(上）

和高速（下）采集到的荧光小球时间序列图像，高帧率下即使

在平均流速 1000µm/s 的高流速区 域，也能基本保证荧光小球

的形状完整。

NM-2020e-M 制冷科研级 CMOS 相机

产品名称 NM-2020e-M

芯片描述 正照式 sCMOS

快门模式 卷帘 / 仿全局快门

像素数 2048*2048（HxV）

像素尺寸 6.5µm x 6.5µm

数据位深数 16bit

动态范围 85dB

读出噪声 2.5e暗电流 / 制冷 0.2e-/p/s（@-10℃ 半导体制冷 + 风冷）

量子效率峰值 72%@595nm

满井电子 45Ke相应线性度 ＞ 99%

DSNU ＜ 1.2ePRNU 0.58%

帧率 43fps

光学接口 C-Mount，可选配 F-Mount

数据接口 GigE Vision2.0（PC 端同时提供千兆网口

&5G 采集卡）

像素控制 Bin（1x1,2x2,4x4）；ROI

特殊功能

在线预览实时功能：图像拉伸显示、灰度翻转、锐化、对

焦清晰度显示（对焦度）、伪彩、图像位置

坐标及灰度值、自选矩形区域灰度直方图显示、自定义划

线灰度统计、Bias 暗场校正（背景扣除）

离线看图功能：图像亮暗调节、图像计算、景深扩展、

HDR 合成

系统友好型功能：相机设置保存及加载

支 持 SDK: (C, C++, C#, Python, MatLab) / LabVIEW /

µManager

尺寸 83x83x123mm（WxHxL）, 重量：1100g

■使用开发友好度高

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科学级成像相机

背照式sCMOS相机Marana

Marana 背照式 sCMOS 相机提供 95% 的量子效率，采用 Andor 独

特的真空密封技术，制冷温度达到 -45o

C，可大大降低噪音。背照式传

感器是为增强灵敏度而选择的，选用这种高端技术来设计制造超灵敏的

相机是有意义的。此外，UV 优化版本可覆盖低于 400nm 的范围。

主要特点

■ 量子效率：最高95%

■ 420万像素和32豪米对角线大视场sCMOS可选

■ 紫外优化：260-400nm波段内进行了量子效率优化设计

■ 最低制冷温度可至-45o

C

■ 最高满幅帧频达：74fps

■ Anti-Glow芯片自发光抑制技术，可使用完整的芯片成像

■ 超快光谱模式：垂直像素Binning，可用于动态光谱采集(高达>25,000光

谱/秒)

■ 制冷方式：风冷和水冷可选，水冷可获得更高灵敏度

Marana 相机

技术参数指标

型号 Marana 4.2B-11 Marana 4.2B-6

有效像素 2048*2048

像元尺寸 11µm*11µm 6.5µm*6.5µm

有效探测面尺寸 22.5mmx22.5 mm 13.3mmx13.3 mm

读出模式 滚动快门

最大采集速度 100MHz(16 位 )

200MHz(12 位 )

310MHz(16 位 )

180MHz(12 位 )

最小读出噪声 1.6e-( 所有读出 ) 1.6e-(16 位 )

1.2e-(12 位 )

动态范围 53,000:1 34,000:1

暗电流 @-45oC 0.3 e-/pixel/s 0.10 e-/pixel/s

线性度 优于 99.7% 优于 99.7%

接口 USB 3.0 USB 3.0/CoaXPress

镜口接口 F 口 C 口

量子效率曲线

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背照式sCMOS相机Sona

Sona 背照式 sCMOS 相机提供 95% 的量子效率，采用 Andor

独特的真空密封技术，制冷温度达到 -45 度，可大大降低噪音。背

照式传感器是为增强灵敏度而选择的，选用这种高端技术来设计制

造超灵敏的相机是有意义的。Sona 是专门针对显微成像系统做了

改进设计，拥有 6.5µm 和 11µm 两种芯片可选。

主要特点：

■ 最高达到95%的量子效率

■ 最快速度：74fps

■ 最大芯片尺寸可到对角线32mm

■ 超低制冷温度：-45℃

■ 专利技术：UltraVacTM传感器制冷设计

■ 超长质保：5年真空质保

量子效率曲线

主要技术参数：

型号 Sona-11（32mm） Sona-11（22mm） Sona-6

芯片类型 背照式芯片

像元数量 2048*2048 1400*1400 2048*2048

像元尺寸 11µm*11µm 6.5µm*6.5µm

读出模式 卷帘快门

读出噪声 1.6e- 最低 1.2e制冷温度 最低 -45℃

暗电流 最低 0.3e-/pixel/s 最低 0.1e-/pixel/s

像元阱深 85000e- 42000e线性度 优于 99.7%

光子响应

非均匀性 ＜ 0.5%（@ half-light range）